第2章 半导体三极管和交流电压放大电路 1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流分配和放大原理。

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+UCC RB1 RC C2 C1 RL RB2 C0 ui RE uo CE
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第六章 基本放大电路 第一节 基本交流放大电路的组成 第二节 放大电路的图解法 第三节 静态工作点的稳定 第四节 微变等效电路法
第二章 放大电路的基本原理 2.1 放大的概念 2.2 单管共发射极放大电路 2.3 放大电路的主要技术指标 2.4 放大电路的基本分析方法
第二章 基本放大电路 2.1 基本放大电路的组成 放大电路的组成原则 (1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集 电结反偏。
工作原理 静态工作点 RB +UCC RC C1 C2 T IC0 由于电源的存在,IB0 IC IB ui=0时 IE=IB+IC.
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第15章 基本放大电路 15.1 共发射极放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析
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实验7.1 单管放大器的研究与测试 ……………… P167 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心
课程名称:模拟电子技术 讲授内容:放大电路静态工作点的稳定 授课对象:信息类专业本科二年级 示范教师:史雪飞 所在单位:信息工程学院.
9.3 静态工作点的稳定 放大电路不仅要有合适的静态工作点,而且要保持静态工作点的稳定。由于某种原因,例如温度的变化,将使集电极电流的静态值 IC 发生变化,从而影响静态工作点的稳定。 上一节所讨论的基本放大电路偏置电流 +UCC RC C1 C2 T RL RE + CE RB1 RB2 RS ui.
9.5 差分放大电路 差分放大电路用两个晶体管组成,电路结构对称,在理想情况下,两管的特性及对应电阻元件的参数值都相同,因此,两管的静态工作点也必然相同。 T1 T2 RC RB +UCC + ui1  iB iC ui2 RP RE EE iE + uO  静态分析 在静态时,ui1=
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9.6.2 互补对称放大电路 1. 无输出变压器(OTL)的互补对称放大电路 +UCC
第二章 放大电路的基本原理 2.1 放大的概念 2.2 单管共发射极放大电路 2.3 放大电路的主要技术指标 2.4 放大电路的基本分析方法
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第2章 半导体三极管和交流电压放大电路 1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流分配和放大原理。 2. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。 3. 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变 等效电路分析法。 4. 了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念,了解放大电路的频率特性。

放大的概念: 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大的实质: 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用,将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。 对放大电路的基本要求 : 1. 要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。 2. 尽可能小的波形失真。 另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术指标。 本章主要讨论电压放大电路。

2.1 半导体三极管 2.1.1 基本结构 NPN型 B E C PNP型 基极 发射极 集电极 集电极 发射极 B E C 基极 符号: 2.1 半导体三极管 2.1.1 基本结构 NPN型 B E C PNP型 P N 基极 发射极 集电极 集电极 发射极 N P B E C 基极 符号: NPN型三极管 PNP型三极管 B E C IB IE IC B E C IB IE IC

结构特点: 集电区: 面积最大 B E C N P 基极 发射极 集电极 基区:最薄, 掺杂浓度最低 集电结 发射结 发射区:掺 杂浓度最高

C E E C B 输 出 输入 输 出 B 输 出 输入 输入 B C E 共集电极 共发射极 共基极

2.1. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VB>VE 2.1. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VB>VE 集电结反偏 VC>VB B E C N P EB RB EC RC PNP 发射结正偏 VB<VE 集电结反偏 VC<VB

把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 <0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1)三电极电流关系 IE = IB + IC 2) IC  IB , IC  IE 3)  IC   IB β=  IC /  IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化,是CCCS器件。

3.三极管内部载流子的运动规律 从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。 集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。 B E C N P EB RB EC ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE  进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 IE

IC = ICE+ICBO  ICE IB = IBE- ICBO  IBE 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC IB 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC B E C N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC = ICE+ICBO  ICE IB = IBE- ICBO  IBE IB ICE 与 IBE 之比称为共发射极直流电流放大倍数 若IB =0, 则 IC ICE0 集-射极穿透电流, 温度ICEO (常用公式)

2.1.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线: 1)直观地分析管子的工作状态 2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线

IC 测量晶体管特性的实验线路 IB + UCE EC RB V UBE 输出回路 输入回路 – EB 共发射极电路 mA A V UCE UBE RB IB EC + – 测量晶体管特性的实验线路 输出回路 输入回路 共发射极电路  发射极是输入回路、输出回路的公共端

1. 输入特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压: NPN型硅管 UBE  0.6~0.7V PNP型锗管 IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE1V O 死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。

2. 输出特性 输出特性曲线通常分三个工作区: (1) 放大区 在放大区有 IC= IB ,也称为线性区,具有恒流特性。 放大区 2. 输出特性 输出特性曲线通常分三个工作区: (1) 放大区 3 6 IC(mA ) 1 2 4 UCE(V) 9 12 O 40A 60A 80A 100A 在放大区有 IC= IB ,也称为线性区,具有恒流特性。 放大区 在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置,晶体管工作于放大状态。 20A IB=0

