模拟电子技术基础 李思光

第一章 常用半导体器件 § 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3 双极型晶体管 § 1.4 场效应管

§1.1 半导体的基础知识 一、本征半导体 1、导体、半导体和绝缘体 纯净的具有晶体结构的半导体 1、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体（电阻率10-6～10-3㎝）。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英（电阻率109～1020㎝） 。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等（电阻率10-3～109㎝） 。

半导体导电特性： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化－－热敏性或光敏性。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变－－掺杂性。

本征半导体原子结构 硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。

本征半导体晶体结构 共价键，共用一对价电子。

2、本征半导体的导电机理 载流子、自由电子和空穴 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 运载电荷的粒子称为载流子。

本征半导体的导电机理 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。

本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电子电流。 2. 空穴移动产生的空穴电流。 电子空穴对的复合：自由电子能量损失，被空穴俘获，成对消失。最终热激发和复合达到动态平衡 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。

二、 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质（元素）得到。根据掺入其他元素的不同分为 N 型半导体： 掺入元素： 少数载流子：（原因） 多数载流子： P 型半导体： 掺入元素： 少数载流子： 多数载流子：

杂质半导体的示意表示法 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 + － P 型半导体 + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。

三、 PN结 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 扩散运动： 漂移运动：

三、 PN结 空间电荷区（耗尽层、势垒区） 扩散运动与漂移运动达到动态平衡

2、 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。

（1）PN 结正向偏置---正向导通 形成较大正向电流，PN结压降只有0.6~0.8V硅（锗0.1~0.3V），正向电阻小

（2）PN 结反向偏置---反向截止 形成很小反向电流，很大的反向电阻

3、 PN结的电流方程 理论分析表明： 其中： 称为温度电压当量。 称为反向饱和电流。 称为正向特性。 称为反向特性。

4、伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性：

5、 PN的极间电容 PN结存在有电容，此电容由两部分组成：势垒电容Cb和扩散电容Cd。

5、 PN结的电容效应 PN结存在有电容，此电容由两部分组成：势垒电容Cb和扩散电容Cd。 扩散电容： PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 。 结电容：

PN结高频小信号时的等效电路： rd Cb在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 势垒电容和扩散电容的综合效应 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！

1.2 半导体二极管 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 二极管的几种外形 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光

点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。

1.2.2二极管的伏安特性 一、二极管和PN结伏安特性的区别 二极管方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 击穿电压 反向饱和电流 开启电压 二极管方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA

二、温度对二极管伏安特性的影响-温度敏感 1.温度每升高1℃，正向压降减小2～2.5mV； 2.温度每升高10℃，反向电流约增大一倍；

1.2.4二极管的等效电路 在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称为二极管的等效模型。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.理想二极管等效电路 2.理想二极管与恒压源串联的等效电路 3.折线等效电路

1. 将伏安特性折线化 应根据不同情况选择不同的等效电路！ ？ 管压降折线模型--------内阻 理想 二极管 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 管压降模型 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 ？ 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 100V？5V？1V？

二、 微变等效电路 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 Q越高，rd越小。 静态电流

二极管的应用举例1：二极管半波整流 RL ui uo ui uo t

二极管的应用举例2： t ui uR uo R RL ui uR uo

1.2.3二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 2. 反向击穿电压U(BR) 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。

3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 最高工作频率fM 二极管的上限频率

讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 对V和Ui二极管的模型有什么不同？ V与uD可比，则需图解： ID 实测特性 Q uD=V－iR UD

1.2.5、稳压二极管 1. 伏安特性 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 限流电阻 1. 伏安特性 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 斜率？ 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！

二、 稳压管的主要参数 （1）稳定电压UZ （2）电压温度系数U（%/℃） 表示温度每变化1 ℃稳压值的变化量。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗

要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。 负载电阻 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压二极管的应用举例 稳压管的技术参数: 要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。 负载电阻 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 ——方程1

uo iZ DZ R iL i ui RL 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 联立方程1、2，可解得：

1.2.6 其它类型二极管 一、 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。

二、 光电二极管 是一种远红外接收管，光能与电能进行转换的器件。反向电流随光照强度的增加而上升。

外加反向电压，无光照时的反相电流---暗电流 在反向电压下受到光照而产生的电流---光电流（受入射照度的控制） 无光照，普通二极管 光电池特性 外加反向电压，无光照时的反相电流---暗电流 在反向电压下受到光照而产生的电流---光电流（受入射照度的控制） 照度一定时，光电二极管可等效成恒流源。照度愈大，光电流愈大，光电流大于几十微安时与照度呈线性关系。 应用：遥控、报警及光电传感器中。

