阳极氧化ZnO-TFT的实验设计 ZnO的现阶段的研究 Zn膜实验设计 阳极氧化参数设计 1、氧化电流密度实验 2、氧化电压实验 2、性能优化 Al+Zn和Hf+Zn双层金属氧化实验
ZnO TFT的优势 高迁移率、可见光透明、低温工艺、环境友好等方面。 工艺简单而且工业设备和非晶硅的设备有很大的替代性 廉价的塑料/柔性衬底技术有很好的兼容性 ZnO TFT 在透明显示器中应用
现阶段研究 ZnO TFT 有源层的生长方式： 方法主要有脉冲激光沉积、磁控溅射、原子束沉积、化学气相沉积和电子束蒸发等.高性能ZnO TFT通常采用ALD的方法 考虑成本和工业应用和高迁移率、面积大等方面，采用ZnO靶材射频磁控溅射。但是，磁控溅射的ZnO 薄膜中存在大量的氧空位，导致ZnO-TFT的稳定性方面有很大的问题。而且溅射形成的ZnO在均匀性方面不能满足要求要求。 阳极氧化的方法，能实现与有机晶体管技术的兼容，工艺温度低与柔性技术兼容，工艺简化。
Zn膜实验设计 仪器：新溅射台 参数：RF功率：30W，40W，50W，70W 气压：0.2 ,0.3 0.5, 1 ， 气压：0.2 ,0.3 0.5, 1 ， 测试参数：电阻率，生长速率
功率 30 40 50 70 0.2Pa 生长速率 电阻率 0.3Pa 0.5Pa 1Pa 电阻率
阳极氧化参数设计 1、氧化电流密度 参数设置：0. 05 0.07 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 参数设置：0. 05 0.07 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 氧化电压：30V 测试参数：透过率，电阻率，载流子浓度， 需要完善补充实验： 电流密度0.15,0.2的全测试：XRD SEM 透过率参数：全部的电流密度参数的样品 注意：载流子浓度测试中，需要通过器件的性能间接的测出
电流密度 电阻率 载流子浓度 透过率 结晶状况XRD 结构SEM 0.05 0.07 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0..5 0.7 电流密度为0.05,0.07,0.1,0.12,0.3,0.5,0.7的样品需要补充透过率测试实验 电流密度为：0.15,0.2的样品需要测试所有项目
2、氧化电压的影响 电压参数：20 30 50 70 电流参数：0.05, 0.12, 0.2, 0.3 测试参数：透过率，电阻率，载流子浓度 XRD，SEM
ZnO-TFT器件 方案一： 1、Al：Nd膜（250nm） 2、阳极氧化形成栅介质：Al2O3 3、负胶，Gate或互联Gate 5、正胶，Active large 6、1:1000稀盐酸腐蚀 Zn ZnO Al2O3 Al Glass
Anodized ZnO S D Zn
方案二：大面积阳极氧化 S D 1、 溅射生长Al：Nd 250 nm 2、 阳极氧化108V，生长150nmAl2O3 3、 RF溅射生长50nmZn 4、 阳极氧化生长ZnO 5、 腐蚀出有源区图形 6、 溅射生长S/D电极 ZnO Al2O3 Al Glass S D
方案三：栅极图形化TFT 实验流程： 1、制备图形化栅电极（厚度薄） 2、阳极氧化制备栅电极 3、溅射生长Zn膜 4、阳极氧化生成ZnO 5、腐蚀出有源区图形 6、溅射生长S/D电极 S D ZnO G
2、ZnO-TFT性能优化 栅介质：Hf栅极HfO2栅介质 Ta栅极Ta2O5栅介质 退火处理：温度（150℃，200 ℃ ），气氛真空（真空，空气，N2，oxygen high-pressure annealing） Plasma treatment：N2O，O2 不同的氧化电压对器件性能的影响
选取适合的条件，在柔性衬底上进行制备TFT，实现透明柔性TFT的制备。 ZnO S D SiO2 ITO PEN
Al+Zn和Hf+Zn双层金属氧化实验 Al+Zn双层金属氧化 Hf+Zn双层金属氧化 对比两种氧化，分析双层阀金属氧化的机制 氧化参数：氧化电压，氧化电流密度 测试：XPS分析元素的分布 分析氧化的规律和机制 Hf+Zn双层金属氧化 对比两种氧化，分析双层阀金属氧化的机制
继续实验方案 依据现有的实验条件继续进行ZnO-TFT的制备： 实验的目的：研究不同电流密度下TFT性能 在氧化电压30V，氧化电流密度为：0.05,0.07,0.1,0.12条件下制备TFT器件 实验的目的：研究不同电流密度下TFT性能 电流密度：0.07,0.1 ,0.12 ,0.3 氧化电压：30V Zn ZnO Al2O3 Al Glass