第三章 场效应管放大器 3.1 场效应管 3.2 场效应管放大电路 绝缘栅场效应管 结型场效应管 效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路

3.1 场效应管 FET分类： BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 N沟道 增强型 P沟道 绝缘栅场效应管 N沟道 耗尽型 FET分类： P沟道 N沟道 结型场效应管 P沟道

一. 绝缘栅场效应管 增强型  N沟道、P沟道 符号： 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型  N沟道、P沟道 耗尽型  N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号：

当uGS＞0V时→纵向电场 再增加uGS→纵向电场↑ （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。

定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。

②转移特性曲线： iD=f(uGS)uDS=const 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT

gm=iD/uGS uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

2.N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。

3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

4. MOS管的主要参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=iD/uGS uDS=const （4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。

1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 二. 结型场效应管 两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 N沟道 符号：

（1）栅源电压对沟道的控制作用 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义： 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。

（3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 （2）漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，使uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， iDS↑→iD 几乎不变。 （3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f（ uGS 、uDS）,可用输两组特性曲线来描绘。

3、 结型场效应三极管的特性曲线 （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 uGS=0V uGS=-1V 设：UT= -3V

四个区： 可变电阻区 恒流区 （a）可变电阻区（预夹断前）。 击穿区 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 恒流区的特点： △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即： △ iD = gm △ uGS （放大原理） 截止区 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。

（2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线：

4 .场效应管的主要参数 （3）饱和漏极电流IDSS （4）输入电阻RGS (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 （2）夹断电压UP UP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当uGS=UP时,漏极电流为零。 （3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。 （4）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。 （5） 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子)。 （6） 最大漏极功耗PDM PDM= UDS ID，与双极型三极管的PCM相当。

5 .双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 载流子 多子扩散少子漂移 少子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电阻 几十到几千欧 几兆欧以上 噪声 较大 较小 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 制造工艺 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成

3. 2 场效应管放大电路 一. 直流偏置电路 计算Q点：UGS 、 ID 、UDS 已知UP ，由 UGS = - IDR ID 3. 2 场效应管放大电路 一. 直流偏置电路 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 1.自偏压电路 计算Q点：UGS 、 ID 、UDS 已知UP ，由 UGS = - IDR ID 可解出Q点的UGS 、 ID UGS =- IDR UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路。

2.分压式自偏压电路 计算Q点： 已知UP ，由 可解出Q点的UGS 、 ID UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。

二. 场效应管的交流小信号模型 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。 称为低频跨导。 rds为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。

三. 场效应管放大电路 1.共源放大电路

（1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 分析： （1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 （2）求电压放大倍数 则 （3）求输入电阻 （4）求输出电阻

2.共漏放大电路 分析： （1）画交流小信号等效电路。 （2）电压放大倍数 由 得 （3）输入电阻

（4）输出电阻 由图有 所以

本章小结 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。