其他特殊二极管 变容二极管（PN结势垒电容）：电子调谐、频率自动控制、调频调幅、调相和滤波 B910 变容二极管（PN结势垒电容）：电子调谐、频率自动控制、调频调幅、调相和滤波 隧道二极管（高掺杂材料的PN结隧道效应）：振荡、过载保护 肖特基二极管（利用金属与半导体之间的接触势垒而制成。正向导通压降小）：微波混频、检测 1N60

例题

思考题

§1.3 双极型晶体管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数

BJT---Bipolar Junction Transistor 两种载流子参与导电，称之为双极型三极管（半导体三极管、晶体管） 为什么有孔？ 小功率管 大功率管 中功率管

一、晶体管的结构及类型 在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，构成三极管。 集电极 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型 b e c 集电区：面积大 N P P N 基区：很薄且掺杂浓度很低 基极 发射区：掺杂浓度很高 制造工艺特点 具有放大作用的外部条件 发射极

b e c N P 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 晶体管有三个区、 两个PN结、三个极。

二、 晶体管的电流放大作用 c N b VCC P Rb e IE VBB 1、晶体管内部载流子的运动 IBN 外部条件：发射结正偏，发射结反偏 b e c N P 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 VCC IBN IE Rb 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电子流IEN 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电子流。 VBB

IC=ICN+ICBOICN b e c N P ICN VCC IE RB VBB IBN IE RB VBB

2、晶体管的电流分配关系 IE= IEN +IEP IB= IBN -ICBO IEN= IBN +ICN= IB +IC IC=ICN+ICBO ICN

3、晶体管的共射电流放大系数 ICN与IBN 之比称为电流放大倍数 穿透电流 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。

晶体管的共基电流放大系数 交流电流放大系数

三、晶体管的共射特性曲线 IC 实验线路 mA IB A VCC V Rb V UCE UBE VBB

1、输入特性曲线 IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE =0.5V UCE=0V UCE 1V 工作压降： 硅管UBE0.6~0.8V,锗管UBE0.1~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。

问题 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大曲线右移？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

2、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A UCE(V) 3 6 9 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 UCE(V) 3 6 9 12

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE<0.3V称为饱和区。

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE< 死区电压，称为截止区。

输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC =  IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCES0.3V (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 　　　　　即：UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0

当VBB= = -2V时： IC最大饱和电流： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 例： =50， VCC =12V， Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当VBB= = -2V时： IC最大饱和电流： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区

IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 例： =50， VCC =12V， Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =2V时： IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。

IC> Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是的关系） 例： =50， VCC =12V， Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =5V时: IC> Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是的关系）

四、温度对晶体管特性及参数的影响 1、温度对ICBO的影响 2、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高10℃， ICBO增加约一倍；反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 2、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高1℃， UBE大约下降2～2.5mV。

3、温度对输出特性的影响 温度升高1℃， 增加0.5～1％。 IC

五、晶体管的主要参数 1. 电流放大倍数和  前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 1. 电流放大倍数和  前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：

例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理： =

2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 A ICBO

3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO= (1+ ) ICBO C  ICBO N B P N IEP E 根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流 ICBO 。 ICBO进入N区，形成IEP E

4.集电极最大电流ICM 5.集-射极反向击穿电压 集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。

6. 集电极最大允许功耗PCM IC ICM ICUCE=PCM PC =ICUCE PCPCM UCE U(BR)CEO 安全工作区 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： IC UCE ICM ICUCE=PCM PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 U(BR)CEO PCPCM

7. 特征频率fT 　　电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率。

例题1.3.1

例题1.3.2 2

六、光电三极管 原理：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 功能：等同于一直光电二极管与一只晶体管相连，仅引出集电极与发射极。 暗电流：没有光照时的集电极电流ICEO。比光电二极管的暗电流约大两倍。温度每上升25oC，ICEO上升10倍。 光电流：有光照时的集电极电流ICEO,uCE足够大时，iC几乎仅仅取决于入射光强。

讨论一 uCE=1V时的iC就是ICM 2.7 U（BR）CEO 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。

讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性

讨论三 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线，称为电压传输特性。

§1.4 场效应管--FET 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析

§1.4 场效应管--FET FET控制原理：利用输入回路的电场效应来控制输出回路电路。是电场控制器件。 特点： 单极型晶体管（一种载流子参与导电），体积小，重量轻，寿命长。高输入阻抗，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗低 种类： 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管IGMOS 耗尽型场效应管和增强型场效应管

