Chapter 9 光顯示材料 本章大綱 9.1 光顯示技術發展概況 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料 9.3 場發射顯示材料

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1 Chapter 9 光顯示材料 本章大綱 9.1 光顯示技術發展概況 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料 9.3 場發射顯示材料
9.4 等離子體顯示材料 9.5 電致發光材料 9.6 發光二極管材料 9.7 液晶顯示材料

2 9.1 光顯示技術發展概況 顯示技術的發展 一百多年前德國布朗發明了陰極射線管 (Cathode Ray Tube，簡稱CRT)，實現了光電顯示。 由於CRT是電真空器件，有體積大、笨重、工作電壓高、輻射X線等不可克服的缺點，難以向輕便化、高亮度化、節能化方向發展。 這就促進了平板顯示 (Flat Panel Display，簡稱FPD) 技術的發展，特別是液晶顯示 (Liquid Crystal Display，簡稱LCD) 技術的發展。 液晶顯示具有低電壓、微功耗、易與集成電路相匹配、容易彩色化以及可被動式顯示等特點，所以在較短時間內發展成為一種新興產業。 20世紀60年代出現液晶顯示技術， 70年代形成扭曲向列液晶顯示(Twisted Nematic-LCD，TN-LCD)， 80年代發展到超扭曲向列液晶顯示(Super Twisted Nematic-LCD，STN-LCD)， 90年代發展到更高層次的薄膜晶體管有源矩陣液晶顯示(Thin Film Transistor Active Matrix-LCD，TFT AMLCD)。 圖9-1為光電顯示的分類示意圖，由圖可知，光電顯示分為投影式、直視式、虛擬式。投影顯示中CRT和AM˙LCD投影是主流。

3 9.1 光顯示技術發展概況 顯示技術的發展 圖9-1　光電顯示的分類

4 9.1 光顯示技術發展概況 顯示器件的性能 評價顯示器件的參數有很多，但關鍵參數有亮度、發光效率、對 比 、電壓、功耗、分辨率、灰度、壽命(穩定性)、視角、色彩、 響應時間等。 亮度 亮度指顯示器件的發光強度。它是指垂直於光束傳播方向單位面積上 的發光強度，單位為cd/m2。發光式顯示器件和受光式液晶顯示器件 (採用背照明透射式顯示)均採用亮度參數。 發光效率 發光效率(luminescene efficiency)是指顯示器件輻射出的單位能量(W) 所發出的光通量，單位為l m/W。一般發光式顯示器件的發光效率為 0.1 lm/W~1.5 lm/W，其中真空螢光顯示發光效率高達1 lm/W~10 lm/W。發光效率是衡量發光材料性能的非常重要的參數。 對比度 對比度表示顯示部分的亮度和非顯示部分的亮度之比。在室內照明條 件下對比度達5:1，能基本上滿足顯示要求。液晶有源矩陣顯示對比度 達到100:1以上。

5 9.1 光顯示技術發展概況 顯示器件的性能 評價顯示器件的參數有很多，但關鍵參數有亮度、發光效率、對 比 、電壓、功耗、分辨率、灰度、壽命(穩定性)、視角、色彩、 響應時間等。 灰度 灰度表示顯示器亮度的等級。以亮度的21/2倍發光強度的變化劃分等級。 灰度越高，圖像層次越分明，彩色顯示中顏色更豐富，圖像更柔和。 響應時間與餘輝時間 響應時間表示從施加電壓到顯示圖像所需要的時間，又稱為上升時間。 而當切斷電壓後到圖像消失所需要的時間稱為餘輝時間，又稱下降時 間。一般為微秒量級。視頻圖像顯示要求響應時間和餘輝時間加起來 小於50 ms才能滿足視頻的要求。 壽命和穩定性 發光顯示器件初始亮度衰減一半所需時間稱為半壽命，一般即指壽命。 受光顯示器件的主要顯示指標保持正常的時間為使用壽命。同時濕度、 溫度、紫外光等環境狀態和穩定性也是很重要參數。

6 9.1 光顯示技術發展概況 9.1.2 顯示器件的性能 色彩 視角 工作電壓和功耗
顯示顏色分為黑白、單色、多色、全色。顯示顏色是衡量顯示器件性 能優劣的重要參數。 發光顯示以紅光、綠光、藍光三基色加法混色得到任意顏色。CRT、 LCD及PDP已可顯示幾百種顏色。 視角 在受光式被動顯示中，觀察角度不同，對比度不同。在液晶顯示中視 角問題特別突出。由於液晶分子具有光學各向異性，液晶分子長軸和 短軸方向吸收不同，因而引起對比度不同，但LCD採用MVA(多疇垂直 排列)、IPS(共面轉換)、ASM(軸對稱多疇模式)、光學補償膜等各種手 段，視角特性能達到應用要求。 工作電壓和功耗 驅動顯示器件所施加的電壓為工作電壓。工作電壓與器件消耗電流的乘積為功 耗。因此，要求工作電壓低、功耗少，並容易與集成電路相匹配。

7 9.1 光顯示技術發展概況 光顯示材料特性 光顯示材料是指把電信號轉換成可見光信號的材料。從廣義角度 看，光顯示材料中也包括顯示屏支撐材料-玻璃基板。 光顯示材料分為發光材料和受光材料。物質發光過程有激發、能 量傳輸、發光三個過程。 受光材料是利用電場作用下材料光學性能的變化實現顯示的。例 如，改變入射光的偏振狀態、選擇性光吸收、改變光散射態、產 生光干涉等。材料電光特性變化的陡度、響應速度、電壓、功耗 等參數直接影響顯示器性能。

8 9.1 光顯示技術發展概況 9.1.3 光顯示材料特性 表9-1 各種光電顯示器件性能 參數 器件 大屏幕 全色 視角 分辯率 對比度 功耗
表9-1　各種光電顯示器件性能 參數 器件 大屏幕 全色 視角 分辯率 對比度 功耗 工作電壓 CRT LCD PDP FED FLD LED △ △◎ ◎ ○