IB < 0 以下区域为截止区,有 IC  0 。 在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。 (2)截止区 IB < 0 以下区域为截止区,有 IC  0 。 在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。 (3)饱和区 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 3 6 IC(mA ) 1 2 4 UCE(V) 9 12 O 当UCE UBE时,晶体管工作于饱和状态。 在饱和区,IB IC,发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。 深度饱和时, 硅管UCES  0.3V, 锗管UCES  0.1V。 饱和区 截止区

工作状态(晶体管工作状态的判定) 放大 截止 饱和 1.根据PN结 UBE >0 UBE ≤0 UBE >0 偏置电压 (正偏) (反偏) (正偏) UB C <0 UB C <0 UB C ≥0 (反偏) (反偏) (正偏) 2.根据 IB 0< IB <IBS ≈0 ≥ IBS IB IC IE IC =  IB ≈0 <  IB IE = IB + IC ≈0 < (1+) IB IBS =EC - UCES / RC 硅管临界饱和UCES =0.5V 深饱和UCES ≈0.1~0.3V

工作状态(晶体管工作状态的判定) 3.测量管压 UBE UCE 放大 0.7V UCE S< UCE < EC 截止 ≤0 ≈EC 饱和 ≥0.7V ≤ UCE S

2.1.4 主要参数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 1. 电流放大系数, 当晶体管接成发射极电路时, 直流电流放大系数 交流电流放大系数 注意: 和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下,两者数值接近。 常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。100左右为宜。

例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA; 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA,求 9 12 在 Q1 点,有 Q2 由 Q1 和Q2点,得 Q1 在以后的计算中,一般作近似处理: = 。

ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。 A + – EC ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。 温度ICBO ICBO越小越好。(硅管的较小1微安以下)

3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO = ICBO + ICBO =(1+ ) ICBO IC = ICE + ICBO = IB + ICEO A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度ICEO,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。

4. 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降,当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升,消耗功率过大,温升过高会烧坏三极管。 PC  PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150C,锗管约为7090C。

UCE ICM ICUCE=PCM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O ICM ICUCE=PCM U(BR)CEO 安全工作区

晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10C,ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1C,UBE将减 小–(2---2.5)mV, 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1C, 增加 0.5%~1.0%。

2.2 基本放大电路的组成 2.2.1 共发射极基本放大电路组成 共发射极基本电路 RC C2 iC C1 iB EC + T uCE 2.2.1 共发射极基本放大电路组成 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 共发射极基本电路

2.2.2 基本放大电路各元件作用 晶体管T--放大元件, iC= iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区 。 2.2.2 基本放大电路各元件作用 晶体管T--放大元件, iC= iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区 。 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 基极电源EB与基极电阻RB--使发射结 处于正偏,并提供大小适当的基极电流。 共发射极基本电路

集电极电源EC --为电路提供能量。并保证集电结反偏。 RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容C1 、C2 --隔离输入、输出与放大电路直流的联系,同时使信号顺利输入、输出。 信号源 负载 共发射极基本电路

2.2 基本放大电路的组成 共发射极基本电路 单电源供电时常用的画法 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE 共发射极基本电路 单电源供电时常用的画法

2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE 无输入信号(ui = 0)时: +UCC RC 2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 +UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O 无输入信号(ui = 0)时: iC t O uBE t O iB t O UCE IC UBE IB

结论: (1) 无输入信号电压时,三极管各电极都是恒定的 电压和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。 IC UCE IB UBE Q Q O IB UBE O Q Q IB IC UCE UBE (IB、UBE) 和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点,称为静态工作点。

? 2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0 +UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O uo t O uCE = UCC- iC RC iC t O 无输入信号(ui = 0)时: 有输入信号(ui ≠ 0)时 uBE t O iB t O ui t O IC UCE ? IB UBE

结论: (2) 加上输入信号电压后,各电极电流和电压的大 小均发生了变化,都在直流量的基础上叠加了 一个交流量,但方向始终不变。 交流分量 直流分量 iC t O 集电极电流 iC t IC O iC t ic O + 动态分析 静态分析

结论: (3) 若参数选取得当,输出电压可比输入电压大, 即电路具有电压放大作用。 uo ui t t (4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°, 即共发射极电路具有反相作用。

1. 实现放大的条件 (1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集 电结反偏。 (2) 正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大 区。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压,经电容耦合只输出交流信号。

2. 直、流通路和交流通路 因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大,可以认为它对交流分量不起作用,即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样,交直流所走的通路是不同的。 直流通路:无信号时电流(直流电流)的通路, 用来计算静态工作点。 交流通路:有信号时交流分量(变化量)的通路, 用来计算电压放大倍数、输入电阻、 输出电阻等动态参数。

