半導體雷射技術 盧延昌、王興宗 著.

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1 半導體雷射技術 盧延昌、王興宗 著

2 1960 年代，液相磊晶(liquid phase epitaxy, LPE)
氣相磊晶(vapor phase epitaxy, VPE)亦開始發展 在1970 到1980 年代發展出分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE) 另外一種磊晶技術稱為金屬有機化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 。

3 一般而言MOCVD 系統主要由四個部分所組成，如圖7-3所示包括了氣體傳輸(gas blending)系統、反應爐系統、真空(vacuum)系統與洗滌(scrubber)系統，這四個部分皆由可程式邏輯系統所控制。

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10 針對這些製作流程簡述如下： (1) 基板準備 基板大多通常直接向供應販賣商購買，而其標準規格通常包含以下幾項： (i) 傳導種類（conduction type ) (ii) 載子濃度 (iii) 錯位（缺陷）密度（或etch-pit density, EPD)

11 (2) 元件磊晶製作 對於完成的磊晶樣品的材料品質可由以下的量測方法評估： 利用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy, SEM)量測每一磊晶層的厚度、觀察晶圓表面的平整度以及主動層的剖面情況。 藉由光致發光(photoluminescence, PL)頻譜量測，來鑑定主動層材料含量。 量測C-V 曲線藉以判斷每一層材料的載子濃度。 光學顯微鏡量測表面缺陷密度。

12 (3) 條狀(stripe)區域製作 製作半導體邊射型雷射，必須要製作出成條狀的共振腔，製作流程依不同的雷射種類有以下幾種方式： 平面條狀雷射 氧化條狀雷射 離子佈植條狀雷射 脊狀波導雷射 埋藏式異質結構雷射

13 (4) 金屬化 電極金屬的種類很多，在選擇上必須考慮到與半導體接面的功函數，因此p 型與n 型半導體所使用的金屬種類各不相同。 p 型電極：通常p 型電極會使用Au-Zn/Au 或者Ti/Pt/Au 的金屬合金。Au-Zn/Au 是一種合金歐姆接觸(ohmic contact)並且每一層藉由蒸鍍方式沉積於披覆層或是金屬接觸層(metal contact layer)上面，合金需要加熱到 ℃的溫度下維持30 分鐘以形成良好的歐姆接觸。 n 型電極：通常n 型電極會使用Au/Sn 或者Au/Ge/Ni。

14 (5) 晶粒陣列製作 在晶圓表面形成溝槽以區隔開晶粒陣列，而這些溝槽製作方式是在表面沉積一層SiO2 的絕緣薄膜，接著利用黃光微影在表面完成圖案化製作，產生出溝槽區域的形狀，接著利用離子蝕刻或者化學蝕刻方式產生溝槽區域。 接著將晶圓背面拋光至總厚度至100 μm 左右以方便劈裂(cleave)，接著利用黃光微影與金屬沉積製作背電極，再將光阻去除，即形成晶粒陣列結構如圖7-19 所示。

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16 (6) 鏡面保護 劈裂成一維的雷射晶粒陣列之後，雷射共振腔結構當中的前後反射面鏡需要利用介電質材料（如SiO2、 Al2O3 或Si3N4）鍍膜(coating) 來做保護或形成高反射鏡， 這可以抑制劈裂鏡面(cleaved facet)的氧化，以增加雷射的輸出功率與操作壽命，同時可以減少表面復合速度，以及可以降低雷射的閾值電流。

17 (7) 晶粒切割分離 鍍膜過的一維雷射晶粒陣列接著要沿著溝槽方向搭配應力切割出一顆一顆的雷射晶粒，此步驟需要特別注意切割所產生的表面損壞，並且進行篩選，挑出不良品。