9 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料

10 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料

11 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料 陰極射線發光材料具有高發光效率和寬發射光譜。 CRT發光材料特性：
這些光譜包括可見光區、紫外區和紅外區。 CRT發光材料特性： 發光材料: 陰極射線發光的能量效率 表示為整個發光過程各階段 過程效率的乘積，即 (9-1) 式中:  是散射因子；hv 是發射光子的平均能量；E 是形成電子-電洞 對的平均能量；S 是由熱電子-電洞對到發光中心的能量轉換的量子 效率；Q 式發光中心內部輻射躍遷的量子效率。 設定 S•Q=1。若 和E 已知，就可得 的值。E 值與材料禁度帶寬度 有關，一般取禁帶寬度Eg的2~3倍。只要取決於組成發光粉元素的原 子量和材料結晶狀態。因此， 值與顆粒幾何因子有關。尤其對高分 辨率顯示，發光粉顆粒尺寸要小於5m 。

12 9.2 陰極射線管(CRT)發光材料 發光粉表面電荷負載：當激發電壓降至”死電壓”以下，發光消 失。”死電壓”一般為1~2 kV。在低電壓下發光效率降低，主要原 因是表面形成非發光層(也稱”死層”)和產生空間電荷。 在高電流密度激發下，發光層表面容易變粗糙，形成無輻射 中心，降低發光效率。 敏化劑: 對發光材料來說，某種雜質有助於激活劑引起的發光， 使發光亮度增加，這類雜質叫敏化劑。敏化劑與共激活劑的作用 效果一樣，但兩者的作用原理不一樣。如上轉換材料YF3:Yb、Er 中Yb是敏化劑，Er是激活劑，通過YF3吸收激發能，把能量傳給 Er3+發光。

13 9.2.1 CRT發光材料原料性質 惰性雜質: 惰性雜質是指對發光性能影響較小、對發光亮度和顏色 不起直接作用的雜質，如鹼金屬、鹼土金屬。
色彩是紅、綠、藍三基色混合得到的。這三種基色在CIE(國際照 明委員會)色坐標圖中構成一個三角形，如圖9-2所示。紅、綠、藍 三點越接近曲線邊緣，顏色越純，即顏色越正，色飽和度越好。 三基色材料的色坐標必須適合PAL制的要求；每一單色螢光粉的 發光效率要高。當激發紅、綠、藍三基色發光粉的三束電流比在 顯示白場時，要接近1:1:1。典型CRT發光粉特性如表9-2所示。

14 9.2.1 CRT發光材料原料性質 圖9-2　CIE-xy色度圖

15 9.2.1 CRT發光材料原料性質 表9-2 CRT典型發光粉特性 組 分 發光色 主波長 (nm) 流明效率 (lm/W) 餘輝時間*
組　　　分 發光色 主波長 (nm) 流明效率 (lm/W) 餘輝時間* 用　　　途 藍 黃綠 紅 白 綠 450 530 626 560 525 544 636 21 17，23 13 – 8 8．7 6．7 S M L 彩色CRT 黑白CRT 示波管，雷達，投影管 投影管 微機CRT ZnS:Ag ZnS:Cu,Al Y2O2S:Eu3+ (Zn,Cd)S:Cu,Al Zn2SiO4:Mn2+ Y3(Al, Ga)5O12:Tb3+ Y2O3:Eu3+ Zn2SiO4:Mn2+As γ-Zn3(PO4)2:Mn2+

16 9.2.2 CRT發光材料的製備 CRT發光材料的製備製程可分為原料的製備、提純、配料、灼燒、 包膜處理等幾個步驟。
現以Y2O3 : Eu 作為代表介紹製備製程。按分子(Y0.96Eu0.04)2O3配 好料，與適當的助熔劑(如NH4Cl、Li2SiO3等)混磨均勻，裝入石英 坩鍋或氧化鋁鍋中，在1,340 oC下灼燒1 h~2 h，高溫出爐，冷至 室溫，在253.7 nm紫外光激發下選粉，用去離子水洗至中性，然 後進行包膜處裡。 包膜處禮方法是: 將粉放入矽酸鉀和硫酸鋁溶液中，混合攪拌幾分 鐘後，靜置澄清，倒去沉澱，水洗2~3次，再加GeO2的飽和溶液 充分攪拌(不水洗)。K2O˙xSiO2中x=1.5左右。反應式如下: 沉澱在Y2O3 : Eu顆粒表面上，GeO2的作用是防止Y2O3 : Eu在感 光膠中水解。

17 9.3 場發射顯示材料

18 9.3 場發射顯示材料 發光材料 在CRT、FED、VFD(真空螢光顯示，Vacuum Fluorescence Display)三 種顯示中均使用電子束激發的發光材料，但加速電子束的電壓不同。 CRT加速電壓為15 KV~30 KV，FED為300 V~8 KV，VED為20 V~100 V。 CRT採用逐點掃描方式，尋址時間短，約為奈秒量級，而FED採用矩陣 式逐行掃描方式，尋址時間為幾十微秒。FED的電流大並長時間尋址，使 發光粉庫倫負載很大，FED粉容易發光飽和並老化。 氧化物FED發光材料優於硫化物材料。在高電流密度激發下，ZnS基質材 料表面粗糙，易老化。另一方面，為防止表面電荷的積累，必須考慮發光 粉表面導電性。氧化物材料表面導電性好，因為氧化物材料具有高濃度的 氧空位和晶格間陽離子。 圖9-3為ZnGa2O4和ZnO:Zn的熱釋放光強度曲線。圖9-3表明，ZnGa2O4 具有高濃度和寬深度範圍的陷阱，是氧空位引起的。

19 9.3 場發射顯示材料 發光材料 圖9-3　ZnO:Zn和ZnGa2O4熱釋發光

20 9.3.2 冷陰極材料 CRT和FED的主要區別在於陰極結構和材料。前者採用熱陰極； 後者採用平面陣列的微尖冷陰極，微尖密度為106微尖/cm2~109微 尖/cm2(每像元對應1,000多個微尖)，平均電流密度可達103 A/cm2。 在室溫下，可利用微尖形成強電場並發射電子。 因此，要求微尖材料 功函數低、 穩定性好、 熱導率高、 擊穿電壓高等。

