模拟电子技术基础 Fundamentals of Analog Electronics 童诗白、华成英 主编 —多媒体教学课件 第四版童诗白

导 言 1. 本课程的性质 2. 特点 3. 研究内容 第四版童诗白 4. 教学目标 电子技术基础课 非纯理论性课程 实践性很强 　　导 言 1. 本课程的性质 电子技术基础课 2. 特点 非纯理论性课程 实践性很强 以工程实践的观点来处理电路中的一些问题 3. 研究内容 第四版童诗白 以器件为基础、以电信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的模拟电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。

导 言 5. 学习方法 6. 课时及成绩评定标准 7. 教学参考书 第四版童诗白 　　导　 言 5. 学习方法 重点掌握基本概念；基本电路的结构、性能特点；基本分析估算方法。 6. 课时及成绩评定标准 课时：80学时=64(理论）+16（实验） 平时10%+实验30%+卷面60% 第四版童诗白 7. 教学参考书 康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社 陈大钦主编，《模拟电子技术基础问答：例题 • 试题》， 华科大出版社 陈 洁主编， 《EDA软件仿真技术快速入门- Protel99SE+Multisim10+Proteus 7 》中国电力出版社

目录 1 常用半导体器件（10学时） 2 基本放大电路（8学时） 3 多级放大电路 4 集成运算放大电路（4学时） 1 常用半导体器件（10学时） 2 基本放大电路（8学时） 3 多级放大电路　　　　 4 集成运算放大电路（4学时） 5 放大电路的频率响应（6学时） 6 放大电路中的反馈（6学时） 7 信号的运算和处理（6学时） 8 波形的发生和信号的转换（6学时） 9 功率放大电路（4学时） 10 直流稳压电源（8学时） （6学时） 第四版童诗白

电子技术: 电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析及制造的工程实用技术。目前电子技术主要由模拟电子技术和数字电子技术两部分组成。 通常我们把由电阻、电容、三极管、二极管、集成电路等电子元器件组成并具有一定功能的电路称为电子电路，简称为电路。 一个完整的电子电路系统通常由若干个功能电路组成，功能电路主要有：放大器、滤波器、信号源、波形发生电路、数字逻辑电路、数字存储器、电源、模拟/数字转换器等。 第四版童诗白 在电子技术迅猛发展的今天，电子电路的应用在日常生活中无处不在，小到门铃、收音机、DVD播放机、电话机等，大到全球定位系统GPS（Global Positioning Systems）、雷达、导航系统等。

模拟电子技术： 数字电子技术： 模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟信号就是幅度连续的信号，如温度、压力、流量等。 幅度 幅度 T 2T 3T 4T 5T 6T 时间 时间 第四版童诗白 数字电子技术： 数字电子技术主要研究处理数字信号的电子电路。 数字信号通常是指时间和幅度均离散的信号，如电报信号、计算机数据信号等等。

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件 第四版童诗白

本章讨论的问题： 1.为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 　当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？ 第四版童诗白 5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效　应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它　们都可以用于放大？

1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 一、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 　1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 　　纯净的具有晶体结构的半导体 一、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 第四版童诗白 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。

半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时， 它的导电能力明显变化。 光敏器件 第四版童诗白 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 二极管

二、本征半导体的晶体结构 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体 称为本征半导体 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体 称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 第四版童诗白 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 第四版童诗白 图 1.1.1　本征半导体结构示意图

三、本征半导体中的两种载流子 T  若 T  ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 +4 T  若 T  ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 空穴 自由电子 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 第四版童诗白 　　空穴可看成带正电的载流子。 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 （动画1-1） （动画1-2）

四、本征半导体中载流子的浓度 ni= pi= K1T3/2 e -EGO/(2KT) 本征激发 动态平衡 复合 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 本征半导体中载流子的浓度公式： ni=　pi=　K1T3/2 e -EGO/(2KT) 第四版童诗白 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.43×1010/cm3 本征锗的电子和空穴浓度: 　　n = p =2.38×1013/cm3

