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氧化鋅薄膜在氮化鎵歐姆接觸的研究 承辦人：林明權 半導體元件研究室 ZnO和p-GaN之間的接觸並非歐姆接觸
歐姆接觸之各層結構：ZnO/metal/p-GaN ZnO和p-GaN之間的接觸並非歐姆接觸 第一層金屬我們採用Ti、Al/Ni、Al/Ti or Al/Pd 等金屬 厚度由50Ǻ 改變到250Ǻ 第二層透明電極ZnO 沒有任何摻雜的ZnO 摻雜Al的ZnO 厚度均介於600Ǻ～2500Ǻ之間等幾種不同的厚度。 第一種沒有任何摻雜的ZnO具有良好的熱穩定及透光率佳的優點，第二種摻雜Al的ZnO，乃是為降低這層透明電極的電阻係數。 特徵接觸電阻之量測 Transmission Line Method (TLM) 第一道光罩是為著 mesa etching。 第二道光罩以lift off的技術將所要研究的透明電極和金屬層沈積在導電區塊上。 所量到的電阻值R與接觸電阻Rc和特徵接觸電阻c的關係如下： Horizontal Kelvin test structure 第一道光罩作mesa etching以產生一個十字形的導通層。 第二道光罩挖contact holes 。 第三道光罩做 contact pads。 特徵接觸電阻的量測方法如下所述： 量得的八組電壓取平均，再除以電流而得到一平均電阻Rave()。 將平均電阻乘以十字形mesa之中心contact hole而得到特徵接觸電阻(-cm2) 氮化鎵發光二極體之製作與測試
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設備- Equipment 金屬蒸鍍室 物理氣相沉積OLED真空 化學煙櫃排風系統 廠牌: FULINTEC 規格概要：含:Chamber
主要功能：蒸鍍金屬以沈積薄膜 化學煙櫃排風系統 廠牌: 擎邦 規格概要： 2000mmw*850mmD 主要功能：化學藥品處理時排風抽氣
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金屬對硒化鎵的接觸研究 半導體元件研究室 硒化鎵之晶體成長 P 型的硒化鎵晶體，電洞濃度介於1.51017-61017cm-3
Bridgmann成長方法 純度99.999%的鎵和純度 %的硒混合，再摻入受體雜質鉺(Er)純度99.95%。 蕭特基二極體 選用功函數較低得金屬（Ag, Al, Ti, Cr, W…)，期能得到較高的能障及較小的漏電流。 在硒化鎵的背面鍍上金屬銦作歐姆接觸。（因背面大面積接觸，金屬銦與硒化鎵間有非常多的漏電流，故可形成歐姆接觸。） 硒化鎵蕭特基二極體電性量測：I-V, I-V-T, C-V, DLTS。 金屬與硒化鎵接觸介面的材料分析：SEM、AFM、X-ray、Auger。 硒化鎵歐姆接觸 選用較高功函數的金屬：金(Au)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等貴重金屬，期能有好的歐姆接觸。 疊層金屬的歐姆結構為：金(Au)/銅(Cu)/P型硒化鎵(P-GaSe)。 硒化鎵歐姆接觸之特徵接觸電阻量測
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