21 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 氣體材料 PDP氣體材料有He、Ne、Ar、Kr、Xe以及Hg蒸氣等。AC-PDP用Ne氣， DC-PDP用Ne、Ar、Hg混合氣體。彩色PDP用He : Xe (2%)或Ar : Hg混 合混合氣體。 前者Xe輻射147nm紫外光，後者Hg輻射253.7nm紫外光。 這些紫外光激發紅、綠、藍三基色螢光粉。Ne氣體放電輻射橙色光，因 此其顯示是單色的。在單色PDP中摻入Ar氣或Hg，可降低工作電壓。 Ne : Ar是混合氣放電電壓降低，其氣體放電工作原理用圖9-4氣體能級表 示。Ne原子亞穩激發能級略高於Ar離化能。所以，氣體放電時，Ar原子 容易電離。電離反應式為 式中: Ne*表示亞穩激發態； e- 表示電子。這種混合氣體稱為 Penning氣 體。

22 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 氣體材料

23 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 氣體材料 圖9-4　惰性氣體能級圖

24 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 三基色螢光粉

25 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 三基色螢光粉

26 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 三基色螢光粉

27 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 9.4.2 三基色螢光粉 PDP使用的螢光粉應滿足有關條件如：
(1)在真空紫外區高效發光； (2)在同一放電電流時，通過三基色螢光粉發光混合獲得白色光； (3)三基色螢光粉具有鮮明的色彩度； (4)在真空紫外光和離子轟擊下穩定性好； (5)塗粉和熱處理製程具有穩定性； (6)餘輝時間短。 PDP三基色螢光粉應具有遠紫外光且發光效率高，同時要求在紫 外光輻射和氣體放出離子條件下穩定性好。表9-3中列出三基色氧 化物螢光粉的組成、色彩和相對亮度。 電視顯示要求餘輝短的螢光粉，例如:紅色用Y2O3:Eu3+，綠色用 BaAl12O19:Mn2+，藍色用BaMgAl14O23:Eu2+。 如表9-4所示。PDP螢光粉燒結製作製程與CRT螢光粉和EL發光粉 相似。

28 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 9.4.2 三基色螢光粉 表9-3 PDP三基色螢光粉 發光材料 發光顏色 相對亮度(%)
BaMgAl14O23:Eu2+ (Ca、Sr、Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+ Y2SiO5:Ce3+ Zn2SiO4:Mn2+ BaO  6Al2O3:Mn2+ Y2SiO5:Tb3+ LaPO4:Ce3+、Tb3+ (Y、Gd)BO3:Eu3+ Y2O3:Eu3+ YVO4:Eu3+ 藍色 綠色 紅色 23 18 19 100 83 81 78 35 32 22 表9-3　PDP三基色螢光粉

29 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 9.4.2 三基色螢光粉 表9-4 PDP綠色螢光粉 螢 光 粉 相對量子效率 (147nm)
螢　光　粉 相對量子效率 (147nm) (170nm) 餘輝時間 (ms) (La0.87Tb0.13)PO4 (La0.6Ce0.27Tb0.13)PO4 (Gd0.87Ce0.1Tb0.03)PO4 (Y0.6Ce0.27Tb0.13)PO4 (Gd0.6Ce0.27Tb0.13)PO4 1.1 1.0 1.35 1.4 1.5 1.45 13 12 10 –

30 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 基板材料 PDP是由兩塊玻璃基板夾著惰性氣體和三色基螢光粉構成的。 PDP屏幕尺寸大，製程過程中玻璃基板要經過一系列的厚膜印刷 和高溫燒結，因此對玻璃基板要求高。通常燒結溫度在 450oC~600oC之間，封接溫度為380oC~400oC，排氣最高溫度為 350oC。 表9-5數據表明，PD200玻璃在熱膨脹係數、應變點、退火點、軟 化點方面均優於鈉鈣玻璃。 由表9-6可見，CS25應變點高，改善了熱性能，並具有足夠大的 楊氏弱性模量，使3 mm厚玻璃板滿足製程過程的機械強度要求。

31 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 9.4.3 基板材料 性能參數 PD200 鈉鈣玻璃 表9-5 PD200和鈉鈣玻璃性能比較
熱膨脹係數(1/K) 應變點(℃) 退火點(℃) 軟化點(℃) 密度(g/m3) 8310–7 570 620 830 2.77 8510–7 511 554 735 2.49 表9-5　PD200和鈉鈣玻璃性能比較

32 9.4 等離子體顯示材料(PDP) 9.4.3 基板材料 表9-6 CS25和標準鹼性玻璃特性 特 性 參 數 CD25 標準鹼性玻璃
特　性　參　數 CD25 標準鹼性玻璃 應變點(℃) 退火點(℃) 軟化點(℃) 熱膨脹係數 (50℃～30℃,10–7/K) 楊氏彈性模量(9.8103Pa) 密度(g/cm3) 體電阻對數值(  cm) 610 654 848 84 8.28 2.88 10.5 506 545 726 85 7.04 2.49 6.65

33 9.5 電致發光材料 發光材料在電場作用下的發光材料稱為電致發光 (Electroluminescence，EL)。
電致發光有高電場發光(又稱本徵發光)和低電場結型發光(也稱注 入型發光)。 前者發光材料是粉末或薄膜材料，後者是晶體材料。 電致發光是指高電場發光。低電場結型發光器件是發光二極體 (Light Emitting Diode，簡稱LED)。

34 9.5 電致發光材料

35 9.5 電致發光材料 9.5.1 無機電致發光材料 一、粉末發光材料
ZnS是粉末電致發光材料最佳基質材料。這種材料對ZnS純度要求 高，特別是Fe、Co、Ni等重金屬雜質含量要求低於0.1×10-6~ 0.3×10-6，同時要求結晶狀態好，有較好的分散性和流動性。 製備ZnS有硫化氫法、均相沉澱法、氣相合成法等。氣相合成法 製備的ZnS純度高、結晶狀態好，缺點是成本高。 在粉末ZnS材料中，發光特性是由一些特殊雜質(激活劑和共激活 劑)所決定。交流電場下，Cu是激活劑，Al3+、Ca3+、In3+、稀土 元素和Cl、Br、I是共激活劑。 發光特性與這些激活劑和共激活劑的元素、濃度、燒結條件等有 關。