小结： 带负电的自由电子 带正电的空穴 1. 半导体中两种载流子 2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。 小结：　 带负电的自由电子 带正电的空穴 1. 半导体中两种载流子 　　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 　　　称为 电子 - 空穴对。 　　3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 　　　　　　表示，显然 ni = pi 。 　　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又　　　不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动　　　会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 第四版童诗白 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 　　　高，基本按指数规律增加。

1.1.2 杂质半导体 一、 N 型半导体(Negative) N 型半导体 杂质半导体有两种 P 型半导体 1.1.2　杂质半导体 N 型半导体 杂质半导体有两种 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 第四版童诗白 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。

自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。 电子称为多数载流子(简称多子)， 空穴称为少数载流子(简称少子)。 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 第四版童诗白 5 价杂质原子称为施主原子。

+4 +5 自由电子 施主原子 　　图 1.1.3　N 型半导体 第四版童诗白

二、 P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 第四版童诗白 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p >> n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。

+4 空穴 +3 受主原子 第四版童诗白 图 1.1.4　P 型半导体

说明： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 第四版童诗白 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 图 　杂质半导体的的简化表示法

1.1.3　PN结 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 一、PN 结的形成 P N PN结 第四版童诗白 图 　PN 结的形成

PN 结中载流子的运动 1. 扩散运动 电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 2. 扩散运动形成空间电荷区 —— PN 结，耗尽层。 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 耗尽层 P N 空间电荷区 第四版童诗白 —— PN 结，耗尽层。 （动画1-3）

N P 3. 空间电荷区产生内电场 空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒；—— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　　4. 漂移运动 阻挡层 　　内电场有利于少子运动—漂移。 P N 空间电荷区 第四版童诗白 少子的运动与多子运动方向相反 内电场 Uho

扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。 　即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 第四版童诗白 P N 对称结 不对称结

二、 PN 结的单向导电性 N P 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 什么是PN结的单向导电性？ 有什么作用？ P N 　耗尽层 V R 第四版童诗白 I 内电场方向 外电场方向 图 1.1.6

在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 　　反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用； 外电场使空间电荷区变宽； 第四版童诗白 　　不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。

N P 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感， 随着温度升高， IS 将急剧增大。 耗尽层 IS 内电场方向 外电场方向 第四版童诗白 V R IS 　耗尽层 第四版童诗白 图 1.1.7　PN 结加反相电压时截止 　　反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感， 　　随着温度升高， IS 将急剧增大。

当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 综上所述： 第四版童诗白 可见， PN 结具有单向导电性。 （动画1-4） （动画1-5）

三、 PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT  26 mV 第四版童诗白 公式推导过程略

四、PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 i = f (u )之间的关系曲线。 正向特性 反向特性 第四版童诗白 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 反向特性 第四版童诗白 击穿电压 U(BR) 死区电压 图 1.1.10　PN结的伏安特性

五、PN结的电容效应 - - + + 当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 势垒电容 电容效应包括两部分 扩散电容 1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 第四版童诗白 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压

空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示：  ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb 图 1.1.11（b) 第四版童诗白 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。

是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 2. 扩散电容 Cd 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 P N PN 结 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP 2  Q  Q  Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 Q 1 第四版童诗白 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 图 1.1.12

综上所述： PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj  Cd； 当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj  Cb。 第四版童诗白 Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。 在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。

1.2 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型 第四版童诗白 图1.2.1二极管的几种外形

1.2.1半导体二极管的几种常见结构 1 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 第四版童诗白 (a)点接触型 1 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 第四版童诗白

2 面接触型二极管 3 平面型二极管 4 二极管的代表符号 D PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 2 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 3 平面型二极管 4　二极管的代表符号 第四版童诗白 (c)平面型 D

1.2.2二极管的伏安特性 一、伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 第四版童诗白 正向特性 反向特性 反向击穿特性 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 锗二极管2AP15的伏安特性 Uon U(BR) 反向特性 第四版童诗白 开启电压：0.1V 导通电压：0.2V 开启电压：0.5V 导通电压：0.7 反向击穿特性