一、 结型场效应管 结构符号： d g s N沟道和P沟道两种 在同一块N型半导体上制作两个高掺杂P型区，连接在一起引出电极称为栅极（g），N型半导体的两端分别引出电极，一个称为漏极（d），一个称为源极（s）。漏极与源极之间的非耗尽层区域称为导电沟道。 d漏极 P+ g栅极 d g s s源极

实际结构

一、 结型场效应管 1、结型场效应管的工作原理 符号：N沟道结型 N沟道结型场效应管 D漏极 D D N G(栅极) G G P S S

符号：P沟道结型 P N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S

UDS=0V时 以P沟道为例分析 P G S D UDS UGS PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ID N N

但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 UDS=0V时 UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 P G S D UDS UGS N ID N

UGS达到一定值时（夹断电压UGS（off） ）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS  0V，漏极电流ID=0A。 P UDS N G UGS S

UGS< UGS（off）且UDS>0、UGD< UGS（off）时耗尽区的形状 越靠近漏端，PN结反压越大 P G S D UDS UGS ID N

UGS< UGS（off）且UDS较大时UGD< UGS（off）时耗尽区的形状 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 P G S D UDS UGS ID N

UGS< UGS（off） UGD= UGS（off）时 漏极的沟道被夹断，称为予夹断。 G S D UDS UGS ID UDS增大则被夹断区向下延伸。 N

UGS< UGS（off） UGD= UGS（off）时 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 G S D UDS UGS ID N

1.输出特性曲线 二、结型场效应管的特性曲线 夹断区 ID U DS 5V 4V 恒流区 3V 2V 可变电阻区 1V UGS=0V 一定UGS下的ID-UDS曲线 二、结型场效应管的特性曲线 夹断区 ID U DS 予夹断曲线 可变电阻区 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 恒流区

2.转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 ID IDSS UGS（off） UGS 夹断电压 饱和漏极电流

N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 ID IDSS UGS（off） UGS

N沟道结型场效应管的特性曲线 输出特性曲线 ID U DS UGS=0V -1V -3V -4V -5V

结型场效应管的缺点： 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。

1.4.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N G S D 金属铝 G S D 两个N区 P型基底 SiO2绝缘层 导电沟道 1.4.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N G S D 金属铝 G S D 两个N区 P型基底 SiO2绝缘层 导电沟道 N沟道增强型

P N G S D G S D 予埋了导电沟道 N 沟道耗尽型

G S D N P G S D P 沟道增强型

N P G S D G S D 予埋了导电沟道 P 沟道耗尽型

二、MOS管的工作原理 ID=0 以N 沟道增强型为例 UGS=0时 UDS UGS 对应截止区 P N G S D D-S 间相当于两个反接的PN结

UGS>0时 感应出电子 UGS足够大时（UGS> UGS(th) ）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 P N G S D UDS UGS 感应出电子 UGS(th)称为开启电压

UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N G S D UDS UGS

当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 P N G S D UDS UGS 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。

UDS增加，UGD= UGS(th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 P N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID

三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 ID UGS UGS(th)

输出特性曲线 ID U DS UGS>0

四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 ID 转移特性曲线 UGS UGS(th)

输出特性曲线 ID U DS UGS>0 UGS=0 UGS<0

一、场效应管（以N沟道为例） 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 1. 结型场效应管 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 栅极 漏极 源极 结构示意图 符号 导电沟道

栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道消失称为夹断 沟道最宽 沟道变窄 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 沟道消失称为夹断 沟道最宽 沟道变窄 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？

漏-源电压对漏极电流的影响 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ 预夹断 uGD>UGS（off） uGD＝UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？

转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） 漏极饱和电流 夹断电压

输出特性 低频跨导： 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） IDSS iD几乎仅决定于uGS 可变电阻区 g-s电压控制d-s的等效电阻 恒 流 区 ΔiD 击 穿 区 夹断电压 低频跨导： 夹断区（截止区） 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。

2. 绝缘栅型场效应管 增强型管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 大到一定值才开启 衬底 2. 绝缘栅型场效应管 大到一定值才开启 增强型管 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 SiO2绝缘层 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。

uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 增强型MOS管uDS对iD的影响 刚出现夹断 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？

耗尽型 MOS管 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 加正离子 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。

MOS管的特性 1)增强型MOS管 开启电压 2)耗尽型MOS管 夹断电压

利用Multisim测试场效应管的输出特性 从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点？