36 9.5 電致發光材料 無機電致發光材料 表9-7列出粉末發光材料的基本特性和亮度特性。表9-7表明，ZnS材 料是主要基質材料，覆蓋可見光區，發光效率較高，為14 lm/V，但 亮度、效率、壽命、顏色方面還不足。 表9-7　粉末電致發光材料特性 發光材料 發光顏色 mas (nm) 尺寸小於10m顆粒所占比例(%) 亮度 (cd/m2) 擊穿電壓 (V) ZnS:Cu ZnS:Cu、Al ZnS:Cu、Mn (Zn、Cd)(S、Se):Cu 淺藍色 綠色 黃色 橙紅色 藍色 455 510 580 650 >60 >55 >50 >75 >65 19.9 59.7 350

37 9.5 電致發光材料 9.5.1 無機電致發光材料 圖9-5表示粉末EL材料發光光譜。可見ZnS基質發光粉光譜能覆蓋 可見光波段。
圖9-5　粉末交流電致發光光譜

38 圖9-6 ZnS:Cu,Cl粉末交流電致發光的形貌
9.5 電致發光材料 無機電致發光材料 圖9-6所示。Cu雜質主要起兩種作用:一是Cu取代Zn成受主，組成發 光中心；二是Cu析出在線缺陷上，形成導電性發光線。 圖9-6　ZnS:Cu,Cl粉末交流電致發光的形貌

39 9.5 電致發光材料 9.5.1 無機電致發光材料 二、薄膜發光材料：
將發光體制成薄膜後，在電場作用下發光，稱為薄膜電致發光 (Film Electroluminescence，稱為FEL)。 薄膜電致發光器件由襯底玻璃板、ITO電極、絕緣層 、發光層 、 絕緣層 和背金屬電極組成。 發光材料要求覆蓋整個可見光範圍，禁帶寬度大於3.5 eV。寬禁 帶II – VI族化合物半導體，例如ZnS、CaS、SrS、Zn2SiO4和 ZnGa2O4等。 表9-8列出FEL基質材料的物理性質。表9-8所列出的禁帶寬度在 3.83eV以上，在可見光區透明。在這些基質材料中參入過渡金屬 (Mn)或稀土元素(Eu、Tb、Ce)而得到發光中心。

40 9.5 電致發光材料 9.5.1 無機電致發光材料 表9-8 EL基質材料性能
表9-8列出EL基質材料的物理性質。表9-8所列出的禁帶寬度在 3.83eV以上，在可見光區透明。在這些基質材料中參入過渡金屬 (Mn)或稀土元素(Eu、Tb、Ce)而得到發光中心。 表9-8　EL基質材料性能 晶體結構 ZnS 閃鋅礦 CaS 石鹽 SrS CaGa2S4 正交晶系 SrGa2S4 ZnGa2O4 尖晶石 Zn2SiO4 鈹石矽 晶格常數 (nm) 離子性 Eg(eV) 介電常數 0.623 3.83 8.32 ≥0.785 4.41 7.30 4.30 9.40 a=2.009 b=2.009 c=1.211 – 4.20 15.0 a=2.084 b=2.049 c=1.221 4.40 1.40 8.37 5.40

41 9.5 電致發光材料 9.5.1 無機電致發光材料 表9-9 FEL材料
ZnS : Mn2+是典型的薄膜電致發光材料。 ZnS 晶格是由 Zn 和 S 原子組 成的閃鋅礦晶系。ZnS : Mn光流明效率可達到4 lm/W~5 lm/W，激發頻率 為60Hz，最高亮度為300mcd/m2~500 mcd/m2 表9-9　FEL材料 發光材料 發光顏色 CIE x Y 亮度(cd/m2) 60 Hz 光流明效率 (lm/W) ZnS:Mn2+ CaS:Eu2+ ZnS:Mn （加濾光片） ZnS:Tb SrS:Ce SrGa2S4:Ce 黃色 紅色 綠色 藍色 白色 0.5 0.68 0.65 0.30 0.15 0.44 0.50 0.31 0.35 0.60 0.10 0.19 0.48 300 12 65 100 5 10 470 3～6 0.2 0.8 0.6～1.3 0.8～1.6 0.3 1.5

42 9.5.2 有機電致發光材料 近來，有機電致發光(Organic Electroluminescence，簡稱OEL)取 得令人興奮的進展。在無機電致發光中發出藍色光是一個難題， 但在有機材料中卻容易得到高亮度的藍色光。 圖9-7列出一些有機電致發光材料。 芳香族胺類材料是主要電洞(hole)傳輸材料，具有較高的電洞遷移 率(hole mobility)，禁帶寬等特點。 多層結構有機電致發光器件中電洞傳輸層起電子阻擋層作用。 圖中TPD和NPB是典型的電洞傳輸材料。 Alq3、BAlq3、BeQ2、DPVBi等材料是基質材料。 其中Alq3是最常用的材料，電子遷移率為10-5 cm2/(V.s) ，電致發 光響應速度小於1s，一般發光層厚度為100 nm，驅動電壓為10 V左右。

43 9.5.2 有機電致發光材料 Toshiba 3.5 inches Full color OLED

44 9.5.2 有機電致發光材料 圖9-7　有機電致發光材料

45 9.5.2 有機電致發光材料 表9-10列出Alqs(8羥基喹啉的Al配合物)三基色發光特性。表9-10說明， OEL光流明效率高，綠光色度接近CRT，但藍光和紅光色度純度低。這 是由於光譜譜帶寬，需要調整摻雜濃度，改進半寬度。改進基質和摻雜 劑，可提高流明效率。 表9-10　Alqs發光特性 發光顏色 藍 綠 紅 基質材料 摻雜材料 亮度(cd/m2) CIE x CIE y 驅動電壓(V) 流明效率(lm/W) Balq 芘 355 0.163 0.194 10 0.56 Alq 香豆素 1 980 0.263 0.619 8 3.9 DCJT 770 0.616 0.381 9 1.3

46 9.6 發光二極管材料 發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)是輻射光的半導體二 極管。施加正向電壓時，通過pn結分別把n區電子注入到p區、p區 電洞注入到n區，電子和電洞複合發光，把電能直接轉化成光能。 LED是能量轉換效率較高的固體發光器件，具有小型化、高效率、 長壽命、堅固可靠、低電壓(約2V)、低電流(20 mA~50 mA)等特 性。

