LED基础知识.

Slides:



Advertisements
Similar presentations
发光二极管的制作 —— 岑松原. 发光二极管的制作 实验目的 实验原理 实验仪器 实验内容 思考练习.
Advertisements

2.8 函数的微分 1 微分的定义 2 微分的几何意义 3 微分公式与微分运算法则 4 微分在近似计算中的应用.
第02章 常用光辐射源 讨论:研究光辐射源的意义 光电探测系统的基本组成:
大功率白光LED特性测量.
湘能华磊光电股份有限公司 TOP LED CHIP LED Sideview.
宁波市环球光电股份有限公司 总工程师 茆学华
通信用光器件 通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型。
LED 新技術、發展 陳詠升.
发光二极管(LED) 产品简介.
实验四 利用中规模芯片设计时序电路(二).
课程小论文—— 发光二极管LED的驱动与应用
模拟电子技术基础 第二讲 主讲 :黄友锐 安徽理工大学电气工程系.
照明工程 信电学院:谢秀颖 电话:
->>乳源高级中学通用技术<<-
第1章 光的基础知识及发光源.
大学物理实验 硅光电池特性的研究 技术物理系.
§5 微分及其应用 一、微分的概念 实例:正方形金属薄片受热后面积的改变量..
光电倍增管及发光二极管特性测试 实验目的 实验仪器 实验原理 实验内容 思考题.
白光LED 白光發光二極體(Light Emitting Diode,LED),具有無污染、長壽命、耐震動和抗衝擊的鮮明特點 。
Presenter: 宫曦雯 Partner: 彭佳君 Instructor:姚老师
光学谐振腔的损耗.
绿 创造 色生活 浙江博方新材料有限公司
Geophysical Laboratory
發光二極體 發光二極體(Light Emitting Diode,LED),是一種半導體元件。
第2期 第1讲 电源设计 电子科技大学.
概 述 一、门电路的概念 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路 与 非 门 或 非 门 异或门 与或非门 与 非 与 与 门 或 门
『綠色』光彩 主講人: 張議聰 老師.
激光二极管的辐射强度空间分布及半值角的测量
Chapter VII Semiconductor Lasers 参考书:《激光原理及应用》,陈鹤鸣,赵新彦著,电子工业出版社
实验六 积分器、微分器.
CPU结构和功能.
4 、晶体管最大耗散功率PCM 1)耗散功率和最高结温 (1)耗散功率 分别表示直流供电功率,输出功率和耗散功率 为转换效率,有下式成立
第一章 半导体材料及二极管.
第二章 双极型晶体三极管(BJT).
第8章 静电场 图为1930年E.O.劳伦斯制成的世界上第一台回旋加速器.
第三章 辐射 学习单元2 太阳辐射.
Positive gate bias-Induced Reliability in IGZO TFT
看一看,想一想.
DV-830-3系列50米点阵式红外摄像机.
基准物质(p382,表1) 1. 组成与化学式相符(H2C2O4·2H2O、NaCl ); 2. 纯度>99.9%; 3. 稳定(Na2CO3、CaCO3、Na2C2O4等) 4. 参与反应时没有副反应.
从物理角度浅谈 集成电路 中的几个最小尺寸 赖凯 电子科学与技术系 本科2001级.
10.2 串联反馈式稳压电路 稳压电源质量指标 串联反馈式稳压电路工作原理 三端集成稳压器
实验4 三相交流电路.
K60入门课程 02 首都师范大学物理系 王甜.
低温锂离子电池应用介绍.
超越自然还是带来毁灭 “人造生命”令全世界不安
LED伏安特性(V-I)测试 大连民族学院物理与材料工程学院.
激光器的速率方程.
Multimedia Courseware of High Frequency Electronic Circuits
光合作用的过程 主讲:尹冬静.
PowerPoint 电子科技大学 半导体器件的图测方法.
125H201—无卤阻燃热缩管 ≥1014 Ω.cm 技术指标 规格表-1 产品介绍 产品特点 性能 指标 试验方法
第18 讲 配合物:晶体场理论.
电路原理教程 (远程教学课件) 浙江大学电气工程学院.
利用DSC进行比热容的测定 比 热 容 测 量 案 例 2010.02 TA No.036 热分析・粘弹性测量定 ・何为比热容
光學電工程導論 .主題:照明科技-效應 電機二丙 陳世宸.
例题2-15讲解 主讲人 束美其.
实验一 单级放大电路 一、 实验内容 1. 熟悉电子元件及实验箱 2. 掌握放大器静态工作点模拟电路调试方法及对放大器性能的影响
热力学第一定律的应用 --理想气体等容过程、定容摩尔热容 --理想气体等压过程 、定压摩尔热容.
稳压二极管及其它二极管 西电丝绸之路云课堂 孙肖子.
§17.4 实物粒子的波粒二象性 一. 德布罗意假设(1924年) 波长 + ? 假设: 实物粒子具有 波粒二象性。 频率
LCS之自由电子激光方案 吴钢
THERMOPORT 20 手持式温度表 THERMOPORT系列手持温度表基于所用技术及对实际应用的考 虑,确立了新的标准。
监 测 继 电 器 EMR4.
FH实验中电子能量分布的测定 乐永康,陈亮 2008年10月7日.
本底对汞原子第一激发能测量的影响 钱振宇
常用半导体器件原理(2) ---PN结 西电丝绸之路云课堂 孙肖子.
B12 竺越
2.5.3 功率三角形与功率因数 1.瞬时功率.
9.6.2 互补对称放大电路 1. 无输出变压器(OTL)的互补对称放大电路 +UCC
Presentation transcript:

LED基础知识

LED的发光原理 LED的光、色、电特性 LED的种类 LED的特点 白光LED的实现 LED的应用 LED的发展和应用前景

LED是什么?

LED是“light emitting diode”的英文缩写。 中文名:发光二极管。 LED是一种将电能转换为光能的固体电致发光(EL) 半导体器件。 LED实质性核心结构是由元素谱中的Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族化合物材料构成的p-n结。

LED是如何诞生的? 它有怎样的发展历程?

1907年,Henry Joseph Round在观测金刚砂(SiC) 电致发光的现象时,初次观察到了无机半导体的发光现象。但因为无机半导体发出的黄光太过暗淡,他很快就放弃了这方面的研究。 到20世纪20年代,德国科学家O.W.LOSSOW在研究SiC检波器时,再次观察到这种现象,但当时受到材料制备和器件工艺水平的限制,没有被迅速利用。 1962年,GE公司Nick Holonyak带领的一个团队成功演示出第一个红光GaAsP发光二极管,仅6年后,Monsanto(孟山都)研发的指示灯以及Hewlett-Packard(IBM)研发的电子显示屏就将商业化LED推向了市场。 1965年仅0.1LM/W ,指示灯 1968年,人们通过N掺杂工艺,使GaAsP LED的发光效率达到1lm/w,并出现了橙色光和黄色光。真正具有了商业价值。 到20世纪80年代,使用AlGaAs(砷镓化铝)的第一代超亮LED诞生。产品首先是红色、然后是黄色,最后是绿色。应用领域多 到20世纪90年代,日本东芝公司和美国的HP公司,先后研发成功双异质结与多量子阱结构的橙色和黄色InGaAlP(铟镓铝化磷)的组合又被用来生产超亮红色、桔色、黄色及绿色LED. 20世纪90年代中期,日本的日亚(NICHIA)公司和美国的CREE公司,分别在蓝宝石和SIC衬底上成功研发了超亮蓝光GaN(氮化镓)LED,高亮度绿光、紫光及蓝光InGaN(氮化铟镓)LED随后也研发成功。

医疗设备、全彩大屏幕显示屏、小尺寸LCD背光源、手机背光照明、景观装饰照明、闪光灯、应急灯、警示灯、标志灯 发展阶段 年份 发展进程 发光效率(lm/w) 应用领域 指 示 应 用 1962 GaAsP红光LED(样品) < 0.1 指示灯 1965 GaAsP红光LED 0.1 1968 GaAsP红、橙、 黄光LED 0.2 1970-1980 GaAsP高效红、黄光、 GaP绿、红光 1 指示灯、计算器、数字手表 信号 显示 1980-1985 AlGaAs橙黄、 绿、红光LED 5 室外信号显示、条形码系统、光电传导系统 1986-1992 InGaAlP红、绿、橙红、橙黄、橙、黄色LED 10 室外显示屏、交通信号灯、汽车 全彩应用 普通照明 1993-1994 InGaN绿、蓝光LED,GaN蓝光LED 15 医疗设备、全彩大屏幕显示屏、小尺寸LCD背光源、手机背光照明、景观装饰照明、闪光灯、应急灯、警示灯、标志灯 1997 白光LED(蓝光芯片+YAG荧光粉) 2000 InGaAlPGaAs、 InGaNSiC彩色LED >30 2005 >50 2007-2009 功率级白光LED >100

LED如何发光?

