COG課程導覽 一、課程目標: 二、課程對象: 三、授課時數: 3-1:COG製程原理及動作流程15 min 1-4:使學員瞭解COG製程之Defect Mode 二、課程對象: 2-1:LCM廠製程與設備工程師 2-2:對COG製程有興趣的同仁 三、授課時數: 3-1:COG製程原理及動作流程15 min 3-2:COG製程檢驗規範 10 min 3-3:COG製程之Defect Mode 5 min

TFT LCD Process Array Cell Module Module Assemble Test JI JI S/G FPC Kitting Laser Cut COG COG PCB Test SLC JBO MA

COG Process COG: Chip On Glass Purpose: Bonding Driver-IC with Cell Key Components: Cell ACF Driver IC (LSI)

Cell Cell Pad Bonding area

Driver IC MEC IC Input side (FPC/PCB) Output side (Cell) IC on Tray Gold Bump

Driver IC Gold bump profile Al Au Passivation Ti / W

ACF Introduction ACF: Anisotropic Conductive Film (異方向性導電膜) 目的: 主要組成: 垂直方向電氣導通 水平方向電氣絕緣 主要組成: 黏著劑 導電粒子

ACF Introduction Force Step 1 Step 2 IC ACF Cell Step 2 Each channel Conductive independently IC ACF Cell

ACF Introduction Hitachi ACF Separator Adhesive Conductive Type Thickness 23 ± 3 um Separator thickness 50 um Adhesive thickness 15 ± 2 um Conductive thickness 8 ± 1 um Width 1.5 ± 0.1 mm Length 100 m 50 m Particle size 3 ± 1 um Conductive Particles 44,000 ± 12,500 pcs/mm2 Connection resistance 5.0 Ω or less Insulation resistance 10E8 Ω or more 10E9 Ω or more Attach parameter 80℃/ 1MPa / 3s Mainbond parameter 190℃/ 100MPa / 10s 150℃/ 100MPa / 10s Expiration time(5 ℃/RT) 7 month / 30 days 4.5 month / 10 days

ACF Introduction Conductive Particle Bump (after bonding) Bump (before bonding) Bump (ACF cleaned)

COG Process ACF 反應率需達 80 % 以上 ACF Introduction COG Process ACF 反應率需達 80 % 以上

ACF Introduction 為何使用 AC-8623 (低溫) 解決 Tool Mura 問題

COG Process Flowchart 目的：將 Cell 傳送至機台內 工具：Loader/Tray/Cassette 製程參數：無 Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：清除 Cell 上壓著區異物 工具：無塵布/溶劑 (丙酮) 製程參數：尚未量化 Cell Loader 目的：清除 Cell 上壓著區異物 工具：無塵布/溶劑 (丙酮) 製程參數：尚未量化 Wet Clean Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：清除 Cell 上壓著區有機物 工具：UV unit 製程參數： Loader 目的：清除 Cell 上壓著區有機物 工具：UV unit 製程參數： 900 mJ/cm2 < 照射累積照度 < 1600 mJ/cm2 水滴角 < 30度 Wet Clean UV Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：將 ACF 預貼於 Cell 上 工具：ACF attach unit 製程參數： Loader 目的：將 ACF 預貼於 Cell 上 工具：ACF attach unit 製程參數： Wet Clean UV Clean AC-8601 AC-8623 溫度 80 ± 5 ℃ 壓力 1 MPa 時間 3 s ACF Attach ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：將 IC 預壓著於 ACF/Cell 上 工具：IC Prebond unit 製程參數： Loader 目的：將 IC 預壓著於 ACF/Cell 上 工具：IC Prebond unit 製程參數： Wet Clean UV Clean AC-8601 AC-8623 溫度 80 ± 5 ℃ 壓力 25 MPa 時間 0.3 s ACF Attach IC Prebond IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的： 工具：IC Prebond unit 製程參數 將 IC 壓著於 ACF/Cell 上 Loader 目的： 將 IC 壓著於 ACF/Cell 上 加熱ACF, 使ACF進行硬化反應 工具：IC Prebond unit 製程參數 Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond AC-8601 AC-8623 溫度 190 ± 5 ℃ 150 ± 5 ℃ 壓力 125 Mpa 廠商建議 100 Mpa 時間 10 s IC MainBond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：將 Cell 傳送至機台外 工具：Unloader/Tray/Convey 製程參數：無 Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Cell Unloader Visual Inspection

COG Process Flowchart 目的：檢查 IC 壓著是否合乎標準 工具：顯微鏡 製程參數：無 Cell Loader Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection Visual Inspection