二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。 二、温度对二极管伏安特性的影响 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 温度增加 第四版童诗白 二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。

1.2.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM (3) 反向电流IR 在实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。 第四版童诗白 (4) 最高工作频率fM (5) 极间电容Cj

1.2.4 二极管等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路　 1. 理想模型 第四版童诗白

1.2.4 二极管等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路　 2. 恒压降模型 第四版童诗白

1.2.4 二极管等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路　 3. 折线模型 第四版童诗白

二、二极管的微变等效电路 第四版童诗白 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 图1.2.7二极管的微变等效电路 即 根据 得Q点处的微变电导 第四版童诗白 则 常温下（T=300K）

应用举例 二极管的静态工作情况分析 第四版童诗白 （R=10k） VDD=10V 时 理想模型 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 设

1.2.5 　稳压二极管 一、稳压管的伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳压电压。 (b)2CW17 伏安特性 (a)符号 第四版童诗白 DZ

二、稳压管的主要参数 (1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻rZ rZ =VZ /IZ (3)最大耗散功率 PZM 第四版童诗白 (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)温度系数——VZ

稳压电路 正常稳压时 UO =UZ 如电路参数变化？ ↓ UO↓←UR ↑ ← IR ↑ UI UO （1）.设电源电压波动(负载不变) 第四版童诗白 UI ↑→UO↑→UZ↑→ IZ↑ # 上述电路UI为正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎样的？ ↓ UO↓←UR ↑ ← IR ↑ （2）.设负载变化(电源不变) IO P25例1.2.2 ↑ RL → ↓

例1：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ，求iZ。 若负载电阻变化范围为1.5 k -- 4 k ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ 第四版童诗白

ui uO RL R DZ i iz iL UZ UZ=10V ui=12V R=200  Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k (1.5 k ~4 k) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 第四版童诗白 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间, 所以稳压管仍能起稳压作用

例2：稳压二极管的应用 （UZ＝3V） 解： ui和uo的波形如图所示 DZ ui R uO (a) 第四版童诗白 R uO ui DZ (b) ui uO R DZ

一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1.2.6其它类型的二极管　 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 符号 工作条件：正向偏置 u /V i /mA O 2 特性 第四版童诗白 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1  2) V

发光类型： 可见光：红、黄、绿 不可见光：红外光 显示类型： 普通 LED ， 七段 LED , 点阵 LED 第四版童诗白

二、光电二极管 符号和特性 特性 符号 工作原理： 三、变容二极管 四、隧道二极管 五、肖特基二极管 i u E = 200 lx O E = 200 lx E = 400 lx 符号和特性 特性 符号 无光照时，与普通二极管一样。 有光照时，分布在第三、四象限。 工作原理： 第四版童诗白 三、变容二极管 四、隧道二极管 五、肖特基二极管

1.3 双极型晶体管(BJT) 又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor) 　又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 X：低频小功率管 D：低频大功率管 G：高频小功率管 A：高频大功率管 第四版童诗白 图 1.3.1　三极管的外形 　　三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型。 　　主要以 NPN 型为例进行讨论。

1.3.1 晶体管的结构及类型 e c b P N 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 N P 二氧化硅 b e c 发射区 1.3.1　晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 N e c P b 二氧化硅 b e c P N 发射区 发射区 集电区 基区 第四版童诗白 集电区 基区 e 发射极，b基极，c 集电极。 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) 图1.3.2a　三极管的结构

N P 集电极 c 集电区 c 集电结 基极 b 基区 b 发射结 第四版童诗白 e 发射区 符号 发射极 e 图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型

图 1.3.2© 三极管结构示意图和符号 (b)PNP 型 集电区 集电极 c N P 图 1.3.2©　三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型 集电区 集电结 c b e 符号 基极 b 基区 发射结 第四版童诗白 发射区 发射极 e

1.3.2 晶体管的电流放大作用 c c N b b P e e 以 NPN 型三极管为例讨论 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N P e b b e c 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 表面看 第四版童诗白 　不具备放大作用