47 9.6.1 材料特性和發光機理 LED是pn結本徵發光器件。要獲得各種顏色的LED、 並有高效率發光，LED材料應具備三個條件:
(1)材料的導電性易控制； (2)對發射光的透明性好； (3)發光躍遷機率高。

48 9.6.1 材料特性和發光機理 一、材料導電性能易控制 二、對發射光的透明性好
LED器件結構核心是pn結。要製作pn結，需要在高純度單晶材料中摻入極 少量施主或受主雜質，得到n型材料或p型材料，且這些材料要有良好的導 電性。GaAs、GaP等III – V族材料具有這種性能。在GaAs中雜質濃度和 化學計量比偏差引起本徵缺陷濃度低於時，可得到低電阻n-GaAs或p- GaAs。容易製作pn結GaAs LED。 二、對發射光的透明性好 半導體和絕緣體材料具有吸收端。當光能量低於吸收端時，光可以透過； 當光能量高於吸收端時，光被吸收，不能透過。材料的光吸收端就是該材 料的禁帶寬度。一般來說本徵發光能量略微低於禁帶寬度約0.1 eV。圖9-8 為III – V族化合物半導體材料的禁帶寬度和發光波長。此圖表明，可利用 三元系或四元系混晶方法得到任意禁帶寬度，因而，可得到任意波長的發 光。

49 圖9-8 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體禁帶寬度與晶格常數的關係
9.6.1 材料特性和發光機理 圖9-8為III – V族化合物半導體材料的禁帶寬度和發光波長。此圖 表明，可利用三元系或四元系混晶方法得到任意禁帶寬度，因而， 可得到任意波長的發光。 圖9-8　Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體禁帶寬度與晶格常數的關係

50 9.6.1 材料特性和發光機理 三、發光躍遷機率高 LED注入發光是由p區少數載子(carrier)一電子和n區少數載子一電洞分 別與p區多數載子一電洞和n區多數載子一電子相結合而發光，亦即一 對電子和電洞結合輻射1個光子。 從能量守恆角度，電子和電洞結合前後動量要守恆，光子本身動量很 少，所以要求電子和電洞動量之和接近零。滿足這種條件時，光吸收 或光輻射過程的躍遷機率高。這過程稱為直接躍遷(direct transition)。 不滿足上述動量守恆條件時，發光前後能量差傳送到晶格，增加晶格 振動能。這種發光躍遷過程稱為間接躍遷(indirect transition)。 兩種躍遷機率完全決定於能帶結構。

51 (a)直接躍遷(GaAs) (b)間接躍遷(GaP) (c)等電子陷阱(GaP:N) 圖9-9 能帶結構模型
9.6.1 材料特性和發光機理 圖9-9為能帶結構圖。由圖9-9(a)可知，直接躍遷的價帶頂和導帶 底處在同一位置。圖9-9(b)表示間接躍遷，導帶底和價帶頂不處在 同一位置，結果發光效率低。為了改善發光效率，在GaP中摻入N 原子，形成等電子陷阱，見圖9-9(c)。等電子陷阱束縛激子，通過 激子發光提高了發光效率，發光效率仍低於直接躍遷，但比間接 躍遷高。 (a)直接躍遷(GaAs)　(b)間接躍遷(GaP)　(c)等電子陷阱(GaP:N) 圖9-9　能帶結構模型

52 圖9-10 GaPxAs1-x禁帶寬度、外量子效率與x的關係
9.6.1 材料特性和發光機理 圖9-10表示GaAs和GaP混晶系能帶結構變化。直接躍遷的GaAs和間接躍遷的GaP混晶形成三元系時，GaP摩爾比增加，禁帶變寬，發光波長向短波移動。 圖9-10　GaPxAs1-x禁帶寬度、外量子效率與x的關係

53 9.6.1 材料特性和發光機理

54 9.6.2 材料製備 LED襯底材料是單晶體，其中GaAs、GaP、InP單晶體已工業生 產，生產時一般採用水平布裏奇曼法(Bridgeman method)、液封 提拉法和外延生長法。 包括液相磊晶(Liquid Phase Epitaxial，LPE)、氣相磊晶(Vapor Phase Epitaxial，VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機化合物化學 氣相沉積(MOCVD)等。 磊晶製程是LED器件製作的關鍵製程。表9-11中歸納了各種LED的 製作方法和性能。

55 9.6.2 材料製備 表9-11 各種LED製作法和性能 材料 製作方法 發光色 波長 (nm) 外量子效率 流明效率 亮度 (mcd)
發光層 襯底 產品(%) 最高(%) 產品 (lm/W) 最高 GaP(Zn,O) Ga0.65Al0.35As GaAs0.6P0.4 GaAs0.45P0.55(N) GaAs0.35P0.65(N) InGaAlP GaAs0.25P0.75(N) GaAs0.15P0.85(N) GaAs0.1P0.9(N) GaP(N) GaP ZnTe0.1Se0.9 GaAs GaAlAs ZnSe LPE LPE(SH) LPE(DH) VPE+擴散 MOCVD(DH) MBE(DH) 紅 橙 黃 黃綠 純綠 綠 700 660 650 630 620 610 590 583 566 565 560 555 512 約4 約3 約15 0.1 0.2 0.3 4.2 0.12 – 0.10 0.08 15 7 21 0.15 0.5 0.65 0.60 0.25 1.2 6.20 0.7 5.3 約0.8 約1.2 約6.6 0.04 0.6 1.0 0.55 1.8 0.96 0.54 3.0 2.1 0.07 0.35 2.0 1.1 4.3 1.6 1.36 17 30 500 3 000 20 100 300 200 2 500 800 250

