第15章 基本放大电路 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析 15.4 静态工作点的稳定

Presentation on theme: "第15章 基本放大电路 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析 15.4 静态工作点的稳定"— Presentation transcript:

1 第15章 基本放大电路 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析 15.4 静态工作点的稳定
第15章 基本放大电路 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析 15.4 静态工作点的稳定 15.5 放大电路中的频率特性 15.6 射极输出器 15.7 放大器的三种组态 15.8 差分放大电路 15.9 互补对称功率放大电路 15.10 场效应管及其放大电路

2 第15章 基本放大电路 本章要求： 1. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。
第15章 基本放大电路 本章要求： 1. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等 效电路分析法。 3. 了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念， 了解放大电路的频率特性、互补功率放大电路的 工作原理。 4. 了解差动放大电路的工作原理和性能特点。 5. 了解场效应管的电流放大作用、主要参数的意义。

3 放大的概念: 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大的实质: 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。 对放大电路的基本要求 ： 1. 要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。 2. 尽可能小的波形失真。 另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术指标。 本章主要讨论电压放大电路，同时介绍功率放大电路。

4 15.1 基本放大电路的组成 15.1.1 共发射极基本放大电路组成 共发射极基本电路 RC C2 iC C1 iB EC + T uCE
共发射极基本放大电路组成 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 共发射极基本电路

5 15.1 基本放大电路的组成 15.1.2 基本放大电路各元件作用
基本放大电路各元件作用 晶体管T--放大元件, iC= iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区 。 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 基极电源EB与基极电阻RB--使发射结 处于正偏，并提供大小适当的基极电流。 共发射极基本电路

6 15.1 基本放大电路的组成 15.1.2 基本放大电路各元件作用 集电极电源EC --为电路提供能量。并保证集电结反偏。
基本放大电路各元件作用 集电极电源EC --为电路提供能量。并保证集电结反偏。 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容C1 、C2 --隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。 信号源 负载 共发射极基本电路

7 15.1 基本放大电路的组成 共发射极基本电路 单电源供电时常用的画法 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL
ui uo uBE uCE iC iB iE +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 共发射极基本电路 单电源供电时常用的画法

8 15.1.3 放大电路的主要技术指标 + + - - _ 信号源 1.放大倍数
Au 放大电路 + - _ Ro RL Ri 1.放大倍数 2. 非线性失真系数：所有的谐波总量与基波成分之比，定义为非线性失真系数。

9 5. 通频带：通常将放大倍数在高频和低频段分别下降为中频段放大倍数的1/ 时，所包括的频率范围。
3. 输入电阻 4. 输出电阻 5. 通频带：通常将放大倍数在高频和低频段分别下降为中频段放大倍数的1/ 时，所包括的频率范围。 通频带 f |Au | 0.707| Auo | | Auo | O 6. 最大输出功率

10 15.1.4 共射放大电路的电压放大作用 uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE 无输入信号(ui = 0)时: +UCC
共射放大电路的电压放大作用 +UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O 无输入信号(ui = 0)时: iC t O uBE t O iB t O UCE IC UBE IB

11 结论： (1) 无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的 电压和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。 IC UCE IB UBE Q Q
O IB UBE O Q Q IB IC UCE UBE (IB、UBE) 和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。

12 ？ 16.1.4. 共射放大电路的电压放大作用 uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0
+UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O uo t O uCE = UCC－ iC RC iC t O 无输入信号(ui = 0)时: 有输入信号(ui ≠ 0)时 uBE t O iB t O ui t O IC UCE ？ IB UBE

13 结论： (2) 加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大 小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了 一个交流量，但方向始终不变。 交流分量
直流分量 iC t O 集电极电流 iC t IC O iC t ic O + 动态分析 静态分析

14 2. 直、流通路和交流通路 因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样，交直流所走的通路是不同的。 直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路， 用来计算静态工作点。 交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路， 用来计算电压放大倍数、输入电阻、 输出电阻等动态参数。

15 结论： (3) 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大， 即电路具有电压放大作用。 uo ui t t
(4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°， 即共发射极电路具有反相作用。

16 1. 实现放大的条件 (1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集 电结反偏。 (2) 正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大 区。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。

17 对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）
例：画出下图放大电路的直流通路 对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开） +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB IE 断开 断开 直流通路 直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE )

18 对地短路 短路 短路 RB RC ui uO RL RS es + –
+UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE XC  0，C 可看作短路。忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，直流电源对交流可看作短路。 对地短路 短路 短路 交流通路 RB RC ui uO RL RS es + – 用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。

19 15.2 放大电路的静态分析 静态：放大电路无信号输入（ui = 0）时的工作状态。 静态分析：确定放大电路的静态值。
15.2 放大电路的静态分析 静态：放大电路无信号输入（ui = 0）时的工作状态。 静态分析：确定放大电路的静态值。 ——静态工作点Q：IB、IC、UCE 。 分析方法：估算法、图解法。 分析对象：各极电压电流的直流分量。 所用电路：放大电路的直流通路。 设置Q点的目的： (1) 使放大电路的放大信号不失真； (2) 使放大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。

20 15.2.1 用估算法确定静态值 1. 直流通路估算 IB 由KVL: UCC = IB RB+ UBE
RC T + – UBE UCE IC IB 当UBE<< UCC时， 2. 由直流通路估算UCE、IC 根据电流放大作用 由KVL: UCC = IC RC+ UCE 所以 UCE = UCC – IC RC

21 已知：UCC=12V，RC=4k，RB=300k， =37.5。
例1：用估算法计算静态工作点。 已知：UCC=12V，RC=4k，RB=300k， =37.5。 +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB 解： 注意：电路中IB 和 IC 的数量级不同

22 由例1、例2可知，当电路不同时，计算静态值的公式也不同。
例2：用估算法计算图示电路的静态工作点。 由KVL可得： IE +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB 由KVL可得： 由例1、例2可知，当电路不同时，计算静态值的公式也不同。

23 12.2.2 用图解法确定静态值 用作图的方法确定静态值 优点： 能直观地分析和了解静 态值的变化对放大电路 的影响。 步骤：
+UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB 优点： 能直观地分析和了解静 态值的变化对放大电路 的影响。 步骤： 1. 用估算法确定IB 2. 由输出特性确定IC 和UCC 直流负载线方程 UCE = UCC– ICRC

24 15.2.2 用图解法确定静态值  UCE =UCC–ICRC 由IB确定的那条输出特性与直流负载线的交点就是Q点 UCE /V
IC/mA 直流负载线 Q ICQ UCEQ  直流负载线斜率 O UCC

25 15.3 放大电路的动态分析 动态：放大电路有信号输入（ui 0）时的工作状态。 动态分析:
15.3 放大电路的动态分析 动态：放大电路有信号输入（ui 0）时的工作状态。 动态分析: 计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。 分析对象： 各极电压和电流的交流分量。 分析方法： 微变等效电路法，图解法。 所用电路： 放大电路的交流通路。 目的： 找出Au、 ri、 ro与电路参数的关系，为设计 打基础。

26 微变等效电路法 微变等效电路： 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等效为一个线性元件。 线性化的条件： 晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。 微变等效电路法： 利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。

27 15.3.1 微变等效电路法 1. 晶体管的微变等效电路 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 (1) 输入回路
微变等效电路法 1. 晶体管的微变等效电路 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 (1) 输入回路 当信号很小时，在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。 IB UBE O 晶体管的 输入电阻 IB Q UBE 晶体管的输入回路(B、E之间)可用rbe等效代替，即由rbe来确定ube和 ib之间的关系。 输入特性 对于小功率三极管： rbe一般为几百欧到几千欧。

28 一般在20～200之间，在手册中常用hfe表示。
(2) 输出回路 输出特性在线性工作区是 一组近似等距的平行直线。 IC UCE Q 晶体管的电流放大系数 晶体管的输出回路(C、E之 间)可用一受控电流源 ic= ib 等效代替，即由来确定ic和 ib之间的关系。 O 输出特性 一般在20～200之间，在手册中常用hfe表示。 rce愈大，恒流特性愈好 因rce阻值很高，一般忽略不计。 晶体管的输出电阻

29 1. 晶体管的微变等效电路 晶体三极管 微变等效电路 ic ic ib rbe B E C B C E uce + - ube + - uce + - ib ib ube + - 晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。

30 2. 放大电路的微变等效电路 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 + 大电路的微变等效电 uO 路。 ui - ui
RB RC ui uO RL + - RS eS ib ic B C E ii 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。 ib ic eS rbe ib RB RC RL E B C ui + - uo RS ii 交流通路 微变等效电路