物体发光 有哪些方式?

物体的 发光方式 热光 冷光 白炽灯:当钨丝在真空或是惰性气体中加热至很高的温度,就会发出白光。 生物发光:萤火虫 化学发光:荧光粉 :又叫热辐射,是指物质在高温下发出的光。 冷光 热光 物体的 发光方式 生物发光:萤火虫 化学发光:荧光粉 阴极射线发光:荧光灯、 金卤灯 场致发光:无极灯 电致发光:LED :某种能源在较低温度时所发出的光。发冷光时,某个原子的一个电子受外力作用从基态激发到较高的能态。由于这种状态是不稳定的,该电子通常以光的形式将能量释放出来,回到基态。

电致发光原理:电场的作用激发电子由低能态跃迁到高能态,当这些电子从高能态回到低能态的时候,根据能量守恒原理,多余的能量将以光的形式释放出来。

目前发光二极管用的都是直接带隙材料 Si GaAs

直接带隙材料中,电子与空穴复合时,其发光跃迁(Radiative Transition)有以下可能性: (3)在能带势能波动区,局部束缚激子的复合 Ec Ev 导带 价带 (1)带间复合 Eg 导带 价带 (2)自由激子相互抵消 图(1)和(2)是一般AlGaInP红光LED产生光的原理,而图(3)是AlGaInN蓝光LED产生光的原理.

LED自发性的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。 当LED两端加上正向电压,电流从LED阳极流向阴极时,半导体中的少数载流子和多数载流子发生复合,放出过剩的能量而引起光子发射,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光。

光子 E

LED为什么会发 不同颜色的光?

光的本质是什么?

光是一种能量的形态,是一种电磁波。 在同一介质中,能量从能源出发沿直线向四面八方传播,这种能量传递的方式通常叫做辐射。 通常可以用波长来表达人眼所能感受到的可见光的辐射能量。

人眼所能见的可见光的光波只占宽阔的电磁波谱家族中的很小空间。

各种颜色光的波长 光色 波长λ(nm) 代表波长 红(Red) 780~630 700 橙(Orange) 630~600 620 黄(Yellow) 600~570 580 绿(Green) 570~500 550 青(Cyan) 500~470 500 蓝(Blue) 470~420 470 紫(Violet) 420~380 420

光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即  λ≈1240/Eg(mm) 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量,大小为禁带宽度Eg。 Eg越大,所发出的光子波长就越短,颜色就会蓝移。反之, Eg越小,所发出的光子波长就越长,颜色就会红移。 若要产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应该在1.59~3.26 eV之间。 在此能量范围之内,带隙为直接带的Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料只有GaN、 GaP等少数材料,也可以利用Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族二元化合物组成新的三元或四元Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族固溶体,通过改变固溶体的组分来改变禁带宽度与带隙类型。

材料不一样,电子和空穴复合的能量不一样,发出的光也不一样。 红、黄光芯片的主要材料:AlGaInP、 GaAlAs 光的颜色与芯片的材料有关系。 材料不一样,电子和空穴复合的能量不一样,发出的光也不一样。 红、黄光芯片的主要材料:AlGaInP、 GaAlAs 蓝、绿光芯片的主要材料:GaN、 InGaN 窗口层 P-限制层 N-限制层 活性层 布拉格反射层 衬底

LED的主要 参数与特性

 LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的特性: (1)电学特性 (2)光学特性 (3)热学特性

电 学 特 性 I-V特性 响应时间 允许功耗

LED的伏-安(I-V)特性 (1) LED的伏-安(I-V)特性是流过芯片PN结电流随施加到PN结两端上电压变化的特性,它是衡量PN结性能的主要参数,是PN结制作优劣的重要标志。 (2)LED具有单向导电性和非线性特性。

