功率半导体器件.

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功率半导体器件

功率半导体器件的分类:  1、按可控性分类 (1)不控型器件 (2)半控型器件 (3)全控型器件 2、按驱动信号类型分类 (1)电流驱动型 (2)电压驱动型 功率半导体器件

关断时会出现瞬时反向电流和瞬时反向过电压。 §1-2 大功率二极管 一、 大功率二极管的结构 大功率二极管的内部结构与外部构成与晶闸管基本相同,只是少了一个可控的门极。 与普通二极管相比有延迟导通、关断现象。 关断时会出现瞬时反向电流和瞬时反向过电压。 反向恢复时间 trr: 普通2~5μS 快速 200-500nS 功率半导体器件

二、大功率二极管的伏安特性 功率半导体器件

三、大功率二极管的开通、关断特性 功率半导体器件

反向不重复平均电流IRS,反向重复平均电流IRR 4、正向平均电压UF 四、大功率二极管的主要参数 1、额定电流 IF 正向平均电流 2、额定电压 URRM 反向重复峰值电压 3、反向漏电流 反向不重复平均电流IRS,反向重复平均电流IRR 4、正向平均电压UF 五、大功率二极管的型号 ZP[电流]─[电压/100][ ] 功率半导体器件

§1-3 晶闸管 一、晶闸管的结构 结构:分为管芯及散热器两大部分。 方式: 分为螺栓型与平板型两种。 功率半导体器件

功率半导体器件

螺栓型:散热效果差,用于200A以下容量的元件 a)自冷 b)风冷 c)水冷 螺栓型:散热效果差,用于200A以下容量的元件 平板型:散热效果好,用于200A以上的元件 功率半导体器件

内部结构:四层(P-N-P-N) 三端(A、K、G) 功率半导体器件

1、 导通条件:正向阳极电压,正向门极电压。 关断条件:必须使阳极电流降低到某一数值之下(约几十毫安)。 二、晶闸管的工作原理 特点:正向阻断 反向阻断 1、 导通条件:正向阳极电压,正向门极电压。 关断条件:必须使阳极电流降低到某一数值之下(约几十毫安)。 2、 内部物理过程: 晶体管的集电极电流为另一只晶体管的基极电流→形成正反馈 功率半导体器件

晶闸管的阳极电流应为: K 功率半导体器件

Ia < IH(维持电流), α 1、α2均下降 K K点时, α 1+ α 2=1,Ig=0 导通后,Ig无影响 (3)关断 Ia < IH(维持电流), α 1、α2均下降 元件关断 功率半导体器件

三、 晶闸管的特性 1、晶闸管的阳极伏安特性 ① 正向阻断高阻区 ② 负阻区 ③ 正向导通低阻区 ④ 反向阻断高阻区 功率半导体器件

2、门极伏安特性 门极峰值功率 门极正向峰电流 门极平均功率 门极正向峰电压 确保触发:Ig > IGT, Ug > UGT 加反压< 10V,防止误触发 功率半导体器件

3、 晶闸管的开关特性 延迟时间 上升时间 反向阻断恢复时间 正向阻断恢复时间 功率半导体器件

1000V以下(100V一个等级),1000~3000V(200V一个等级) 四、 晶闸管的主要参数 1、额定电压UR 正反向重复峰值电压 UDRM = 0.8UDSM,URRM = 0.8 URSM 取UDRM和URRM中较小值,取整 1000V以下(100V一个等级),1000~3000V(200V一个等级) 选用器件时 UR=(2~ 3)UTM 功率半导体器件

2、通态平均电流(额定电流)IT(AV) 单相、工频、正弦半波、角度>170° 波形系数∶Kf=I/ IT(AV) =π/2 = 1.57 选择元件:有效电流 整流输出:平均电流 从平均电流找出相应波形的有效电流以保证不过热 选用器件时 IT(AV)=(1.5~ 2)IT/1.57 功率半导体器件

3、通态平均电压(管压降)UT(AV) 4、维持电流IH 几十mA,结温↑ IH↓(不易关断) 5、擎住电流IL 开通过程中,能维持导通的最小电流。IL=(2~4)IH 功率半导体器件

6、门极触发电流IGT与门极触发电压UGT 对触发电路要求,随温度变化。 7、电路换向关断时间tq 导通时有载流子存在。使载流子消失, 恢复正向阻断能力,tq > 40微秒以上。 功率半导体器件

8、断态电压临界上升率 du/dt Uak < UB0, Ic相当于Ig 9、通态电流临界上升率 di/dt di/dt过大→J↑  门极开路,使元件断→通的最小电压上升率 Uak < UB0, Ic相当于Ig 9、通态电流临界上升率 di/dt di/dt过大→J↑ 功率半导体器件

KP500-12 11、晶闸管的型号 P—普通, K—快速型,S—双向型,N—逆导型,G—可关断 KP[电流]─[电压/100][ ] 闸流特性 普通型 通态平均电流 正反向重复峰值电压 通态平均电压组别 KP500-12 功率半导体器件

五、晶闸管的派生器件 1、快速晶闸管(FST) 开通、关断时间:微秒级 使用频率可至几千赫芝 2、双向晶闸管(TRIAC) 功率半导体器件

3、逆导晶闸管(RCT) 4、门极可关断晶闸管(GTO) 门极加正向脉冲电流时导通 加负脉冲电流时能关断 功率半导体器件

作业∶ P. 42 习题 3 4 5 功率半导体器件