18 (8) 接合（黏合） 先將Sn 或In 焊料固定在一個散熱基座（通常是使用Cu 或AlN）並且加熱至融化，然後將切割好的雷射晶粒置放於融化的焊料上與散熱基座接合(bonding)，接著再將散熱基座黏合至雷射模組上。 通常使用In 焊料屬於低溫且低成本的黏著封裝方式，若是要應用到高功率半導體雷射，通常會使用AuSn 以合金的方式封裝，此外，為達到良好的散熱，將有主動層的一面貼近散熱基座封裝，可以有效導引熱源，此種p-side down 的封裝方式，幾乎為大部分的半導體雷射所採用。

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20 (9) 封裝 這是雷射二極體的最後一項製程，將遮蓋(cap)固定於接合好的模組上，此遮蓋上方有保護鏡可以讓雷射光透射出來，或者是準直鏡可以幫助雷射光聚焦。接著通入氮氣於遮蓋內部，如此一來可以防止雷射晶粒受到濕氣的影響，最後再將遮蓋封合，圖7-21(a)為TO-can 封裝型式的示意圖，而圖7-21(b)為最簡單的TO-can 封裝雷射二極體，外殼為導電的金屬，通常背後有三隻接腳，上蓋有一透明的玻璃或準直鏡供雷射光輸出。

21 圖7-21 (a) 雷射二極體封裝示意圖。

22 圖7-21 (b) 雷射二極體TO-can 封裝型式

23 蝕刻（etching）是在半導體中常見的製程方法，其方式是利用物理或者化學的方法將半導體表面不需要的地方移除。
在蝕刻之前，就必須先利用微影（lithography）技術在半導體表面定義出蝕刻圖案，因此蝕刻製程常常伴隨著微影製程。

24 蝕刻製程在半導體中可主要分為兩種方式： (1) 濕式蝕刻(wet etching) 濕式蝕刻大多利用酸、鹼及溶劑的液態化學溶液經過化學反應來移除表面的半導體材料，經由溶液與蝕刻物間的化學反應，來移除薄膜表面原子，達到蝕刻目的，過程可以分為三個步驟：擴散、反應、擴散出。 就濕式蝕刻而言，通常可以針對某一種蝕刻物找到一種可快速有效的蝕刻溶液，而這種蝕刻溶液也會具有相當高的蝕刻選擇比（etching selectivity）。

25 蝕刻速度會受結晶方向所影響之外，也因為化學蝕刻是浸泡在溶液當中，因此蝕刻方式是屬於等向性蝕刻（isotropic etching）。
等向性蝕刻的意思是其蝕刻在每個方向上都是均等的，不僅有縱向亦有橫向的蝕刻作用，這樣的特性之下，也導致了所謂的底切（undercut）的現象，造成圖案轉化的過程會有偏差，如圖7-22 所示。

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27 (2) 乾式蝕刻(dry etching) 在半導體製程中，乾式蝕刻也是常用來移除表面材料的方式，其目的與濕式蝕刻一樣，都是為了能將光罩的圖像完整地表現於晶圓表面上。 而乾式蝕刻中最常見的方法是使用電漿來蝕刻。

28 化學相關的反應機制是靠電漿產生化學反應的反應物，與晶圓表面的材料產生化學反應而產生生成物，再藉由抽氣系統將生成物排除。
物理相關的反應機制為在一個大電場下，電漿離子獲得能量而加速轟擊晶圓表面，透過濺擊蝕刻的方式，離子以物理性的方式移除了晶圓表面未受保護的區域。 因此乾式蝕刻最大優點即是可以達到非等向性蝕刻或異向性蝕刻(anisotropic etching)的側壁輪廓。

29 在現今先進微晶圓製程的發展，製作電極連接需要用多層的金屬層，為了維持電性的完整，必須要在金屬薄膜層間沉積新的介電質材料使每一層的金屬電極有絕緣保護。
因此在晶圓製程中，沉積薄膜(thin film)的品質對元件的可靠度便是一項重要的關鍵。薄膜是在基板上形成一層很薄的固態材料層。而在半導體中，一個好的薄膜需要具備優良的階梯覆蓋能力、充填高深寬比的能力以及厚度、純度、密度的優良可掌控性，如圖7-23 所示。