对直流信号电容 C 可看作开路(即将电容断开) 例:画出下图放大电路的直流通路 对直流信号电容 C 可看作开路(即将电容断开) +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB IE 断开 断开 直流通路 直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE )

对地短路 短路 短路 RB RC ui uO RL RS es + – +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE XC  0,C 可看作短路。忽略电源的内阻,电源的端电压恒定,直流电源对交流可看作短路。 对地短路 短路 短路 交流通路 RB RC ui uO RL RS es + – 用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。

2. 放大电路的静态分析 静态:放大电路无信号输入(ui = 0)时的工作状态。 静态分析:确定放大电路的静态值。 2. 放大电路的静态分析 静态:放大电路无信号输入(ui = 0)时的工作状态。 静态分析:确定放大电路的静态值。 ——静态工作点Q:IB、IC、UCE 。 分析方法:估算法、图解法。 分析对象:各极电压电流的直流分量。 所用电路:放大电路的直流通路。 设置Q点的目的: (1) 使放大电路的放大信号不失真; (2) 使放大电路工作在较佳的工作状态,静态是动态的基础。

2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE 无输入信号(ui = 0)时: +UCC RC 2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 +UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O 无输入信号(ui = 0)时: iC t O uBE t O iB t O UCE IC UBE IB

u0 ui 各种符号关系: ib,iC,ube,uce 交流分量 Ib,IC,Ube,Uce 交流分量有效值 RB RC UCE UBE + - +UCC C1 C2 ui u0 RL iB t IB ib Ibm IB,IC,UBE,UCE 直流分量 符号含义: ib,iC,ube,uce 交流分量 Ib,IC,Ube,Uce 交流分量有效值 iB,iC,uBE,uCE 总 量

结论: (1) 无输入信号电压时,三极管各电极都是恒定的 电压和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。 IC UCE IB UBE Q Q O IB UBE O Q Q IB IC UCE UBE (IB、UBE) 和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点,称为静态工作点。

? 2.2.3 共射放大电路的电压放大作用 uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0 +UCC RB RC C1 C2 T + ui – uo uBE uCE iC iB iE uo  0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uCE t O uo t O uCE = UCC- iC RC iC t O 无输入信号(ui = 0)时: 有输入信号(ui ≠ 0)时 uBE t O iB t O ui t O IC UCE ? IB UBE

结论: (2) 加上输入信号电压后,各电极电流和电压的大 小均发生了变化,都在直流量的基础上叠加了 一个交流量,但方向始终不变。 交流分量 直流分量 iC t O 集电极电流 iC t IC O iC t ic O + 动态分析 静态分析

结论: (3) 若参数选取得当,输出电压可比输入电压大, 即电路具有电压放大作用。 uo ui t t (4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°, 即共发射极电路具有反相作用。

1. 实现放大的条件 (1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集 电结反偏。 (2) 正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大 区。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压,经电容耦合只输出交流信号。

2. 直、流通路和交流通路 因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大,可以认为它对交流分量不起作用,即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样,交直流所走的通路是不同的。 直流通路:无信号时电流(直流电流)的通路, 用来计算静态工作点。 交流通路:有信号时交流分量(变化量)的通路, 用来计算电压放大倍数、输入电阻、 输出电阻等动态参数。

2.3 放大电路的静态分析 静态:放大电路无信号输入(ui = 0)时的工作状态。 静态分析:确定放大电路的静态值。 2.3 放大电路的静态分析 静态:放大电路无信号输入(ui = 0)时的工作状态。 静态分析:确定放大电路的静态值。 ——静态工作点Q:IB、IC、UCE 。 分析方法:估算法、图解法。 分析对象:各极电压电流的直流分量。 所用电路:放大电路的直流通路。 设置Q点的目的: (1) 使放大电路的放大信号不失真; (2) 使放大电路工作在较佳的工作状态,静态是动态的基础。

对直流信号电容 C 可看作开路(即将电容断开) 2.3.1用估算法计算静态工作点 对直流信号电容 C 可看作开路(即将电容断开) +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB IE 断开 断开 直流通路 直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE )

2.3.1用估算法计算静态工作点 UCC = UBE +I B RB I B = UCC - UBE / RB RC T + – UBE UCE IC IB UCC = UBE +I B RB I B = UCC - UBE / RB ≈ UCC / RB 若UCC >> UBE I C= I B + I CEO ≈ I B UCE = UCC - I C RC

已知:UCC=12V,RC=4k,RB=300k, =37.5。 例1:用估算法计算静态工作点。 +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB 已知:UCC=12V,RC=4k,RB=300k, =37.5。 解: 注意:电路中IB 和 IC 的数量级不同