56 9.6.3 各種LED的性能 由表9-11可見，GaAlAs雙異質結紅色LED亮度達到3cd，InGaN雙 異質結藍光達到2.5cd，已在開發的有InGaAlP混晶高亮度黃光LED。 一、GaP : ZnO紅光LED 1970年GaP紅光LED開始進行工業生產，用LPE法在GaP襯底上外延 生長pn結髮光層。Zn-O對等電子中心作為發光中心，發光效率最高達 到15%，是當前廣泛應用的紅光LED。 二、GaP : N綠光LED 生產技術類似於GaP : ZnO紅光LED，但摻入雜質不同。摻N得到等電 子陷阱，發光波長565 nm，發光效率0.3%~0.7%，發光效率低，但比 視感度比紅光高10倍，肉眼感覺很亮。 三、GaAsP紅光LED GaAs1-xPx系中x值不同，發光由紅外波長到綠光波長。用VPE法生長 n型GaAsP，然後擴散Zn得到pn結。發光波長為650 nm。

57 9.6.3 各種LED的性能 四、GaAlAs系LED 五、InGaAlP系橙、黃光LED 六、GaN系藍光LED
Ga1-xAlxAs系隨x值增大禁帶寬度增大，發光波長由900 nm變到640 nm。因此用GaAlAs作襯底，異質結(SH)或雙異質結(DH)提高發光效率。 在20 mA條件下，工業生產SH結構外量子效率為3%，DH結構外量子效 率為15%，亮度達到3,000 mcd，可應用於汽車尾燈、道路指示。 五、InGaAlP系橙、黃光LED InGaAlP混晶組分比在很大範圍內具有直接躍遷的能帶結構，是近幾年 得到應用的新型LED材料。發光波長660 nm到555 nm之間具有直接帶 結構，由紅光到綠光波段內將能得到高效LED器件。InGaAlP LED，黃 光和橙光亮度為1,000 mcd以上。如圖9-11為InGaAlP橙光LED的斷面 結構。 六、GaN系藍光LED GaN具有直接躍遷的寬禁帶結構，是很有潛力的藍光材料，但很難製備 單晶體和p型單晶薄膜。

58 9.6.3 各種LED的性能 表9-11 各種LED製作法和性能（續） 材料 製作方法 發光色 波長 (nm) 外量子效率 流明效率 亮度
(mcd) 發光層 襯底 產品(%) 最高(%) 產品 (lm/W) 最高 In0.23Ga0.77 N(Si,Zn) ZnSe-ZnCdSe SiC(N,Al) In0.06Ga0.94 Al2O3 ZnSe SiC Al2O3  MOCVD(DH) MBE(DH) LPE 藍綠 藍 500 489 470 450 – 0.02 3.8 2.4 1.3 0.05 5.4 3．6 1．6 2 000 30 2 500

59 9.6.3 各種LED的性能 圖9-11　InGaAlP橙色LED結構

60 圖9-12InGaN/AlGaN雙異質結構LED結構
中村等人研製成功InGaN DH結構藍色LED，斷面結構如圖9-12所示。它的發光波長450 nm，亮度為2,500 mcd。這一結果展示了LED彩色化顯示的前景。 圖9-12InGaN/AlGaN雙異質結構LED結構

61 9.7 液晶顯示材料 1888年奧地利植物學家Reinitzer發現了熱致液晶(thermotropic liquid crystal)，至今已有一百多年的歷史。 所謂液晶(liquid crystal)是介於晶體和液體之間的中間態。液晶具 有晶體的各向異性和液體的流動性，又稱為流動晶體或液態晶體。 液晶的流動性表明，液晶分子之間作用力是微弱的，要改變液晶 分子取向排列所需外力很小。例如，在幾伏電壓和每平方釐米幾 微安電流密度下就可以改變向列液晶分子取向。 另一方面，液晶分子結構決定了液晶具有較強的各向異性的物理 性能，稍微改變液晶分子取向，就明顯地改變液晶的光學和電學 性能。

62 9.7 液晶顯示材料

63 9.7 液晶顯示材料

64 9.7.1 液晶分子結構和分類 根據液晶分子幾何形狀分為棒狀分子、板狀分子和碗狀分子。液 晶顯示主要用於棒狀分子液晶。 一、棒狀液晶
棒狀液晶分子是由中心部和末端基團組成的。中心部是由剛性中心 橋鍵連接苯環(benzene ring)、聯苯環(biphenyl ring)、環己烷 (cyclohexane)、嘧啶環(pyrimidine ring)等組成。中心橋鍵是雙鍵、 酯基(alkyoxycarbonyl)、甲亞胺基(methyleniminl)、偶氮基(azo- group)、氧化偶氮基(azoxy)等功能團。末端基團有烷基(alkyl)、烷氧 基(alkoxy)、酯基、羧基(carboxy)、氰基(cyano-)等。中心部和末端 基不同組合形成不同液晶相和不同物理特性。當棒狀分子幾何長度(L) 和寬度(d)比L/d>4時，才具有液晶相。 二、液晶相 液晶分子結構和分子之間相互作用不同，液晶分子取向排列不同， 可分三大類，即向列相、近晶相和膽甾相。

65 9.7.1 液晶分子結構和分類 (a)向列相液晶 (b)膽甾相液晶 (c)近晶相液晶 圖9-13　液晶相和分子排列

66 9.7.1 液晶分子結構和分類 (1)向列相(mematic): (6-2) (2)膽甾相(cholesteric):
如圖9-13(a)所示，在長軸方向上，液晶分子之間平行排列，但分子 重心隨機分佈。如圖9-14中所示，取小區域，其區域內液晶分子平 均取向表示為指向矢(director)n，液晶分子有序度S表示為 (6-2) 式中: 表示 v 內 的平均值；i 表示指向量n 和某 一液晶分子長軸之間夾角。液晶分子長軸與 n 完全平行，即 i =0時， 亦即 S = 1。液晶分子無取向，隨機分佈時， ，S= 0。 一般向列相 S = 0.5~0.6。 (2)膽甾相(cholesteric): 如圖9-13(b)所示為膽甾相液晶分子排列，每分子層內液晶分子排列 與向列相一致，每層之間指向矢n有錯位，成螺旋結構，分子層法線 為螺旋軸，螺距P表示指向矢旋轉360o所經過的距離。膽甾相液晶多 數是板狀液晶。

67 9.7.1 液晶分子結構和分類 (6-2) 取小區域，其區域內液晶分子平均取向表示為指向向量(director)n，液 晶分子有序度S表示為
式中: 表示 內 的平均值；i 表示指向量n 和某一 液晶分子長軸之間夾角。液晶分子長軸與 n 完全平行，即 i =0時，亦即 S = 1。液晶分子無取向，隨機分佈時， ，S= 0。一般向列 相 S = 0.5~0.6。 圖9-14　液晶指向向量和有序參數