COG Process Criteria 外觀 ACF貼附 IC壓痕 IC壓著精度

COG Criteria (外觀) TFT/CF 偏光板 IC 玻璃破損比照Cell Kitting規格 顯示區內不可有壓、刺傷 IC IC背部不可有裂痕

COG Criteria (ACF貼附) Case 1 Case 2 貼附標準：ACF上緣必須位於 Upper/Lower Limit 之間 MARK2 Case 1 MARK1 ACF上緣上限/ACF upper limit ACF上緣下限/ACF lower limit ACF MARK1' Case 2 MARK1 ACF上緣上限/ACF upper limit ACF上緣下限/ACF lower limit ACF 貼附標準：ACF上緣必須位於 Upper/Lower Limit 之間 貼附精度：± 100 um

COG Criteria (ACF貼附) Source-Side Gate-Side Gate-Side No limit mark

COG Criteria (ACF貼附) Driver IC 貼附標準：ACF必須完全覆蓋 AUL 及 ALL 貼附精度：± 100 um Center 0.5A -650 um 650 um Driver IC 貼附標準：ACF必須完全覆蓋 AUL 及 ALL 貼附精度：± 100 um

COG Criteria (ACF貼附) 導 角 Cell A D B C Color Filter

COG Criteria (壓痕) 電極上的導電粒子壓痕至少5個 兩個Bump之間不能互相接觸 以金屬顯微鏡觀察IC的壓著區不可有異物

COG Criteria (壓著精度) L L :145 um W :75 um A :50 um B :12.5 um C :20 um 壓著標準：Bump不可接觸 到灰色區域，且兩顆bump 不可互相接觸 壓著精度：± 12.5 um

COG Criteria (壓著精度) Input side (FPC/PCB) MEC IC Output side (Cell)

COG Defect Mode FC1 IC 異物 FC2 IC 壓痕不良 FC3 ACF 貼附不良 FC4 IC 對位偏移 FC5 X-IC 異物 X-IC壓痕不良 COG ACF 貼附不良 X-IC 對位不良 IC 厚度不均 X-IC 電測不良 IC 破裂/刮傷 X-IC BUMP 不良 Y-IC 異物 Y-IC壓痕不良 Y-IC 對位不良 Y-IC 電測不良 Y-IC BUMP 不良 FC11 FC21 FC3 FC41 FC5 FC61 FC7 FC81 FC12 FC22 FC42 FC62 FC82 FC1 IC 異物 FC2 IC 壓痕不良 FC3 ACF 貼附不良 FC4 IC 對位偏移 FC5 IC 厚度不均 FC6 IC 電測不良 FC7 IC 破裂/刮傷 FC8 IC BUMP不良

FC1 – IC 異物 FC11：X-IC 異物 FC12：Y-IC 異物 狀況描述： 於 IC 壓著區內有異物 發生原因： OP 吸取 IC 時污染 環境 particle 污染 IC

FC2 – IC 壓痕不良 FC21：X-IC 壓痕不良 FC22：Y-IC 壓痕不良 狀況描述： 區塊性 Bump 無導電粒 子壓痕 發生原因： IC 背部異物殘留 本壓頭異物殘留 ACF溢膠 (Bump含膠不足)

FC3 – COG ACF 貼附不良 FC3：ACF 貼附不良 狀況描述： 過短 ACF 貼附過短 ACF 貼附位置異常 ACF 未貼上 發生原因： 鐵氟龍未裝好 Roller/clamp殘膠/不潔 切刀不利 Sensor 位置異常 Color filter凸角過 ACF是否過期/異常 過短 無壓痕

FC4 – IC 對位偏移 FC41：X-IC 對物偏移 FC42：Y-IC 對物偏移 狀況描述： IC 壓著位置未符合規範 發生原因： 石英Backup位置異常/ 鬆動/高度異常 IC Mark 辨識不良 本壓平坦度不佳 ACF 貼附不良 異常使用強制對位

FC5 – IC 厚度不均 FC5：IC 厚度不均 狀況描述： IC 厚度左右不均，導致 壓痕不良 發生原因： IC 進料品質不良 A B Driver IC A, B厚度不均

FC6 – IC 電測不良 FC61：X-IC 電測不良 FC62：Y-IC 電測不良 狀況描述： IC 機能不良導致顯示 異常 發生原因： 壓/刺傷

FC7 – IC 破裂/刮傷 FC7：IC 破裂/刮傷 狀況描述： IC 外觀 發生原因： IC 品質不良 IC 於生產過程中遭 壓/刺傷

FC8 – IC Bump 不良 FC81：X-IC Bump 不良 FC82：Y-IC Bump 不良 狀況描述： 子壓痕，或少於五顆導 電粒子壓痕 發生原因： 單一 Bump 高度太高/ 太低