由例1、例2可知,当电路不同时,计算静态值的公式也不同。 例2:用估算法计算图示电路的静态工作点。 由KVL可得: IE +UCC RB RC T + – UBE UCE IC IB 由KVL可得: 由例1、例2可知,当电路不同时,计算静态值的公式也不同。

iB = ƒ(uBE) UBE =UCC - RBIB UBE = UBEQ IB = IBQ 输入回路静态图解: 2.3.2静态图解法 UCE IC + - IB UBE RB RC RB RC IC IB UCE UBE + - +UCC IBQ QB UBEQ 线性部分 非线性部分 线性部分 UBE =UCC - RBIB UBE = UBEQ iB = ƒ(uBE) IB = IBQ 翻页 下页 返回

输出回路静态图解 直流负载线 iC IC = f(UCE) UCE = UCEQ UCE = UCC - RCIC IC = ICQ uCE UCC —— UCC RC IC RC IB + Q IB = IBQ ICQ UCEQ UCE RB + UBE - UCC UCC - IC = f(UCE) IB =常量 IC = ICQ UCE = UCEQ UCE = UCC - RCIC 翻页 返回

输入、输出回路静态图解分析 UCE = UCEQ IC = ICQ iB uBE uCE IB =IBQ ICQ UCEQ Q UCC —— RC UCC RB IBQ Q UBEQ UBE = UBEQ IB = IBQ UCE = UCEQ IC = ICQ 翻页 返回

如图所示电路,能否放大交流信号?请说明理由。 思考与 练习 如图所示电路,能否放大交流信号?请说明理由。 + UCC RB UCC RC C1 C2 T RL uo ui EB (b) _ + + RC C2 C1 + T + uo ui RL _ _ (a) 图(b)中,有静态偏置,但ui被EB 短路,不能引起iB的变化,所以不能放大。 图(a)中,没有设置静 态偏置,不能放大。 翻页 返回

uo ui + _ UCC (c) 返回 翻页 C2 T RL RB C1 + 图(c)中,有静态偏置,有变化的iB和ic, 但因没有RC ,不能把集电极电流的变化转化为电压的变化送到输出端,所以不能放大交流电压信号。 + + 翻页 返回

2.3.4 放大电路的动态分析 动态:放大电路有信号输入(ui 0)时的工作状态。 动态分析: 2.3.4 放大电路的动态分析 动态:放大电路有信号输入(ui 0)时的工作状态。 动态分析: 计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。 分析对象: 各极电压和电流的交流分量。 分析方法: 微变等效电路法,图解法。 所用电路: 放大电路的交流通路。 目的: 找出Au、 ri、 ro与电路参数的关系,为设计 打基础。

1. 微变等效电路法 微变等效电路: 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化,等效为一个线性元件。 1. 微变等效电路法 微变等效电路: 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化,等效为一个线性元件。 线性化的条件: 晶体管在小信号(微变量)情况下工作。因此,在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。 微变等效电路法: 利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。

晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 (1) 输入回路 当信号很小时,在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。 1) 晶体管的微变等效电路 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 (1) 输入回路 当信号很小时,在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。 IB UBE O 晶体管的 输入电阻 IB Q UBE 晶体管的输入回路(B、E之间)可用rbe等效代替,即由rbe来确定ube和 ib之间的关系。 输入特性 对于小功率三极管: rbe一般为几百欧到几千欧。

若是小信号微变量,可用电压和电流的交流量来代替。即 △ UBE = ube △IB =i b △ UCE = uce △IC =ic

一般在20~200之间,在手册中常用hfe表示。 (2) 输出回路 输出特性在线性工作区是 一组近似等距的平行直线。 IC UCE Q 晶体管的电流放大系数 晶体管的输出回路(C、E之 间)可用一受控电流源 ic= ib 等效代替,即由来确定ic和 ib之间的关系。 O 输出特性 一般在20~200之间,在手册中常用hfe表示。 rce愈大,恒流特性愈好 因rce阻值很高,一般忽略不计。 晶体管的输出电阻

3) 晶体管的微变等效电路 晶体三极管 微变等效电路 ic ic ib rbe B E C B C E uce + - ube + - uce + - ib ib ube + - 晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。

对地短路 短路 短路 RB RC ui uO RL RS es + – +UCC RS es RB RC C1 C2 T + – RL ui uo uBE uCE iC iB iE XC  0,C 可看作短路。忽略电源的内阻,电源的端电压恒定,直流电源对交流可看作短路。 对地短路 短路 短路 交流通路 RB RC ui uO RL RS es + – 用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。

2. 放大电路的微变等效电路 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 + 大电路的微变等效电 uO 路。 ui - ui RB RC ui uO RL + - RS eS ib ic B C E ii 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。 ib ic eS rbe ib RB RC RL E B C ui + - uo RS ii 交流通路 微变等效电路