N P e b c P P P N N N 三极管内部结构要求： 1. 发射区高掺杂。 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 P P P N N N 第四版童诗白 3. 集电结面积大。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。

IB I E 一、晶体管内部载流子的运动 电子到达基区，少数与空穴复 合形成基极电流 Ibn，复合掉的 空穴由 VBB 补充。 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 b e c Rc Rb IB 2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极　电流　 　电子到达基区，少数与空穴复　合形成基极电流 Ibn，复合掉的　空穴由 VBB 补充。 第四版童诗白 I E 多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 晶体管内部载流子的运动

I C I B I E 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 b e c I E I B Rc Rb I C ICBO 另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 第四版童诗白 晶体管内部载流子的运动

IC Rc IB IB=IEP+ IBN－ICBO Rb IE =IC+IB IE 二、晶体管的电流分配关系 IC = ICn + ICBO IE= ICn + IBn + IEp = IEn+ IEp ICn ICBO IC = ICn + ICBO IB IB=IEP+ IBN－ICBO IBn 第四版童诗白 IEp IE =IC+IB IEn IE 图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流

ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 三、晶体管的共射电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc 共发射极接法 1、共射直流电流放大系数 整理可得： 第四版童诗白 ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 2、共射交流电流放大系数

3、共基直流电流放大系数 IC IE + C2 C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 4、共基交流电流放大系数 　　直流参数 与交流参数 、  的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说， 与 ，  与 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 第四版童诗白 或 5. 与的关系　

1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一. 输入特性曲线 iB=f(uBE) UCE=const 第四版童诗白 uCE uBE 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一. 输入特性曲线 iB=f(uBE) UCE=const (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，在同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB uCE uCE = 0V uBE /V uCE = 0V uCE  1V uBE /V 第四版童诗白

二、输出特性曲线 iC=f(uCE) IB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 第四版童诗白

1.3.4晶体管的主要参数 三极管的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数 一、直流参数 ICEO=（1+ ）ICBO 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB  vCE=const 第四版童诗白 2.共基直流电流放大系数 3.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICEO=（1+ ）ICBO 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

二、交流参数 1.共发射极交流电流放大系数  =iC/iBUCE=const 2. 共基极交流电流放大系数α α=iC/iE UCB=const 第四版童诗白 3.特征频率 fT 值下降到1的信号频率

三、 极限参数 1.最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 2.最大集电极电流ICM 3. 反向击穿电压  UCBO——发射极开路时的集电结反 　　　　　向击穿电压。  UCEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 第四版童诗白  U EBO——集电极开路时发射结的反 　向击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 UCBO＞UCEO＞UEBO

由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V 第四版童诗白

1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 温度升高将导致 IC 增大 一、温度对ICBO的影响 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响 60 40 20 0.4 0.8 I / mA U / V 温度对输入特性的影响 200 一、温度对ICBO的影响 600 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 反之，当温度降低时ICBO减少。 硅管的ICBO比锗管的小得多。 iC uCE O iB 200 二、温度对输入特性的影响 600 第四版童诗白 温度升高时正向特性左移， 反之右移 三、温度对输出特性的影响 温度升高将导致 IC 增大 温度对输出特性的影响

[例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE 第四版童诗白 （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 原则： 正偏 反偏 集电结 发射结 饱和 放大 截止

[例2] 某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A IA C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 IB IC B C 第四版童诗白 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。

解： （1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 解： 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC＜0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 第四版童诗白 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗

1.3.6 光电三极管 一、等效电路、符号 第四版童诗白 二、光电三极管的输出特性曲线 E＝0 O 图1.3.11光电三极管的输出特性 iC 1.3.6　光电三极管 一、等效电路、符号 iC uCE O 图1.3.11光电三极管的输出特性 E1 E2 E3 E4 E＝0 c e c e 第四版童诗白 二、光电三极管的输出特性曲线

复习 IE =IC+IB 1.BJT放大电路三个 电流关系 ？ 2.BJT的输入、输出特性曲线？ 3.BJT工作状态如何判断？ 第四版童诗白 uCE = 0V uCE  1V uBE /V 第四版童诗白