IF 反向死区 VB 死区电压 正 向 工 作 区 击穿区 正向电流

对LED较为重要的电学参数 开启电压UON 正向电流IF 正向电压VF 反向电压VR

正向工作电流IF:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 B C E 正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。小功率彩色LED一般是在IF=20mA时测得的,正向工作电压VF在1.5~2.8V。功率级LED一般在IF=350mA时测得的,正向工作电压VF在2~4V。在外界温度升高时,VF将下降。 开启电压:电压在开启点以前几乎没有电流,电压一超过开启点,很快就显出欧姆导通特性,电流随电压增加迅速增大,开始发光。开启点电压因半导体材料的不同而异。GaAs是1.0V,GaAs1-xPx,Ga1-xAlxAs大致是1.5V(实际值因x值的不同而有些差异),GaP(红色)是1.8V,GaP(绿色)是2.0V,GaN 为2.5V 。 正向工作电流IF:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 反向漏电:当加反向电压时,外加电场与内建势垒电场方向相同,便阻止了多数载流子的扩散运动,所以只有很小的反向电流流过管子。但是,当反向电压加大到一定程度时,结在内外电场的作用下,把晶格中的电子强拉出来,参与导电,因而此时反向电流突然增大,出现反向击穿现象。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下反向漏电流IR(V= -5V)时,GaP 为0,GaN 为10uA。反向电流越小,说明LED的单向导电性能越好。 最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。反向击穿电压也因材料而异,一般在-2V以上即可。

3.0v 350mA AlGaInP LED -100mA -20v VB

3.4v 350mA InGaN LED -100mA -7v

LED C-V 特性 LED的电容一般包括PN结结电容和内引线分布电容等在内的总电容,PN结电容占主要地位。 鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um),10×10mil,11×11mil (280×280um),12×12mil (300×300um),及封装结构的不同,电容量也不同,有的远小于1PF,有的则达100PF以上。 C-V 特性呈二次函数关系。由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。

响应时间 LED响应时间是指:通一正向电流时开始发光和熄灭所延迟时间,标志LED反应速度。 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 LED 的点亮时间——上升时间tr 是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始,一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。 LED 熄灭时间——下降时间tf 是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。 不同材料制得的LED响应时间各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs 其响应时间小于10-9S。因此它们可用在10~100MHZ 的高频系统中。               

允许功耗P 当流过LED的电流为IF、管压降为UF ,那么,LED的实际功率消耗P为: P=UF×IF  若结温大于外部环境温度时,内部热量借助管座向外传热,散逸热量。  为保证LED安全工作,应该保证实际功率在最大允许功耗范围内。

光 学 特 性 空间分布 光谱分布 光学参数

LED发光强度的空间分布 发光强度的空间分布又叫配光曲线。 空间分布不均匀 LED辐射的空间特性取决于封装半导体芯片结构及封装形式。

发光面和角分布

光谱特性 LED光辐射光谱分布有其独特的一面。它不是单色光(如激光),也不是宽光谱辐射(如白炽灯),而是介于两者之间:有几十纳米的带宽、峰值波长位于可见光或近红外区域。 LED的波长分布有的不对称,有的则有很好的对称性,具体取决于LED所使用的材料种类及其结构等因素。 改变发光层的电致发光层结构及合金组分的比例,都会引起谱线的峰值波长和半宽度的变化。 LED光谱特性表征其单色性的优劣和其主要颜色是否纯正。

YAG荧光粉

LED的光学参数 光谱半宽度 峰值波长 中心波长

光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度。是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔。中心波长入是指A、B的中点处对应的波长。 光谱分布和峰值波长:有的发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图所示。该发光管所发之光中某一波长λP的光谱能量(光强)最大,该波长为峰值波长。只有单色光有峰值波长,不同颜色的LED峰值波长是不同的,红光LED的峰值波长一般为690nm左右。蓝光LED的峰值波长一般为470nm左右。

热学特性

当电流流过LED时,其PN结的温度(简称结温)将升高,严格意义上说,就把P—N结区的温度定义为LED的结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸,因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。

热的损害 当LED的结温升高时,,材料的禁带宽度将减少,导致LED的发光波长变长,颜色红移。一般情况下,LED的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。 在室温下,结温每升高1℃,LED的发光强度会相应地减少1%左右。

结温上升的原因 a、元件不良的电极结构 b、P—N结的注入效率不 完美 c、出光效率的限制 d、LED元件的热散失能力。

降低LED结温的途径 a、减少LED本身的热阻 b、控制额定输入功率 c、减少LED与二次散热机 构安装介面之间的热阻 d、良好的二次散热机构 e、降低环境温度

LED与普通 光源有什么区别?