31 分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。
2. 放大电路的微变等效电路 ib ic eS rbe ib RB RC RL E B C ui + - uo RS ii 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。 微变等效电路 rbe RB RC RL E B C + - RS 分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。

32 式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。
3.电压放大倍数的计算 rbe RB RC RL E B C + - RS 例1： 式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。 当放大电路输出端开路(未接RL)时， 负载电阻愈小，放大倍数愈小。 因rbe与IE有关，故放大倍数与静态 IE有关。

33 由例1、例2可知，当电路不同时，计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、 uo与ic 的关系。
3.电压放大倍数的计算 rbe RB RC RL E B C + - RS RE 例2： 由例1、例2可知，当电路不同时，计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、 uo与ic 的关系。

34 4.放大电路输入电阻的计算 放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说，是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是信号源的负载电阻,也就是放大电路的输入电阻。 + - 信号源 Au 放大电路 + - 输入电阻是对交流信号而言的，是动态电阻。 放大电路 信号源 + - 定义： 输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻愈大，从信号源取得的电流愈小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。

35 rbe RB RC RL E B C + - RS 例1： ri rbe RB RC RL E B C + - RS RE 例2： ri

36 放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。
5. 放大电路输出电阻的计算 放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。 输出电阻是动态电阻，与负载无关。 RS RL + _ Au 放大 电路 + _ RL ro 定义： 输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小，负载变化时输出电压的变化愈小，因此一般总是希望得到较小的输出电阻。

37 例3： 外加 共射极放大电路特点： 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤： 1) 断开负载RL
rbe RB RC RL E B C + - RS 外加 共射极放大电路特点： 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 2) 令 或 3) 外加电压 4) 求

38 例4： 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 rbe RB RL E B C + - RS RE 外加

39 例5： 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 rbe RB E B C + - RS RE rce

40 例5： rbe RB E B C + - RS RE rce

41 二、动态分析图解法 是一条斜率为 + uO ui 且通过 Q点的直线 - 称为交流负载线 所以交流负载线比直流负载更陡
RB RC ui uO RL + - RS eS ib ic B C E ii 是一条斜率为 且通过 Q点的直线 称为交流负载线 交流通路 所以交流负载线比直流负载更陡 当 时，交直流负载重合

42 由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。
动态分析图解法 Q uCE/V t iB/A IB iC/mA IC uBE/V UBE UCE O Q1 RL= ic ib Q2 uo ui 由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。

43 动态分析图解法 iB/A RL ic ib 电压放大倍数将减小。 Q uCE/V t IB iC/mA IC uBE/V UBE UCE
O ic ib ui uo RL 电压放大倍数将减小。

44 15.3.2 非线性失真 如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。 若Q设置过高，
动画 UCE Q uCE/V t iC/mA IC O 若Q设置过高， Q1 晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。 Q2 适当减小基极电流可消除失真。 uo

45 15.3.2 非线性失真 晶体管进入截止区工作，造成截止失真。 若Q设置过低， iB/A 适当增加基极电流可消除失真。 t
动画 晶体管进入截止区工作，造成截止失真。 若Q设置过低， t iB/A uBE/V UBE O Q uCE/V iC/mA UCE 适当增加基极电流可消除失真。 uo ui 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。

46 15.4 静态工作点的稳定 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。
15.4 静态工作点的稳定 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电路不能正常工作，其中影响最大的是温度的变化。

47 温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移。
温度变化对静态工作点的影响 在固定偏置放大电路中，当温度升高时， UBE、  、 ICBO 。 上式表明，当UCC和 RB一定时， IC与 UBE、  以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化。 温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移。

48 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。 Q
温度升高时，输出特性曲线上移 Q´ 结论： 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。 Q O uCE 固定偏置电路的工作点 Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。

49 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 +UCC I1 IC RB1 RC C2 C1 IB VB + I2 RS RL uo
分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB 基极电位基本恒定，不随温度变化。

50 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 +UCC I1 IC RB1 RC C2 C1 IB VB + I2 RS RL uo
分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB 集电极电流基本恒定，不随温度变化。

51 参数的选择 从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。 但 I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。 而VB过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB VE 在估算时一般选取： I2= (5 ~10) IB，VB= (5 ~10) UBE， RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。

52 Q点稳定的过程 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS RE：温度补偿电阻 对直流：RE越大,稳定Q点效果越好； 对交流：RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。 VB VE VB 固定 T IC VE UBE IC IB