1.4 场效应三极管 场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。 1.4　场效应三极管 场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。 单极型器件(一种载流子导电)； 特点 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 第四版童诗白 结型场效应管 场效应管分类 绝缘栅场效应管

场效应管分类： N沟道 （耗尽型） JFET 结型 P沟道 FET 场效应管 N沟道 增强型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) P沟道 第四版童诗白 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) P沟道 N沟道 耗尽型 P沟道

1.4.1 结型场效应管Junction Field Effect Transistor 结构 符号 D 漏极 耗尽层(PN 结) P 型区 N 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 栅极 P+ N型沟道 G S 第四版童诗白 N型硅棒 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 源极 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图

P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 G S D 符号 G D S 第四版童诗白 　P 沟道结型场效应管结构图

一、结型场效应管工作原理 栅极 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。(VCCS) 源极 漏极 P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 第四版童诗白 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。

1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 ID = 0 G D S N型沟道 P+ (a) UGS = 0 第四版童诗白

1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 ID = 0 G D S P+ N型沟道 (b) UGS(off) < UGS < 0 VGG 第四版童诗白

1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 当 UGS = UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断. UGS(off)为夹断电压,为负值。UGS(off) 也可用UP表示 ID = 0 G D S P+ (c) UGS ＜UGS(off) VGG 第四版童诗白

注意：当 uDS > 0 时，耗尽层呈现楔形。 2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时,uDS 对漏极电流iD的影响。 uGD ＝ uGS －uDS G D S P+ N iS iD VDD VGG G D S N iS iD P+ VDD (b) (a) 第四版童诗白 uGS = 0，uGD > UGS（Off) ， iD 较大。 uGS < 0，uGD > UGS（Off) ， iD 更小。 　　注意：当 uDS > 0 时，耗尽层呈现楔形。

改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； iS iD VDD VGG (c) G D S iS iD P+ VDD VGG (d) uGS < 0,uGD = UGS(off), 沟道变窄预夹断 uGS < 0 ,uGD < uGS(off),夹断， iD几乎不变 第四版童诗白 改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。

3.当uGD < uGS(off)时 , uGS 对漏极电流iD的控制作用 在uGD ＝ uGS －uDS < uGS(off),当uDS为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。 场效应管为电压控制元件(VCCS)。 场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。 第四版童诗白 gm=iD/uGS (单位mS)

小结 (1)在uGD ＝ uGS －uDS > uGS(off)情况下, 即当uDS < uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当uDS使uGD ＝ uGS(off)时，d-s之间预夹断 (3)当uDS使uGD < uGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ， 　而与uDS 无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 第四版童诗白

 二、结型场效应管的特性曲线 + 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD  0。 O uGS iD IDSS UGS(off) UDS iD VDD VGG D S G V  + uGS 　特性曲线测试电路 mA 第四版童诗白 图 1.4.6　转移特性 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID)

当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ 2. 输出特性曲线 第四版童诗白 　 当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即

 + 输出特性（漏极特性）曲线 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 击穿区 iD VDD VGG 第四版童诗白 预夹断轨迹 iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 可变电阻区 UDS iD VDD VGG D S G V  + uGS 图 1.4.5(a)特性曲线测试电路 mA IDSS/V 击穿区 恒流区 夹断区 第四版童诗白 图 1.4.5(b)　漏极特性 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。

转移特性曲线 输出特性曲线 ＊ 结型P 沟道的特性曲线 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 o 第四版童诗白 + D G S iD UGS（Off） IDSS O uGS iD UGS= 0V + uDS o 第四版童诗白

1.4.2 绝缘栅型场效应管 MOSFET 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010  以上。 增强型 N 沟道 耗尽型 类型 第四版童诗白 增强型 P 沟道 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。

图 1.4.7 N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 栅极 G 结构 S G D SiO2 漏极 D 源极 S P 型衬底 N+ N+ S G D B 第四版童诗白 B 衬底引线 B 图 1.4.7　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图

绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 S B D (1)UGS = 0 第四版童诗白 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。

(2) UDS = 0，0 < UGS < UGS(th) P 型衬底 N+ B G S D VGG 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 - - - - N 型沟道 (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 　　由于吸引了足够多P型衬底的电子， 第四版童诗白 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 —— 备注 反型层、N 型导电沟道。 　　　　　　　　　　　　　UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 UGS，称开启电压。

(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS > UT) a. UDS < UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS > UT 导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 b. UDS= UGS – UT， UGD = UT P 型衬底 N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ B G S D VGG VDD 靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 夹断区 c. UDS > UGS – UT， UGD < UT 第四版童诗白 　　由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。

在UDS > UGS – UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。 此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 P型衬底 N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ B G S D VGG VDD 夹断区 第四版童诗白 (c) UGD < UT (a) UGD > UT (b) UGD = UT 图 1.4.9　UDS 对导电沟道的影响

三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。 3. 特性曲线与电流方程 (b)输出特性 (a)转移特性 UGS < UT ，iD = 0； 三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。 UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 第四版童诗白 (当 UGS > UT 时) 图 1.4.10 (a) 图 1.4.10 (b)

二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 　UGS = 0，UDS > 0，产生较大的漏极电流； P型衬底 N+ B G S D ++++++ 　UGS < 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； ++++++ ++++++ 第四版童诗白 　UGS = UP , 感应电荷被“耗尽”，iD  0。 图 1.4.11 UP或UGS(off)称为夹断电压

N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS > 0； UGS 正、负、零均可。 N 沟道耗尽型MOSFET 第四版童诗白 D (b)输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 工作条件： UDS > 0； UGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 第四版童诗白 S G D B 耗尽型 MOS 管的符号 N 沟道耗尽型MOSFET

三、P沟道MOS管 四、VMOS管 P沟道 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， P沟道 S G D B 1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)< 0 当UGS < UGS(th) ， 漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＞0 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， 漏-源之间应加负电源电压。 第四版童诗白 S G D B P沟道 四、VMOS管 VMOS管漏区散热面积大， 可制成大功率管。

- 各类场效应管的符号和特性曲线 种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 结型 N 沟道 耗尽型 P 沟道 绝缘 栅型 增强型 + o 　各类场效应管的符号和特性曲线 种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 结型 N 沟道 耗尽型 P 沟道 绝缘 栅型 增强型 uGS iD /mA UP IDSS O iD UGS= 0V - uDS O S G D iD UGS= 0V + uDS o S G D uGS iD UP IDSS O 第四版童诗白 S G D B + UGS = UT uDS iD O uGS iD O UT

种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 绝缘 栅型 N 沟道 P 沟道 耗尽型 P 沟道 增强型 ID UGS UP IDSS O UDS ID _ UGS=0 + O ID S G D B _ ID UGS=UT UDS o S G D B ID ID UGS UT O 第四版童诗白 ID UGS UP IDSS O UGS= 0V + _ ID UDS o S G D B ID

1.4.3 场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 1.4.3　场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 2. 夹断电压 UP 或UGS(off) 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 3. 开启电压 UT 或UGS(th) 第四版童诗白 为增强型场效应管的一个重要参数。 4. 直流输入电阻 RGS 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107  以上， 　　绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 。

二、交流参数 1. 低频跨导 gm 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 第四版童诗白 2. 极间电容 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 Cgs、　　Cgd、Cds。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。　　一般为几个皮法。

三、极限参数 2.漏源击穿电压 U(BR)DS 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 1.最大漏极电流IDM 2.漏源击穿电压 U(BR)DS 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。 第四版童诗白 4. 栅源击穿电压U(BR)GS 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若UGS > U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击　　穿的情况类似，属于破坏性击穿。

电路如图1.4.14所示，其中管子T的输出特性曲线如图1.4.15所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 例1.4.2 第四版童诗白 　 图1.4.14 　　　　图1.4.15 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V