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31 薄膜沉積可以分為三個步驟：成核、核團晶粒聚結以及連續薄膜成長。
第一階段的成核（nucleation），是在晶圓表面形成一個穩定的原子或分子核團。 第二階段為晶粒聚結，又可稱為島成長（island growth）。 第三階段，即成長為連續薄膜，沿著表面延伸形成固態薄膜。

32 化學性的沉積製程是將氣體來源產生化學反應而在表面沉積薄膜，而在這化學反應當中可以利用加熱的方式，外加能量用以加速反應。
化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)重要的觀念包含了使用化學作用或者熱分解來與外加氣體來源作用，而反應物必須亦為氣相的形式。

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34 物理氣相沉積主要有三種製程：蒸鍍（evaporation deposition）、離子鍍（ion plating）與濺鍍（sputtering deposition）。
蒸鍍是指將蒸鍍源（沉積薄膜的材料來源）加熱蒸發直接凝結於晶圓表面而形成薄膜 離子鍍則是指在材料蒸發之後，在通往晶圓的途中經激發（如離子槍轟擊或輝光放電），使蒸發的原子產生離子化。 濺鍍是利用離子轟擊靶材，擊出靶材原子變成氣相並沉積於晶圓上；濺鍍具有廣泛應用的特性，幾乎任何材料均可沉積。

35 離子佈植(ion implant)是一種可控制的摻雜導入樣品以改變樣品電特性之方法，其屬於一種物理性製程，在半導體元件中，離子佈植是半導體結構中一項相當重要的技術。
在離子佈植過程中，摻質的帶電離子束撞擊晶圓，當摻雜質加速到獲得足夠的能量後，即可在預定的深度植入薄膜材料，進而改變材料的性質，因此改變原有的電特性。

36 基本上，此摻質濃度(劑量)是由佈植所使用的離子束電流(離子束內之總離子數)與掃瞄率(晶圓通過離子束之次數)來控制如圖7-25 所示，而離子佈植之深度則由離子束能量之大小來決定。

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38 離子佈植的優點相當多，其中包括 準確控制其摻質濃度 控制離子能量 質量分離技術能產生一不含污染的離子束，不同的材料摻質可被選擇植入，並且在高真空環境下佈植達到高純度低污染 佈植溫度小於125℃，不需高溫製程；摻質可穿透氧化物或者氮化物，這有助於後續製程彈性調整。

39 離子佈植的缺點為， 摻質離子轟擊表面所造成晶圓晶體結構的損壞，因為當高能量離子進入晶體時，並且與基板原子產生碰撞，能量被轉移造成晶圓中一些原子因此而錯位產生缺陷，這項作用可稱為輻射損壞（radiation damage）。 圖7-26 為離子佈植系統的示意圖。從萃取源所產生的離子包含不同的離子物種，並且其加速度受到萃取電壓影響，因此具有高速度的運動。

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41 金屬製程即為利用化學或者物理性製程在晶圓表面沉積一層金屬薄膜，此製程方式和之前所述的沉積是相互關聯性的，在半導體結構中，金屬負責電訊號的傳遞。
通常金屬製程需要在晶圓上將表面金屬加熱形成至所需的電性介面，稱之為歐姆接觸(ohmic contact)，歐姆接觸具有很低的電阻值(其接面電壓-電流即為歐姆定律)，這對於半導體雷射的操作有很重要的影響，因此在金屬化製程中，金屬材料的挑選與搭配半導體材料是相當重要的。

42 最廣泛的金屬沉積系統是濺鍍 濺鍍以物理方式轟擊靶材，在晶圓表面沉積原子而形成金屬薄膜。 最常用的三種濺鍍方式為： RF 磁控 離子化金屬電漿 一般而言濺鍍是在電漿中形成離子化的氬氣體，因為氬氣體相當重而且為化學性鈍氣。