68 9.7.1 液晶分子結構和分類 (3)近晶相(smectic): 表9-12 近晶相分類
層面與液晶 分子長軸 層內二維無序 六方晶系二維有序 分子長軸傾斜方向 二維晶體 三維有序 小 大 垂 直 傾 斜 SmA SmC SmB SmI SmF SmL SmJ SmG SmE SmK SmH － 對角線方向 邊方向 表9-12　近晶相分類

69 9.7.1 液晶分子結構和分類 三、液晶材料特性和器件要求 光顯示技術對液晶材料的物理參量的主要要求如下:
(1)介電各向異性()：液晶材料的介電各向異性是指平行和垂直於分子 軸的介電常數之差: 是液晶材料最主要的物理參量之一，它決定著液晶分子在電場中的行 為，如臨界電壓、響應速度等。 (2)光學各向異性(n)：光在液晶中傳播時，非常光(e光)的折射率與尋常 光(o光)的折射率之差為光學各向異性。 即 若n >0，稱為正光性液晶，反之n <0，為負光性液晶。會影響液晶顯 示器件的視角、對比度、響應速度等。 (3)粘度(V)：液晶材料的粘度對顯示器件的電光響應速度影響很大，而且 隨溫度降低，V增加很快，這就是液晶顯示在低溫下不能正常工作的主要 原因。

70 9.7.1 液晶分子結構和分類 三、液晶材料特性和器件要求 光顯示技術對液晶材料的物理參量的主要要求如下:
(4)閾值電壓(V10)：加電壓後使液晶顯示器件的透光率達到10%時所需的 電壓稱為閾值電壓。在一般的筆劃顯示中希望V10要低，以便可使用一個 電池(1.5 V)即可驅動。 (5)彈性常數比(k33/k11)：k33為液晶材料的彎曲彈性常數，k11是展曲彈性 常數。 k33/k11的大小與液晶電光曲線的陡度有關。比值愈小，電光曲線 就愈陡峭，掃描線數就愈多。

71 9.7.2 常用的LCD材料 按中心橋鍵歸納主要類型有如下十幾種。 一、甲亞胺類
此類液晶應用於動態散射(Dynamic Scattering，DS)和電控雙折射(Electric Control Birefringence，ECB)模式。表9-13中。TN-LCD初期用此類液晶材 料。但西夫堿基容易吸收水分解，穩定性差，未能得到實際應用。 序號 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I No1 No2 No3 No4 CH3O- C2H5O- C3H7- C4H9O- C4H9- -CN 22 37 65 47 80 77 108 負 正

72 9.7.2 常用的LCD材料 二、安息香酸酯類 這類液晶化合物中心部兩個苯環之間由酯類連接，其分子結構和典型化 合物列入表9-14中。這類液晶穩定性好，化合物品種豐富，具有多種性 能，混合液晶的主要組分得到廣泛應用。 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I CH3O- CH30- C5H11- C6H13- C6H13O- -CN 55 29 (33) 45 77 42 (12) 47 負 正

73 9.7.2 常用的LCD材料 三、聯苯類和聯三苯類 這類液晶是正性液晶，是末端基為烷基和烷氧基的氰基聯苯液晶化合物。 它具有無色、化學性能穩定、光化學性能穩定、介電各向異性及粘度和 雙折射率等數值適中的特點，廣泛應用於LCD。 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I C5H11O- C6H13- C5H11- C7H15O- -CN 24 14 48 54 182 35 29 68 74 257 正 73

74 9.7.2 常用的LCD材料 四、環己烷基碳酸酯類 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I C4H9- C5H11- C3H7-
這類液晶化合物於表9-16中。它們的特點是粘度低(v<20×10-6 m2/s)、溫度 範圍寬。當Z末端基為烷基、烷氧基時，粘度很低，是快速響應混合液晶 的主要組分。 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I C4H9- C5H11- C3H7- C6H13- C2H5O- C5H11O- -CN 26 37 47 29 54 31 78 66 69 負 正 74

75 9.7.2 常用的LCD材料 五、苯基環己烷基類和聯苯基環己烷基類 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I C3H7- C5H11- -CN
C3H7- C5H11- -CN 43 30 95 45 55 219 正 75

76 9.7.2 常用的LCD材料 六、嘧啶類 表9-18列出典型的嘧啶類液晶材料。這類液晶具有介電各向異性大 、 溫度範圍寬、彈性常數比 很小的特點，用於寬度範圍、低閾值、多 路驅動顯示。 Y Z 相變溫度(℃) C-N N-I C7H15- C6H13- -CN C6H13O- C9H190- 44 94 31 37 50 246 60 61 正 76 76

77 9.7.2 常用的LCD材料 七、環己烷類乙基類 表9-19所列液晶化合物具有乙基中央橋鍵的環乙烷基類化合物的特點。主 要特點是粘度低，尤其兩端末端基均為烷基或烷氧基時，粘度很低，彈性 常數比 約為1.0。因此，這類液晶是快速響應的多路驅動材料。 n M 相變溫度(℃) C-N(S) S-N N(S)-I C3H7- C5H11- C7H15- C2H5O- -CN 21 18 38 30 45 – 34 46 51 55 負 正 77 77 77

78 9.7.2 常用的LCD材料 八、環己烯類 表9-20為環己烯液晶的典型化合物。這類液晶特點是低粘度和低雙折射 率 。 N m
表9-20為環己烯液晶的典型化合物。這類液晶特點是低粘度和低雙折射 率 。 N m 相變溫度(℃) C-N(S) S-N N(S)-I 3 5 7 (–11) (29) (4) 12 36 21 27 39 30 78 78 78 78

79 9.7.2 常用的LCD材料 九、二苯乙炔類 烷基烷氧基二苯乙炔類典型液晶化合物如表9-21所示。這類液晶具有大 雙折射率、低粘度、高相變溫度的特點。 n m X 相變溫度(℃) C-N N-I 3 4 5 2 – F CH3 89 54 45 62 42 96 80 51 79 79 79 79