53 2. 静态工作点的计算 估算法: RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB

54 3. 动态分析 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 如果去掉CE ， Au，ri，ro ？ 旁路电容 对交流：旁路电容 CE 将RE 短路， RE不起作用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同。

55 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 对地 短路 如果去掉CE ，
Au，ri，ro ? 短路 rbe RB RC RL E B C + - RS RE 去掉CE后的 微变等效电路

56 分压式偏置电路 有旁路电容CE 无旁路电容CE Au减小 ri 提高 ro不变

57 对信号源电压的放大倍数？ RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 考虑信号源内阻RS 时 信号源

58 在图示放大电路中，已知UCC=12V, RC= 6kΩ,
RE1= 300Ω， RE2= 2.7kΩ， RB1= 60kΩ， RB2= 20kΩ RL= 6kΩ ，晶体管β=50， UBE=0.6V, 试求: (1) 静态工作点 IB、IC 及 UCE； (2) 画出微变等效电路； (3) 输入电阻ri、ro及 Au。 例1: RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE1 RL + +UCC ui uo – RE2

59 (1)由直流通路求静态工作点。 解: RB1 RC RB2 RE1 +UCC RE2 + – UCE IE IB IC VB 直流通路

60 (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 rbe
RC RL E B C + - RS RE 微变等效电路

61 15.5 放大电路的频率特性 在前面的分析中，设输入信号是单一频率的正弦波，但实际上，放大器的输入信号通常是非正弦的，由于耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等的存在，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。 频率特性 幅频特性：电压放大倍数的模|Au|与频率 f 的关系 相频特性：输出电压相对于输入电压的 相位移  与频率 f 的关系

62 耦合、旁路电容造成。 三极管结电容、 造成 |Au | | Auo | 0.707| Auo | 通频带 f fL fH 上限截止频率 f
幅频特性 上限截止频率 f –270° –180° –90° 相频特性  下限截止频率

63 由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大，故对中频段信号的容抗很小，可视作短路。
在中频段 由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大，故对中频段信号的容抗很小，可视作短路。 三极管的极间电容和导线的分布电容很小，可认为它们的等效电容CO与负载并联。由于CO的电容量很小，它对中频段信号的容抗很大，可视作开路。 rbe RB RC RL E B C + - RS 所以，在中频段可认为电容不影响交流信号的传送，放大电路的放大倍数与信号频率无关。 (前面所讨论的放大倍数及输出电压相对于输入电压的相位移均是指中频段的)

64 所以，在低频段放大倍数降低和相位移越前的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。
在低频段： 由于信号的频率较低，耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大，其分压作用不能忽略。以至实际送到三极管输入端的电压 比输入信号 要小，故放大倍数降低，并使 产生越前的相位移（相对于中频段）。 CO的容抗比中频段还大，仍可视作开路。 rbe RB RC RL E B C + - RS C1 C2 所以，在低频段放大倍数降低和相位移越前的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。

65 由于信号的频率较高，耦合电容和发射极旁路电容的容抗比中频段还小，仍可视作短路。
在高频段： 由于信号的频率较高，耦合电容和发射极旁路电容的容抗比中频段还小，仍可视作短路。 CO的容抗将减小，它与负载并联，使总负载阻抗减小，在高频时三极管的电流放大系数  也下降，因而使输出电压减小，电压放大倍数降低，并使 产生滞后的相位移（相对于中频段）。 rbe RB RC RL E B C + - RS Co 所以，在高频段放大倍数降低和相位移滞后的主要原因是三极管电流放大系数 、极间电容和导线的分布电容的影响。

66 15.6 射极输出器 es +UCC RB C1 C2 RS + ui uo RE RL –
因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。 因从发射极输出，所以称射极输出器。

67 es 15.6.1 静态分析 +UCC 直流通路 RB +UCC C1 IC C2 RB RS + IB ui UCE uo RE RL
静态分析 RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC 求Q点：

68 电压放大倍数Au1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。
动态分析 1. 电压放大倍数 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路 电压放大倍数Au1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。

69 2. 输入电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输入电阻高，对前级有利。 ri 与负载有关

70 射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。
3. 输出电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。

71 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 1. 电压放大倍数小于1，约等于1; 2. 输入电阻高； 3. 输出电阻低； 4. 输出与输入同相。