解: uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD - iD RD ＝10V (3) uGS＝ui＝10V时， 若工作在恒流区， iD＝ 2.2mA。因而u0＝ 15- 2.2*5 ＝4V 第四版童诗白 但是， uGS ＝10V时的预夹断电压为 uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V 可见，此时管子工作在可变电阻区

uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 从输出特性曲线可得: (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 第四版童诗白 [例1.4.3] 自阅

1.4.4 场效应管与晶体管的比较 晶体管 场效应管 电压控制电流源 VCCS(gm) 控制 电流控制电流源 CCCS(β) 结型耗尽型 N沟道 P沟道 NPN型、PNP型 结构 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 第四版童诗白 输入量 电流输入 电压输入 电压控制电流源 VCCS(gm) 控制 电流控制电流源 CCCS(β)

晶体管 场效应管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温 度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温 　　　　　　　　　　　　　　 度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 第四版童诗白 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和 　　　　　　　　　　　　　　　超大规模集成　　

1.5 单结晶体管和晶闸管 1.5.1单结晶体管 一、单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管又称为双基极晶体管。 b2 e 第四版童诗白 1.5　单结晶体管和晶闸管 1.5.1单结晶体管 一、单结晶体管的结构和等效电路 (b)符号 单结晶体管又称为双基极晶体管。 b2 N 型硅片 PN 结 e 第四版童诗白 P 区 b1 (a)结构 图 1.5.1　单结管的结构及符号 (C)等效电路

二、工作原理和特性曲线 UP：峰点电压 IP：峰点电流 UV：谷点电压 ——分压比 IV：谷点电流 图 10.9.11(b) + - UBB O UEB1 IE B 谷点 饱和区 + - UD V + - UA + - UEB1 峰点 负阻区 P IP UP A 截止区 图 10.9.11(b) 图 10.9.11(a) 第四版童诗白 UP：峰点电压 IP：峰点电流 UV：谷点电压 ——分压比 IV：谷点电流

三、应用举例：单结管的脉冲发生电路 第四版童诗白 图 1.5.3　单结管的脉冲发生电路

1.5.2 晶闸管（晶体闸流管） 一、结构和等效模型 硅可控元件，由三个PN结构成的大功率半导体器件。 C C C 第四版童诗白 1.5.2　晶闸管（晶体闸流管） 硅可控元件，由三个PN结构成的大功率半导体器件。 一、结构和等效模型 阴极 C C C 控制极 第四版童诗白 阳极 图 1.5.5　晶闸管的结构和符号

二、工作原理 N P P N 1. 控制极不加电压，无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压，晶闸管都不导通。 ——称为阻断 C 二、工作原理 　1. 控制极不加电压，无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压，晶闸管都不导通。 ——称为阻断 　2. 控制极与阴极间加正向电压，阳极与阴极之间加正向电压，晶闸管导通。 C N P C C IG 第四版童诗白 P N β1 β2IG β1IG 图 1.5.5 图 1.5.6

结论： 晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间加正向电压时，再在控制极加一个正的触发脉冲； 　　晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间加正向电压时，再在控制极加一个正的触发脉冲； 　　晶闸管由导通变为阻断的条件是减小阳极电流 IA ，　　或改变A-C电压极性的方法实现。 　　晶闸管导通后，管压降很小，约为 0.6~1.2 V 左右。 第四版童诗白

三、晶闸管的伏安特性 1. 伏安特性 正向阻断特性：当 IG= 0 ，而阳极电压不超过一定值时，管子处于阻断状态。 UBO ——正向转折电压 UAC IA C 　正向阻断特性：当 IG= 0 ，而阳极电压不超过一定值时，管子处于阻断状态。 IG= 0 IG 增大 A B UBR IH UBO ——正向转折电压 UBO 　正向导通特性：管子导通后，伏安特性与二极管的正向特性相似。 第四版童诗白 图 1.5.7晶闸管的伏安特性曲线 IH ——维持电流 　当控制极电流 IG  0 时， 使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压减小。 反向特性：与二极管的反向特性相似。

