Dr. Rational You IEK/ITRI 2002/04/25 奈米碳管在奈米電腦的應用 Dr. Rational You IEK/ITRI 2002/04/25 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

SET (單電子電晶體)﹕1.3°K (a) CNT-SET 在1.3°K 時量測到庫倫阻斷效應﹔ (b)元件結構圖 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

(a)以AFM在CNT 做出相距約20 nm 的連續彎曲的製作過程﹔ SET (單電子電晶體)﹕260°K (a)以AFM在CNT 做出相距約20 nm 的連續彎曲的製作過程﹔ (b)在260°K 時量到的CB 效應 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

CNT FET 元件 (a)上視圖﹔ (b)剖面圖﹔ (c)量測到在不同VSD 偏壓下ISD 對VG 變化 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

N 型CNT FET 的I-V特性圖﹕ (a)真空退火﹔ (b)鉀元素摻雜 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

CNT FET 反相器元件 (a)由N 與P 型CNT 所組合成的CNT FET 反相器元件結構圖﹔ (b) Vin-Vout 特性圖 (元件的電壓增益大於1) Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

具有分離式閘極的CNT FET 元件﹕ (a) 上視圖﹔ (b) 側視示意圖﹔ (c)利用Au 作為導線來連接多個CNT FET 的源極、汲極、閘極組合成各式的CNT 邏輯元件 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

以1~3 個CNT FET 組合成的邏輯元件 (a)Inverter (voltage gain=3~5)﹔ (b)NOR gate ﹔ (c)SRAM﹔ (d)Ring oscillator (frequency=5 Hz) Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

Separation Technology for CNT 在MWNT ／ SWNT 兩端加上固定電壓﹐使金屬性的一層(MWNT) ／一根 (SWNT)碳管燒毀﹐最後只有半導體性的留下。 在MWNT 兩端加固定電壓後﹐當MWNT 每層外殼燒毀時電流劇降的特性圖。 Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

Electric-Field-Assisted Assembly for CNT Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

Chemically Functionalized Template for CNT Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

Fluidic Alignment for CNT Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

Electric-Field Directed Growth for CNT Source: http://www.materialsnet.com.tw (2002/02)

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