72 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
射极输出器的应用 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。 2. 因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。 3. 利用 ri 大、 ro小以及 Au 1 的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。

73 应用举例镍镉电池恒流充电电路 电池 R3 u2 Tr ~ 220V R2 S DZ + R5 R4 R1 – T 原理: 三极管工作
LED 电池 R3 u2 Tr D ~ 220V R2 S 50mA 100mA DZ 6V + R5 R4 R1 C – T 原理: 三极管工作 于恒流状态， 基极电位恒 为6V；调整 转换开关Ｓ 使充电电流 限制在50mA 和100mA; 性能: 正常充电时间 7小时左右;充 电电流为恒定 值；充电电流 大小由电池额定容量确定。

74 LED发光二极 管承受正向电 压导通发光, 发光强度与通 过的电流大小
有关。LED与R5串联后，接于R4 两端，R4两端电压的大小，反映充电电流的大小，LED发光的亮、暗指示S的位置, R5是LED的限流电阻,使通过LED的电流限制在一定数值。 LED 电池 R3 u2 Tr D ~ 220V R2 S 50mA 100mA DZ 6V + R5 R4 R1 C – T

75 es 在图示放大电路中，已知UCC=12V, RE= 2kΩ, 例1:
RB= 200kΩ， RL= 2kΩ ，晶体管β=60， UBE=0.6V, 信号源内阻RS= 100Ω，试求: (1) 静态工作点 IB、IE 及 UCE； (2) 画出微变等效电路； (3) Au、ri 和 ro 。 例1: RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS .

76 (1)由直流通路求静态工作点。 解: 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC

77 (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路

78 15.6 放大电路的三种组态 es 15.6.1 共基极放大电路 RB1 +UCC C1 C2 RB2 RL ui + – uo RS RE
CB 静态工作情况与共射相同

79 动态分析 1. 电压放大倍数 微变等效电路 rbe RL E B C + - RS RE RC 2. 输入电阻 输入电阻低

80 三种基本组态的比较 共射 共集 共基 组态 性能 差 较好 好 频率响应 几十~上百 大 小于、接近1 小 几十~几百 几百~几千欧 中
几十千欧以上 几欧~几十欧 几十~几百千欧 几百千欧~几兆 差 较好 好

81 多级放大电路及其级间耦合方式 输出 输入 耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。
第二级 推动级 输入级 输出级 输入 多级放大电路的框图 耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。 常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 静态：保证各级有合适的Q点 对耦合电路的要求 波形不失真 动态: 传送信号 减少压降损失

82 1. 阻容耦合 两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接 RB1 RC1 RB2 RE1 RS RC2 CE2 RE2 RL +UCC
– RS RC2 C3 CE2 RE2 RL +UCC T1 T2 信号源 第一级 第二级 负载

83 两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。
1. 静态分析 RB1 RC1 C1 C2 RB2 CE1 RE1 + – RS RC2 C3 CE2 RE2 RL +UCC T1 T2 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互不影响，可以各级单独计算。 两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。

84 微变等效电路 2. 动态分析 rbe RB2 RC1 E B C + - RS RC2 RL RB1 第一级 第二级

85 (1) 计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻；
例2: 如图所示的两级电压放大电路， 已知β1= β2 =50, T1和T2均为3DG8D。 (1) 计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻； (3) 求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。 RB1 C1 C2 RE1 + – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

86 解: (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。 第一级是射极输出器: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 +
RE1 + – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 第一级是射极输出器:

87 第二级是分压式偏置电路 解: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 + T2 C2 T1 510 RE1
– RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

88 第二级是分压式偏置电路 解: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 + T2 C2 T1 510 RE1
– RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

89 (2) 计算 r i和 r 0 微变等效电路 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。

90 (2) 计算 r i和 r 0 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _

91 (2) 计算 r i和 r 0 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _

92 (3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数
rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 第一级放大电路为射极输出器

93 (3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数
rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 第二级放大电路为共发射极放大电路 总电压放大倍数

94 15.7 差分放大电路 直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。 可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。 +UCC RC1 RC2
15.7 差分放大电路 直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。 可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。 +UCC uo RC2 T2 ui RC1 R1 T1 R2 – + RE2

95 零点漂移：指输入信号电压为零时，输出电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。 uo
直接耦合存在的两个问题： 1. 前后级静态工作点相互影响 2. 零点漂移 零点漂移：指输入信号电压为零时，输出电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。 uo t O 产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压 波动、电路元件参数的变化。