高效率:发光效率高,一个两瓦的LED灯相当于一个15瓦的普通白炽灯灯泡的 照明效果 寿命长:LED灯最长可达100000小时;LED半衰减期可达50000小时以上 低耗电:比同光效的白炽灯最多可节省百分之七十 低故障:LED是半导体元件,与白炽灯和电子节能灯相比,没有真空器件和高压触发电路等敏感部件,故障极低,可以免维修 绿色、环保:单色性好,LED光谱集中,没有多余红外、紫外等光谱,热量、辐射很少,对被照物产生影响少。而且不含汞有害物质,废弃物可回收,没有污染 方向性强:平面发光,方向性强。它与点光源白炽灯不同,视角度≤180°,设计时一定要注意和利用LED光源有不同的视角度和不能大于180°的特点 快响应:响应时间短,只有60ns,启动十分迅速;白炽灯是毫秒数量级 低电压:驱动电压低,工作电压为直流,安全 小体积:体积小、重量轻。利用其特点可设计又薄、又轻、又紧凑的各种式样的灯具;背光源产品 多色彩:LED色彩鲜艳丰富。不同的半导体材料,不同颜色的光。颜色饱和度达到130%全彩色不同光色的组合变化多端,利用时序控制电路,更能达到丰富多彩的动态变化效果 控制方便:只要调整电流,就可以随意调光,使灯光更加清晰柔和让人感觉更加舒服

LED都有哪些种类?

按发光二极管的结构分 : 全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。 按发光管发光颜色分 :红色、黄色、橙色、绿色、蓝光等,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管成还可分有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。 按发光管出光面特征分:圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。 从发光强度角分布图来分有三类:(1)高指向性。一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性。(2)标准型。其半值角为20°~45°。(3)散射型。半值角为45°~90°或更大,散射剂的量较大。 按发光二极管的结构分 : 全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。 按发光强度和工作电流分 :普通亮度的LED(发光强度<10mcd);超高亮度的LED(发光强度>100mcd);把发光强度在10~100mcd间的叫高亮度发光二极管。一般LED的工作电流在十几mA至几十mA,而低电流LED的工作电流在2mA以下(亮度与普通发光管相同)。 按工作功率分:小功率(<0.06W)、功率型(0.06W~1W)、大功率(>1W)。

白光LED是如何 实现的?

用不同颜色及数目LED加荧光粉所做成的白光LED的优点及缺点

如何衡量 白光LED的优劣?

应用的白光LED技术指标 光通量:一个Φ5 LED的光通量仅为1lm左右,而用作照明的白光功率LED希望达到1Klm。由于15W白炽灯效率较低,仅8lm/w,所以一个15W白炽灯的光通量,与25lm/w的白光功率LED5W器件相当。 发光效率:目前产业化产品已从 15lm/w提高到100lm/w以上。 色温 :在 2500K-10000K之间,最好是2500K-5000K之间。 显色指数 Ra 最好是100。目前可以达到85。 稳定性:波长和光通量均要求保持稳定,但其稳定性程度依照明场合的需求而定。 寿命 :5万小时至10万小时。

LED有哪些应用?

射灯 路灯 交通信号灯

汽车尾灯 汽车雾灯

目前是什么阻碍了 LED的大规模应用?

应用设计 散热 芯片成本 二次光学设计、驱动电源设计 作为照明用的灯具光源要求小型化、密集排列以提高单位面积上的光强、光亮度的设计尤其应注意用散热好的灯具外壳或专门通用设备、确保LED长期工作。 芯片成本 价格是直接影响LED照明普及速度的关键因素。人们期望以LED灯的购置成本+能源成本+维护成本+废弃物处理成本比白炽灯和荧光灯低,但消费者仍以购置成本为选择标准,

LED将来如何发展?

一是做小→尺寸小 二是做大→功率大 三是做快→散热快 四是做低→成本低 五是独立→集成

LED应用前景方向 显示、景观 室外照明:道路、停车场 室内照明 背光源 特殊照明:矿井、医院、博物馆、冰柜、仓库、情景照明 汽车照明 商用照明

有问题可与我探讨 ying80610@sina.com QQ:32124305 感谢您的聆听! 有问题可与我探讨 ying80610@sina.com QQ:32124305

导带 价带 Eg Ec Ev