分析时假设输入为正弦交流,所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。 2. 放大电路的微变等效电路 ib ic eS rbe ib RB RC RL E B C ui + - uo RS ii 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。 微变等效电路 rbe RB RC RL E B C + - RS 分析时假设输入为正弦交流,所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。

rbe rbe rbe Au rbe Au 1、电压放大倍数 Ic Ib Ui Uo _ – Ib Uo Ui RC Uo Ui + • Ui + _ rbe Ib Ib Ic RC RB Uo RL • (1)带负载时的电压放大倍数 = (RC//RL) Ib • – rbe Au = Ui • Uo = – (RC//RL) rbe Au = Ui • Uo = – RC rbe (2)不带负载时的电压放大倍数 翻页 返回

ri rbe ri ri 2、放大电路的输入电阻 Ii Ib Ic Uo _ Ui _ Ii Ui + RL + RB RC Ib • • • Ii Ib Ic Uo _ + RL + • • rbe Ui RB RC • _ Ib ri 放大电路的输入电阻定义为: = Ii • ri Ui ri = RB // rbe 对基本放大电放大电路 翻页 返回

ro rbe ro ro 放大电路 3、放大电路的输出电阻 Ii Ib Ic _ Uo US _ U  I RS I • + 对负载而言,放大电路相当于一个具有內阻的信号源,信号源的內阻就是放大电路的输出电阻。 • U US • =0 ro - • • • Ii Ib Ic 可用外加电压法 求ro + RS rbe • + _ RB RC RL Uo • US • Ib ro _ U • ro = RC  I 翻页 返回

rbe RB RC RL E B C + - RS 例1: ri rbe RB RC RL E B C + - RS RE 例2: ri

放大电路对负载(或对后级放大电路)来说,是一个信号源,可以将它进行戴维宁等效,等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。 5. 放大电路输出电阻的计算 放大电路对负载(或对后级放大电路)来说,是一个信号源,可以将它进行戴维宁等效,等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。 输出电阻是动态电阻,与负载无关。 RS RL + _ Au 放大 电路 + _ RL ro 定义: 输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小,负载变化时输出电压的变化愈小,因此一般总是希望得到较小的输出电阻。

例3: 外加 共射极放大电路特点: 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤: 1) 断开负载RL rbe RB RC RL E B C + - RS 外加 共射极放大电路特点: 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤: 1) 断开负载RL 2) 令 或 3) 外加电压 4) 求

例4: 求ro的步骤: 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 rbe RB RL E B C + - RS RE 外加

由uo和ui的峰值(或峰峰值)之比可得放大电路的电压放大倍数。 动态分析图解法 Q uCE/V t iB/A IB iC/mA IC uBE/V UBE UCE O Q1 RL= ic ib Q2 uo ui 由uo和ui的峰值(或峰峰值)之比可得放大电路的电压放大倍数。

1. 晶体管的微变等效电路 晶体三极管 微变等效电路 ic ic ib rbe B E C B C E uce + - ube + - uce + - ib ib ube + - 晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。

2. 放大电路的微变等效电路 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 + 大电路的微变等效电 uO 路。 ui - RB RC ui uO RL + - RS eS ib ic B C E ii 将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。 交流通路 rbe RB RC RL E B C + - RS

式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。 3.电压放大倍数的计算 rbe RB RC RL E B C + - RS 例1: 式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。 当放大电路输出端开路(未接RL)时, 负载电阻愈小,放大倍数愈小。 因rbe与IE有关,故放大倍数与静态 IE有关。

由例1、例2可知,当电路不同时,计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、 uo与ic 的关系。 3.电压放大倍数的计算 rbe RB RC RL E B C + - RS RE 例2: 由例1、例2可知,当电路不同时,计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、 uo与ic 的关系。

4.放大电路输入电阻的计算 输入电阻是对交流信号而言的,是动态电阻。 放大电路 信号源 + - + - 信号源 Au 放大电路 + - ri较小 1)Ii大,信号源的功率大,增加其负担。 的后果 2)Ui减小, ri 上分压小, Uo减小。 3) ri 为前级的负载 ri较小, A u ↓。

rbe RB RC RL E B C + - RS ri rbe RB RC RL E B C + - RS RE ri

输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小,负载变化时输出电压的变化愈小,因此一般总是希望得到较小的输出电阻。 5. 放大电路输出电阻的计算 输出电阻是动态电阻,与负载无关。 RS RL + _ Au 放大 电路 + _ RL ro 定义: 输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小,负载变化时输出电压的变化愈小,因此一般总是希望得到较小的输出电阻。

例3: 外加 共射极放大电路特点: 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤: 1) 断开负载RL rbe RB RC RL E B C + - RS 外加 共射极放大电路特点: 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 求ro的步骤: 1) 断开负载RL 2) 令 或 3) 外加电压 4) 求

例4: 求ro的步骤: 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 rbe RB RL E B C + - RS RE 外加

小结 1.关于 A u 1)RC或 RL增大,A u也增大。 2) rbe 增加。 (1)IE 一定时,β大,rbe大,但不是成线性比例 增加。 (2)β一定时, IE稍增加,rb rbe ↓,A u ↑。 (比β ↑效果好, IE ↑受限制。