96 uZ – + +UCC uo RC2 T2 ui=0 RC1 R1 T1 R2 R DZ 已知：UZ=4V， UBE=0.6V，RC1=3k，RC2=500  ， 1= 2=50。 例： 温度升高前，IC1=2.3mA，Uo=7.75V。 若由于温度的升高 IC1增加 1%，试计算输出电压Uo变化了多少？ IC1 = 2.31.01 mA = mA UC1= UZ + UBE2 = V = 4.6 V

97 uZ – + +UCC uo RC2 T2 ui=0 RC1 R1 T1 R2 R DZ 已知：UZ=4V， UBE=0.6V，RC1=3k，RC2=500  ， 1= 2=50。 例： 温度升高前，IC1=2.3mA，Uo=7.75V。 IC2= 2• IC2 = 50  0.147mA = 7.35mA  Uo= 8.325－7.75V = 0.575V 提高了7.42% 可见，当输入信号为零时，由于温度的变化，输出电压发生了变化即有零点漂移现象。

98 零点漂移的危害： 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。 一般用输出漂移电压折合到输入端的等效漂移电 压作为衡量零点漂移的指标。 输出端 漂移电压 输入端等效 漂移电压 电压 放大倍数 只有输入端的等效漂移电压比输入信号小许多时，放大后的有用信号才能被很好地区分出来。

99 抑制零点漂移是制作高质量直接耦合放大电路的一个重要的问题。
由于不采用电容，所以直接耦合放大电路具有良好的低频特性。 通频带 f |Au | 0.707| Auo | O fH | Auo | 幅频特性 适合于集成化的要求，在集成运放的内部，级间都是直接耦合。

100 15.8 差分放大电路 15. 7. 1 差分放大电路的工作情况 差动放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。 +UCC uo ui1 RC
15.8 差分放大电路 差动放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。 差分放大电路的工作情况 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 ui2 + – T2 两个输入、两个输出 两管静态工作点相同 差动放大原理电路 电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。

101 1. 零点漂移的抑制 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 ui2 + – T2 静态时，ui1 = ui2 = 0 uo= VC1 － VC2 = 0 当温度升高时ICVC （两管变化量相等） uo= (VC1 + VC1 ) － (VC2 +  VC2 ) = 0 对称差分放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。

102 (1) 共模信号 ui1 = ui2 大小相等、极性相同
2. 有信号输入时的工作情况 +UCC uo RC RB2 T1 RB1 + – ui1 ui2 T2 + – + – + – 共模信号 需要抑制 (1) 共模信号 ui1 = ui2　大小相等、极性相同 两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。 差动电路抑制共模信号能力的大小，反映了它对零点漂移的抑制水平。

103 (2) 差模信号 ui1 = – ui2 大小相等、极性相反
2. 有信号输入时的工作情况 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 ui2 + – T2 + – + – + – 差模信号 是有用信号 (2) 差模信号 ui1 = – ui2　大小相等、极性相反 两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化， uo= (VC1－VC1 )－(VC2 + VC１ ) =－2 VC1 即对差模信号有放大能力。

104 (3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。 一对比较信号ui1 、ui2 可以看成是一对共模信号和一对差模信号的叠加。 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差分 放大电路。 式中

105 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差动 放大电路。
(3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差动 放大电路。 例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV 可分解成: ui1 = 8 mV mV ui2 = 8 mV － 2 mV 例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成: ui1 = 18 mV mV ui2 = 18 mV － 2 mV 共模信号 差模信号 这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。

106 3. 共模抑制比 （Common Mode Rejection Ratio) 全面衡量差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 差模放大倍数 共模抑制比 KCMR越大，说明差放分辨 差模信号的能力越强，而抑制 共模信号的能力越强。 共模放大倍数

107 若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数 Ac = 0
输出电压 uo = Ad （ui1 － ui2 ） = Ad uid 若电路不完全对称，则 Ac 0， 实际输出电压 uo = Ac uic + Ad uid 即共模信号对输出有影响 。

108 EE：用于补偿RE上的压降，以获得合适的工作点。
典型差分放大电路 +UCC uo ui1 RC RP T1 RB ui2 RE + – T2 EE RE的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。 EE：用于补偿RE上的压降，以获得合适的工作点。