四、晶闸管的 主要参数 1.额定正向平均电流 IF 2.维持电流 IH 3.触发电压 UG和触发电流 IG 4.正向重复峰值电压 UDRM 第四版童诗白 5.反向重复峰值电压 URRM 其它：正向平均电压、控制极反向电压等。

例：单相桥式可控整流电路 在 u2 正半周，当控制极加触发脉冲，VT1 和 VD2 导通； + - uG 第四版童诗白 α θ 图 1.5.8 ：控制角； ：导电角

单结管的触发电路 第四版童诗白

第 1 章 小 结 第四版童诗白

一、两种半导体和两种载流子 二、二极管 1. 特性 两种载流 子的运动 电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) 空穴 P 型 (多空穴) 两 种 半导体 N 型 (多电子) 空穴 P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 第四版童诗白 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大()。

2. 主要参数 iD I F U (BR) 正向 — 最大平均电流 IF O uD URM IS 第四版童诗白 反向 — 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响)

3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) 恒压降模型 UD(on) UD(on) = (0.6  0.8) V 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压  UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 第四版童诗白 硅管： UD(on) = (0.6  0.8) V 估算时取 0.7 V 锗管： (0.1  0.3) V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on)

工作条件 主要用途 反 偏 稳 压 正 偏 发 光 反 偏 光电转换 4. 二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 第四版童诗白 发光二极管 正 偏 发 光 光电二极管 反 偏 光电转换

三、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 多数载流子导电 NPN 1. 形式与结构 三区、三极、两结 第四版童诗白 PNP 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大

内因：发射区载流子浓度高、 放 基区薄、集电区面积大 大 条 件 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB 第四版童诗白 IE = IC + IB IE = IC + IB IC =  IB + ICEO IC =  IB IE = (1 + ) IB + ICEO IE = (1 +  ) IB

4. 特性 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： iC / mA uCE /V 100 µA 80 µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / A uBE / V 60 40 20 80 饱 和 区 截止区 第四版童诗白 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6  0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2  0.3 V 取 0.3 V (锗管)

放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 iC / mA 100 µA 80 µA 饱 60 µA 和 uCE /V 100 µA 80 µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 饱 和 区 2)曲线水平表示恒流 放大区 3)曲线间隔表示受控 第四版童诗白 截止区

5. 参数   =  /(1   ) 电流放大倍数  =  /(1 +  )  特性参数 极间反向电流 ICBO ICEO ICM uCE O ICEO iC ICM PCM 第四版童诗白 极限参数 安 全 工 作 区 PCM U(BR)CEO U(BR)CEO

场效应管 1. 分类 N 沟道 按导电沟道分 P 沟道 增强型 绝缘栅型 耗尽型 (MOS) 按结构分 结型 (耗尽型) 第四版童诗白 增强型 uGS = 0 时， iD = 0 按特性分 耗尽型 uGS = 0 时， iD  0

2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 3. 特性 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和 输出特性描述 第四版童诗白 不同类型 FET 的特性比较参见 图1.4.13 第49页。

N 沟道 UGS(th) MOS 管 IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 不同类型 FET 转移特性比较 iD /mA uGS /V iD /mA O MOS 管 结型 增强型 耗尽型 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) 第四版童诗白 IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值

四、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 UBE > U(th) 则导通 UBE < U(th) 则截止 判断导通还是截止： 以 NPN为 例： UBE > U(th) 则导通 UBE < U(th) 则截止 状态 电流关系 条 件 发射结正偏 集电结反偏 放大 I C =  IB 第四版童诗白 饱和 I C   IB 两个结正偏 临界 ICS =  IBS 集电结零偏 截止 IB < 0, IC = 0 两个结反偏

UC > UB > UE UE < UC  UB UC < UB < UE UE > UC  U B 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC > UB > UE 放大 UE < UC  UB 饱和 PNP 管 UC < UB < UE 放大 UE > UC  U B 饱和 第四版童诗白 2. 电流判别法 IB > IBS 则饱和 IB < IBS 则放大