A u = U / ES = UO / Ui × U/ES = - 4)考虑电源内阻(R S ) A u = U / ES = UO / Ui × U/ES = - 2.关于ri rO ( ri较大好, rO较小好) ri较小 1)Ii大,信号源的功率大,增加其负担。 的后果 2)Ui减小, ri 上分压小, Uo减小。 3) ri 为前级的负载 ri较小,A u ↓。 rO作为后级的输入(相当于电源内阻)分压大, 带载能力差。

由uo和ui的峰值(或峰峰值)之比可得放大电路的电压放大倍数。 2.3.5动态分析图解法 Q uCE/V t iB/A IB iC/mA IC uBE/V UBE UCE O Q1 RL= ic ib Q2 uo ui 由uo和ui的峰值(或峰峰值)之比可得放大电路的电压放大倍数。

2.3.6 非线性失真 如果Q设置不合适,晶体管进入截止区或饱和区工作,将造成非线性失真。 若Q设置过高, 动画 UCE Q uCE/V t iC/mA IC O 若Q设置过高, Q1 晶体管进入饱和区工作,造成饱和失真。 Q2 适当减小基极电流可消除失真。 uo

如果Q设置合适,信号幅值过大也可产生失真,减小信号幅值可消除失真。 动画 晶体管进入截止区工作,造成截止失真。 若Q设置过低, t iB/A uBE/V UBE O Q uCE/V iC/mA UCE 适当增加基极电流可消除失真。 uo ui 如果Q设置合适,信号幅值过大也可产生失真,减小信号幅值可消除失真。

2.4 静态工作点的稳定 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。 2.4 静态工作点的稳定 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路,简单、容易调整,但在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下,将引起静态工作点的变动,严重时将使放大电路不能正常工作,其中影响最大的是温度的变化。

温度升高时, IC将增加,使Q点沿负载线上移。 2.4.1 温度变化对静态工作点的影响 在固定偏置放大电路中,当温度升高时, UBE、  、 ICBO 。 上式表明,当UCC和 RB一定时, IC与 UBE、  以及 ICEO 有关,而这三个参数随温度而变化。 温度升高时, IC将增加,使Q点沿负载线上移。

当温度升高时, IC将增加,使Q点沿负载线上移,容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真,甚至引起过热烧坏三极管。 Q 温度升高时,输出特性曲线上移 Q´ 结论: 当温度升高时, IC将增加,使Q点沿负载线上移,容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真,甚至引起过热烧坏三极管。 Q O uCE 固定偏置电路的工作点 Q点是不稳定的,为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时,能够自动减少IB,从而抑制Q点的变化,保持Q点基本稳定。

2.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 +UCC I1 IC RB1 RC C2 C1 IB VB + I2 RS RL uo 2.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB 基极电位基本恒定,不随温度变化。

直流通路 RB2 RC IC IB T RB1 RE +UCC VB IE + _ UE UBE

RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB 集电极电流基本恒定,不随温度变化。

2.参数的选择 从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。 但 I2 越大,RB1、RB2必须取得较小,将增加损耗,降低输入电阻。 而VB过高必使VE也增高,在UCC一定时,势必使UCE减小,从而减小放大电路输出电压的动态范围。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB VE 在估算时一般选取: I2= (5 ~10) IB,VB= (5 ~10) UBE, RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。

Q点稳定的过程 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS RE:温度补偿电阻 对直流:RE越大,稳定Q点效果越好; 对交流:RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。 VB VE VB 固定 T IC VE UBE IC IB

估算法: RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + +UCC ui uo – IC RS eS VB

动态分析 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 如果去掉CE , Au,ri,ro ? 旁路电容 对交流:旁路电容 CE 将RE 短路, RE不起作用, Au,ri,ro与固定偏置电路相同。

RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 对地 短路 如果去掉CE , Au,ri,ro ? 短路 rbe RB RC RL E B C + - RS RE 去掉CE后的 微变等效电路

rbe RB RC RL E B C + - RS rbe RB RC RL E B C + - RS RE 开路短路法求

分压式偏置电路 有旁路电容CE 无旁路电容CE Au减小 ri 提高 ro不变

对信号源电压的放大倍数? RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + +UCC ui uo – RS eS 考虑信号源内阻RS 时 信号源

在图示放大电路中,已知UCC=12V, RC= 6kΩ, RE1= 300Ω, RE2= 2.7kΩ, RB1= 60kΩ, RB2= 20kΩ RL= 6kΩ ,晶体管β=50, UBE=0.6V, 试求: (1) 静态工作点 IB、IC 及 UCE; (2) 画出微变等效电路; (3) 输入电阻ri、ro及 Au。 例1: RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE1 RL + +UCC ui uo – RE2