109 动态分析 对于差模信号ui1= -ui2 +UCC RC uo 发射极RE上的电流 RB T2 T1 + RP ui2 ui1 RE
– T2 UEE 发射极RE上的电流 不随信号变化 在发射极长尾电阻上没有信号电流。 RE对差模信号不起反馈作用

110 三、 恒流源差动放大电路 在长尾电路中，发射极电阻RE对共模抑制起重要作用，它对共模信号构成电流串联负反馈，因此，为了提高共模抑制比，电阻值应取得越大越好，但对较大阻值的RE，要求很高的发射极电源（UEE），给电路构造带来困难。 希望找到一个静态电阻不是很高，但动态电阻很高的器件，晶体管的放大区正好符合这一条件。

111 实际恒流源一般采用晶体管构成。 恒流源 RB1 RB2 RE3 T3 -UEE Q rce3  1M T3 : 放大区 Uce3 uCE
+VCC -EE RC R RE T1 T2 uo ui1 ui2 RP RB1 RB2 RE3 T3 -UEE UCE3 IC3 Q rce3  1M T3 : 放大区 恒流源 IB3 Uce3 uCE iC

112 三、 恒流源差动放大电路 +UCC uo ui RC T1 R + – T2 -UEE

113 四、 差分放大电路的输入、输出接法 1.差分输入、双端输出 +UCC uo ui RC T1 R + – T2 -UEE

114 四、 差分放大电路的输入、输出接法 2.差分输入、单端输出 +UCC uo ui RC T1 R + – T2 -UEE

115 四、 差分放大电路的输入、输出接法 3.单端输入、双端输出 +UCC uo ui RC T1 R + – T2 -UEE 此时输入可当作一对比较信号处理。

116 15.8 互补对称功率放大电路 16.10.1 对功率放大电路的基本要求
15.8 互补对称功率放大电路 功率放大电路的作用：是放大电路的输出级，去推动负载工作。例如使扬声器发声、继电器动作、仪表指针偏转、电动机旋转等。 对功率放大电路的基本要求 (1) 在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。 (2) 由于功率较大，就要求提高效率。

117 晶体管的工作状态 iC t iC t iC t 甲类工作状态 IC 晶体管在输入信号 的整个周期都导通
UCE O Q iC t 乙类工作状态 晶体管只在输入信号 的半个周期内导通， 静态IC=0，波形严重失真, 管耗小效率高。 IC UCE O Q iC t IC UCE O Q iC t 甲乙类工作状态 晶体管导通的时间大于半个周期，静态IC 0，一般功放常采用。

118 互补对称放大电路 互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，由于省去了变压器而被称为无输出变压器(Output Transformerless)电路，简称OTL电路。若互补对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容(Output Capacitorless)电路，简称OCL电路。 OTL电路采用单电源供电， OCL电路采用双电源供电。

119 , IC1 0， IC2  0 1. OTL电路 RL uI T1 T2 +UCC C A uo + - (1) 特点
一个NPN型、一个PNP型 两管均接成射极输出器； 输出端有大电容； 单电源供电。 (2) 静态时(ui= 0) OTL原理电路 , IC1 0， IC2  0 电容两端的电压

120 (3) 动态时 设输入端在UCC/2 直流基础上加入正弦信号。 输入交流信号ui的正半周 RL ui T1 T2 A uo + - ic1 T1导通、T2截止； 同时给电容充电 uo 输入交流信号ui的负半周 ic2 T2导通、T1截止； 电容放电，相当于电源 交流通路 若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。

121 采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。
ui t O (4) 交越失真 当输入信号ui为正弦波时， 输出信号在过零前后出现的 失真称为交越失真。 交越失真产生的原因 由于晶体管特性存在非线性， ui < 死区电压晶体管导通不好。 uo t O 交越失真 克服交越失真的措施 　采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。

122 (5) 克服交越失真的电路 静态时T1、T2 两管发射结电压分别为二极管D1、D2的正向导通压降，致使两管均处于微弱导通状态。 动态时，设ui 加入正弦信号。正半周T2 截止，T1基极电位进一步提高，进入良好的导通状态。负半周T1截止，T2基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。 R1 RL uI T1 T2 +UCC C A uo + - R2 D1 D2

