tSD简介 FORESEE tSD框架图 信号管理 控制器 NAND FLASH SD2.0 I/F 容量 4/8/16GB 接口 Data I/O 信号管理 控制器 NAND FLASH SD2.0 I/F FORESEE tSD框架图 容量 4/8/16GB 接口 SD 2.0, 向下兼容SD1.1, SD1.0 架构 高品质FLASH+控制器 温度范围 芯片存储温度:-45 ~85℃,芯片运行温度:-25 ~85 ℃ 先进功能 与MLC TSOP拥有相同封装、全盘均衡擦写，5000次掉电保护，高IOPS性能，接受用户定制功能。 封装尺寸 12mm x 20mm x 1.2mm, TSOP48 产品状态 量产

fSD介绍 FORESEE fSD Block Diagram fSD 是江波龙自主研发设计的嵌入式存储解决方案； Data I/O 信号控制l Controller NAND FLASH SD2.0 I/F FORESEE fSD Block Diagram fSD 是江波龙自主研发设计的嵌入式存储解决方案； 硬件不用做任何改动，完全兼容eMMC pin out设计； 采用153-ball FBGA封装,11.5mm x 13.5mm尺寸； 主流容量： 4~16GB； 核心优势：SLC+MLC架构，2万次掉电保护，高IOPS性能，接受用户定制功能； 应用市场： 直接替代eMMC，放置程序代码或存储； 高性能低成本。

fSD与eMMC区别 eMMC和fSD拥有相同封装，在PCB上采用一个封装可以兼容两种芯片。 两者硬件接口都是SDIO。 fSD相对eMMC少了高4bit数据线，其他BALL的管脚定义完全一样。 eMMC的interface是eMMC4.41，fSD的interface是SD2.0。 chipset端会在SDIO的驱动程序上同时支持eMMC和SD2.0，所以fSD可以和eMMC完美双layout。帮助客户增加一种存储备选方案。 eMMC正面 eMMC背面 fSD正面 fSD背面

eMMC简介 eMMC (Embedded Multi Media Card) 为MMC协会所订立的、主要是针对手机产品为主的内嵌式存储器标准规格。 eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得产品厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。 eMMC优势 1.简化存储器的设计。 eMMC目前是最当红的移动设备存储解决方案，目的在于简化存储器的设计，由于NAND Flash芯片有多个供应商，且每个供应商有多个不同的型号，用户没有精力去根据每家公司的产品和技术特性兼容和快速切换。而eMMC具有相同的软件和硬件接口，方便用户兼容和快速切换。 2.更新速度快。 每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，客户都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累产品新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗eMMC的概念，逐渐流行在市场中。 3.加速产品研发速度。 eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗芯片上，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。 FORESEE eMMC兼容其他品牌eMMC，拥有相同的软件和硬件接口，用户可以快速替换。

江波龙嵌入式芯片主要使用场合

tSD主要优势 tSD 优势主要体现在以下方面： 1、 大幅提升设备开机启动速度 􀁺 FORESEE tSD 特有的“SLC+MLC”模式，通过我司专有技术，可以将现有的MLC Flash自由切割为SLC+MLC Flash，被切割出来的SLC 容量部分，相对于MLC Flash，其读写速度更快，使用寿命更高，稳定性更强。 “SLC+MLC”模式可根据客户实际需求进行客制化，更贴心。 若将系统的核心启动部分放入到SLC 区域，在系统文件调用，充分发挥其高IOPS的特点，尤其是小文件的调用速度上都会有大幅提升，进而对设备的开机启动速度大幅提升。 2、 显著提高设备稳定性 FORESEE tSD 通过以下几点来保护数据的完整与安全，提升设备稳定性： 􀁺 采用高质量 MLC（2-bit/cell） Good-Die Flash：寿命测试和高低温极限环境下工作、存储测试中，均优于普通的MLC Flash； 􀁺 特有的“SLC+MLC”模式中SLC 区域专用于存放系统程序，相对于MLC Flash，使用寿命和稳定性可有近10 倍的提升，特别适合嵌入式系统频繁调用的特点。 􀁺 提供高效的硬件ECC 纠错能力，能很好解决高温下NAND 位反转带来数据错误的问题； 􀁺 先进的断电保护机制，防止读写过程中非法断电导致数据被破坏，避免设备死机等情形发生； 􀁺 先进的坏块管理（Bad Block Management）算法，更好地利用Flash 内的有效Block； 􀁺 更有效的全局均衡磨损（Global Wear Leveling）算法，大大延长Flash 的使用寿命。

3、 双LAYOUT，更多选择 FORESEE tSD 专利的pin out 定义，可完美实现与NAND Flash 的双layout。在不改变原有NAND Flash 的pin 脚定义的前提下，仅需引出8 根pin 脚，即可实现双layout，原则上不需要增加任何成本，即可多一重选择，保证性价比最优。 如下是FORESEE tSD 与NAND Flash 的pin 脚对应图。 （为提高稳定性，建议在26 号脚（SDIP）和SDGND 之间就近放置一个1uF 的电容，并在28 号脚（SDV33） 和SDGND 之间就近放置一个1uF 的电容。同时在40 脚（SDCLK）上串联一个0Ω电阻。）除此之外，FORESEE tSD 除了可与NAND Flash 进行双layout 外，还可同时与eMMC 进行三layout，为原使用eMMC 的用户提供更具性价比的替代存储方式。 4、 众多特色功能，提升用户体验 FORESEE tSD 除了增强区 （SLC+MLC 模式）外，还有隐藏区、防拷贝区、防删除区等特 色功能，可真针对不同需求客户进行贴心的客制化服务，提升终端用户的使用体验。（以 上内容需根据客户需求额外订制。）