(1)由直流通路求静态工作点。 解: RB1 RC RB2 RE1 +UCC RE2 + – UCE IE IB IC VB 直流通路

(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 rbe RC RL E B C + - RS RE 微变等效电路

rbe RB RC RL E B C + - RS rbe RB RC RL E B C + - RS RE 开路短路法求

2.5 射极输出器 es +UCC RB C1 C2 RS + ui uo RE RL – 因对交流信号而言,集电极是输入与输出回路的公共端,所以是共集电极放大电路。 因从发射极输出,所以称射极输出器。

es 2.5.1 静态分析 +UCC 直流通路 RB +UCC C1 IC C2 RB RS + IB ui UCE uo RE RL 2.5.1 静态分析 RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC 求Q点:

电压放大倍数Au1且输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。 2.5.2 动态分析 1. 电压放大倍数 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路 电压放大倍数Au1且输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。

2. 输入电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输入电阻高,对前级有利。 ri 与负载有关

射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。 3. 输出电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。

共集电极放大电路(射极输出器)的特点: 1. 电压放大倍数小于1,约等于1; 2. 输入电阻高; 3. 输出电阻低; 4. 输出与输入同相。

主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 射极输出器的应用 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻高,它常被用在多级放大电路的第一级,可以提高输入电阻,减轻信号源负担。 2. 因输出电阻低,它常被用在多级放大电路的末级,可以降低输出电阻,提高带负载能力。 3. 利用 ri 大、 ro小以及 Au 1 的特点,也可将射极输出器放在放大电路的两级之间,起到阻抗匹配作用,这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。

es 在图示放大电路中,已知UCC=12V, RE= 2kΩ, 例1: RB= 200kΩ, RL= 2kΩ ,晶体管β=60, UBE=0.6V, 信号源内阻RS= 100Ω,试求: (1) 静态工作点 IB、IE 及 UCE; (2) 画出微变等效电路; (3) Au、ri 和 ro 。 例1: RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS .

(1)由直流通路求静态工作点。 解: 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC

(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路

rbe RB RC RL E B C + - RS rbe RB RC RL E B C + - RS RE 开路短路法求

2.5 射极输出器 es +UCC RB C1 C2 RS + ui uo RE RL – 因对交流信号而言,集电极是输入与输出回路的公共端,所以是共集电极放大电路。 因从发射极输出,所以称射极输出器。

es 2.5.1 静态分析 +UCC 直流通路 RB +UCC C1 IC C2 RB RS + IB ui UCE uo RE RL 2.5.1 静态分析 RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC 求Q点:

电压放大倍数Au1且输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。 2.5.2 动态分析 1. 电压放大倍数 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路 电压放大倍数Au1且输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。

2. 输入电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输入电阻高,对前级有利。 ri 与负载有关

射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。 3. 输出电阻 rbe RB RL E B C + - RS RE 射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。

共集电极放大电路(射极输出器)的特点: 1. 电压放大倍数小于1,约等于1; 2. 输入电阻高; 3. 输出电阻低; 4. 输出与输入同相。

主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 射极输出器的应用 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻高,它常被用在多级放大电路的第一级,可以提高输入电阻,减轻信号源负担。 2. 因输出电阻低,它常被用在多级放大电路的末级,可以降低输出电阻,提高带负载能力。 3. 利用 ri 大、 ro小以及 Au 1 的特点,也可将射极输出器放在放大电路的两级之间,起到阻抗匹配作用,这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。

es 在图示放大电路中,已知UCC=12V, RE= 2kΩ, 例1: RB= 200kΩ, RL= 2kΩ ,晶体管β=60, UBE=0.6V, 信号源内阻RS= 100Ω,试求: (1) 静态工作点 IB、IE 及 UCE; (2) 画出微变等效电路; (3) Au、ri 和 ro 。 例1: RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo es RS .

(1)由直流通路求静态工作点。 解: 直流通路 +UCC RB RE + – UCE UBE IE IB IC

(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 rbe RB RL E B C + - RS RE 微变等效电路

耦合方式:阻容耦合,变压器耦合,直接耦合。 2.6 阻容耦合放大电路 2.6.1 耦合方式 耦合:在多级放大电路中,每两个单级放 大电路之间的连接方式。 耦合电路:实现耦合的电路 1.对前后级Q点不影响。 2.信号不失真。 3.减少信号电压在耦合 电路上的压降。 对级间耦合电路的基本要求: 耦合方式:阻容耦合,变压器耦合,直接耦合。

2.6.2 阻容耦合 两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接 RB1 RC1 RB2 RE1 RS RC2 CE2 RE2 RL + – RS RC2 C3 CE2 RE2 RL +UCC T1 T2 信号源 第一级 第二级 负载

两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。 1. 静态分析 RB1 RC1 C1 C2 RB2 CE1 RE1 + – RS RC2 C3 CE2 RE2 RL +UCC T1 T2 由于电容有隔直作用,所以每级放大电路的直流通路互不相通,每级的静态工作点互相独立,互不影响,可以各级单独计算。 两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。