123 . 15.6 集成功率放大器 。 ui + uo 集成功放LM386接线图 +UCC 特点: 去耦，防止低频自激
15.6 集成功率放大器 集成功放LM386接线图 。 + ∞ . 3 2 ui _ 4 7 5 8 +UCC LM386 uo 特点: 工作可靠、使用方便。只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。 去耦，防止低频自激 使喇叭相当于纯电阻负载 消振，防止高频自激

124 场效应管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 按结构不同场效应管有两种: 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分

125 15.9.1 绝缘栅场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管 (1) N沟道增强型管的结构 源极S 栅极G 漏极D
绝缘栅场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管 (1) N沟道增强型管的结构 源极S 栅极G 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 SiO2绝缘层 金属电极 高掺杂N区 P型硅衬底

126 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。
漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 符号： G S D 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。

127 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。
S D EG P型硅衬底 N+ G S D + – UGS ED 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。

128 当UGS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；
(2) N沟道增强型管的工作原理 当UGS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； EG P型硅衬底 N+ G S D + – UGS ED 当UGS >UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 N型导电沟道

129 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。
(2) N沟道增强型管的工作原理 当UGS  UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 EG P型硅衬底 N+ G S D + – UGS ED N型导电沟道 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。

130 (3) 特性曲线 UDS ID/mA 恒流区 可变电阻区 开启电压UGS(th） UGS/ o UDS/V 无导电 有导电沟道 截止区 沟道
UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 恒流区 可变电阻区 开启电压UGS(th） UGS/ 无导电 沟道 有导电沟道 截止区 转移特性曲线 漏极特性曲线

131 增强型场效应管只有当UGS  UGS(th）时才形成导电沟道。
(4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 N型衬底 P+ 结构 符号： G S D 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS  UGS(th）时才形成导电沟道。

132 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 SiO2绝缘层中 掺有正离子 (1 ) N沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了N型 导电沟道

133 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 当UGS > 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS < 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。

134 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 转移特性曲线 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS<0 UGS>0 漏极特性曲线 ID/mA 16 20 12 4 8 夹断电压 IDSS UGS(off)

135 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 (3) P 沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有负离子 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道

136 G S D 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型 G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道

137 3. 场效应管的主要参数 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。

138 场效应管与晶体管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电
双极型三极管 单极型场效应管 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 电流控制 电压控制 控制方式 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 输入电阻 较低 较高 rce很高 rds很高 输出电阻 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D

139 15.9.3 场效应管放大电路 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。
场效应管放大电路 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。

140 15.9.3 场效应管放大电路 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + _ ui uo IS UGS 1.自给偏压式偏置电路
场效应管放大电路 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T _ ui uo IS UGS 1.自给偏压式偏置电路 T为N沟道耗尽型场效应管 UGS = –RSIS = –RSID 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 增强型MOS管因UGS=0时， ID 0，故不能采用自给偏压式电路。

141 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID;
静态分析可以用估算法或图解法( 略 ) +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T _ ui uo IS UGS 估算法： 列出静态时的关系式 UGS = – RSID 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD –ID(RD+ RS) 解出UDS 对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。

142 例：已知UDD =20V、RD=3k、 RS=1k、 RG=500k、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。
CS C2 C1 RD RG + T _ ui uo IS UGS 解：用估算法 列出关系式 UGS = – 1 ID 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 <UGS(off) 故舍去 ， 所求静态解为UGS = –2V ID=2mA、 UDS= 20 – 2（ ）= 12 V

143 uo ui 2. 分压式偏置电路 (1) 静态分析 估算法： 列出静态时的关系式 流过 RG 的电流为零
+ – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG RL ui uo 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS

144 二、 动态分析 电压放大倍数 RG G D + + - + - RD S - 微变等效电路图 输出电阻

145 交流通路 (2) 动态分析 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 RG1 RD RG2 RG + – RL S D G T RG RD RL S
- RG1 RG2 输入电阻 输出电阻

146 3. 源极输出器(共漏极放大电路） 交流通路 +UDD RS C2 C1 RG1 RG2 RG + – RL ui uo RG1 RS
T 交流通路 RG RS RL S D G + - RG1 RG2

147 1.电压放大倍数 RG RS RL S D G + - RG1 RG2 2.输入电阻

148 3.输出电阻 RG RS S D G + - RG1 RG2 特点与晶体管的射极输出器一样 例：有一源极输出器，已知： 试估算

149 解： RG RS S D G + - RG1 RG2