微变等效电路 2. 动态分析 rbe RB2 RC1 E B C + - RS RC2 RL RB1 第一级 第二级

(1) 计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻; 例2: 如图所示的两级电压放大电路, 已知β1= β2 =50, T1和T2均为3DG8D。 (1) 计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻; (3) 求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。 RB1 C1 C2 RE1 + – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

解: (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。 第一级是射极输出器: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 + RE1 + – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 第一级是射极输出器:

第二级是分压式偏置电路 解: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 + T2 C2 T1 510 RE1 – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

第二级是分压式偏置电路 解: +24V RB1 RC2 C3 1M 10k 82k C1 + T2 C2 T1 510 RE1 – RC2 C3 CE +24V T1 T2 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k

(2) 计算 r i和 r 0 微变等效电路 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 由微变等效电路可知,放大电路的输入电阻 ri 等于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器,它的输入电阻ri1与负载有关,而射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。

(2) 计算 r i和 r 0 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _

(2) 计算 r i和 r 0 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _

(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 第一级放大电路为射极输出器

(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ 第二级放大电路为共发射极放大电路 总电压放大倍数

应用举例镍镉电池恒流充电电路 电池 R3 u2 Tr ~ 220V R2 S DZ + R5 R4 R1 – T 原理: 三极管工作 LED 电池 R3 u2 Tr D ~ 220V R2 S 50mA 100mA DZ 6V + R5 R4 R1 C – T 原理: 三极管工作 于恒流状态, 基极电位恒 为6V;调整 转换开关S 使充电电流 限制在50mA 和100mA; 性能: 正常充电时间 7小时左右;充 电电流为恒定 值;充电电流 大小由电池额定容量确定。

试求(1)静态工作点;(2)Au、ri 和 rO 。 [例3.2.1] 在射极输出器中 已知 UCC = 12V, RB = 240kΩ, RE = 3kΩ, RL = 6kΩ, RS = 150Ω, β= 50 。 RS uS + - RL iC iB T C2 C1 RB RE +UCC uO 试求(1)静态工作点;(2)Au、ri 和 rO 。 翻页 返回

(1)静态工作点 iC iB T uS uO 返回 UCC -UBE 12-7 RS uS + - RL iC iB T C2 C1 RB RE +UCC uO IB = ———————— = ————————— = 0.029mA UCC -UBE 12-7 RB +(1+β)RE 240 +(1+50)×3 IE =(1+β)IB = (1 + 50)×0.029 = 1.48mA UCE = UCC-REIE = 12-3×1.48 = 7.56V 返回

(2)Au、ri 和 r0 rbe ri r'i rbe = 200+ (1+β)— rbe . UO RS RE RL e b c Ib Ie IC rbe ri r'i US Ii βIb RB + - Uo (2)Au、ri 和 r0 rbe = 200+ (1+β)— IE 26 = 200+(1+50)×—— 26 1.48 = 1.20kΩ Au = ——————— = ———————————— = 0.99 (1+β)R'L rbe (1+50)(3//6) 1.20+(1+50)(3//6) ri = RB // [rbe+ (1+β)R'L ] = 240 // [1.2+ (1+50)(2//6) ]= 72.17kΩ rO = ———— = —————— = 26.47Ω rbe + RS 1+β 1200 + 150 1+50 返回 翻页

ri2 [例3.2.2] 多级阻容耦合放大电路的分析 iC2 uS uO iC2 T T 返回 翻页 T1 T2 . Ui +UCC RB1 RC RB3 iC2 C2 + C1 ib + T1 T2 C3 RS + - + R'E1 RE1 + RB2 uS RE2 uO RL CE - RB2 + - RC T C2 C1 RB1 CE +UCC ri2 . U01 Ui R'E1 RE1 RC + - RL iC2 T C3 C2 RB3 RE2 +UCC . U01 U0 翻页 返回

电压放大倍数 ri2 rbe1 +(1+β1)R'E1 rbe2 +(1+β2)(RE2//RL) Au = —— = —— • —— = A2 • A1 UO • Ui UO1 电压放大倍数 +UCC RC + - RL iC2 T C3 C2 RB3 RE2 +UCC . U01 U0 C2 RB1 RC + C1 + + T . + ri2 . U01 R'E1 RE1 Ui RB2 CE - - A1 = - ———————— rbe1 +(1+β1)R'E1 β1 (RC //ri2) ,A2 = ——————————— rbe2 +(1+β2)(RE2//RL) β2 (RE2//RL) ri1 = RB1//RB2//(1+β1)R'E1 , rO2 = RE2// ———————— rbe2 +(RB3//RC) 1+β2 输入电阻:ri = ri1 , 输出电阻:rO = rO2 , 本节结束 返回