80 9.7.2 常用的LCD材料 十、二氟苯撐類 表9-22列出2，3-二氟苯撐類液晶化合物。這類液晶分子側鏈引入二個氟原 子，使介電各向異性為負，同時粘度低。 分子結構 相變溫度(℃)  n  C51N631 C87Sn(81)SA98N222I C57N61I C84N2291 –4.6 –4.1 –4.4 -4.1 0.09 0.11 0.25 0.29 18 37 17 27 80 80 80 80

81 9.7.2 常用的LCD材料 十一、手性摻雜劑 向列液晶裏摻入具有螺旋結構的手性材料，可以控制TN-LCD中液晶分子 扭曲方向，防止向錯缺陷，同時在WBE和STN顯示中控制液晶分子扭曲 角度和螺距等。表9-23列出典型的手性劑化合物。 81 81 81 81

82 9.7.2 常用的LCD材料 82 82 82 82

83 9.7.2 常用的LCD材料 十二、鐵電液晶材料 鐵電液晶分子具有三個條件:
(1)分子具有手性基； (2)在分子長軸垂直方向上有永久偶極子； (3)具有S*相，例如S*c、 S*l 相等。 具有這種特性的液晶化合物以合成了2,000多種。鐵電液晶分子與 向列液晶分子的中央部分結構一致，末端烷基或烷氧基比向列液晶 稍長。主要差別在另一末端有間隙部和手性基。表9-24和表9-25分 別列出手性基和間隙部基團。 83 83 83 83

84 9.7.2 常用的LCD材料 表9-24　鐵電液晶化合物的手性基種類 84 84 84 84

85 9.7.2 常用的LCD材料 (A) (B) (C) (D) (E) — —O— —COO— —OCO— —OCOO— (F) (G)
表9-25　間隙部的種類 (A) (B) (C) (D) (E) — —O— —COO— —OCO— —OCOO— (F) (G) (H) (I) —CO— —OCnH2nO—(n=3～5) —CH=CH0— —CH=CXCOO— (X=H，CN，Cl，CH3) 85 85 85 85

86 9.7.3 配向材料 因為液晶分子之間相互作用力微弱，器件中基板表面狀態直接影響 液晶分子配向排列，利用基板表面塗布取向材料控制液晶分子排列。 取向材料要求強附著力、透明、穩定、絕緣性能好等。 聚醯亞胺系取向膜材料的特點是單體的聚醯胺酸具有良好的可溶性， 作塗布材料容易調解濃度和粘度，可通過固化形成不熔不溶的穩定 的透明膜。圖9-15表示聚醯亞胺系高分子的聚合反應。 86 86 86 86

87 9.7.3 配向材料 87 87 87 87

88 9.7.3 配向材料 88 88 88 88

89 9.7.3 配向材料 圖9-15　聚醯亞胺系高分子的聚合反應路線 89 89 89 89

90 9.7.3 配向材料 表9-26列出聚醯亞胺系材料的結構和特點。
表9-26表明R1和R2結構不同，聚醯亞胺取向膜熱穩定性、附著力、透明性、 預傾角及固化溫度都不同。 No R1的結構 R2的結構 特點 1 2 3 4 5 6 耐熱穩定性好 化學穩定性好 和基板聚密結合好 透明性好 穩定性好 耐化學性好 傾角大 低溫固化性好 90 90 90 90

91 9.7.4 偏振膜 TN、STN、FLC等LCD器件均是調製偏振光的顯示器，因此偏振膜是 不可缺少的材料。偏振膜利用雙色性、雙折射、反射和散射等光學性 質的某一種。 液晶顯示用偏振膜是利用高分子膜雙色性製作。 一般用PVA(聚乙烯醇，polyvinyl alcohol)薄膜作偏振膜基片，用濕式延 伸法均勻拉伸PVA膜，使PVA分子按延伸方向排列，同時吸附碘化物或 染料，得到偏振基片。為了提高耐熱、耐濕性，用硼碳、乙二醛等的交 聯反應，減小OH基的聚乙烯化。 為確保偏振膜的壽命和機械強度，偏振基片兩面借粘接劑粘貼醋酸纖維 薄膜或聚酯膜或聚碳酸酯薄膜，使偏振膜的耐熱、耐濕性能提高。這種 支撐膜具有無雙折射、透明、表面平滑、耐熱、耐濕、高機械強度等特 點。 91 91 91 91

92 9.7.4 偏振膜 92 92 92 92

93 9.7.5 ITO玻璃 93 93 93 93

94 9.7.5 ITO玻璃 把ITO(銦錫氧化物)塗布在平板玻璃上可形成ITO玻璃(又稱透明導電玻 璃)。 一、玻璃基板 二、ITO膜
TN和STN使用鹼石灰玻璃，TFT-LCD使用無鹼玻璃、硼矽玻璃、石英玻 璃等。表9-27列出玻璃的組分和特性。TN和STN器件製造製程的最高溫 度為450oC，容許伸縮量小於。鹼金屬對TFT影響很大，因此TFT LCD使 用無鹼金屬。多晶矽TFT製作製程的最高溫度650oC，所以使用熔融石英 玻璃。 二、ITO膜 ITO膜是透明導電膜，是一種含氧空位的n型氧化物半導體材料。ITO膜主 要性能有電阻率、透過率、穩定性及蝕刻特性。ITO膜電阻率和透過率與 氧化銦中錫含量、氧空位濃度及膜厚度有關。隨著LCD分辨率的提高，單 矩陣顯示中，ITO電極刻蝕精度要求高，ITO膜太厚影響刻蝕精度。 94 94 94 94

95 9.7.5 ITO玻璃 表9-27 玻璃的組分和特性 玻璃的種類 鹹石灰玻璃(AS) 中性硼矽玻璃(AX) 無鹹玻璃 AN 其他 熔融石英
表9-27　玻璃的組分和特性 玻璃的種類 鹹石灰玻璃(AS) 中性硼矽玻璃(AX) 無鹹玻璃 AN 其他 熔融石英 化學組分 （%質量） SiO2 Al2O3 B2O3 RO R2O 72.5 2 – 12 13.5 72 5 9 7 56 15 27 49 11 25 >99.9 3010–6 210–6 熱膨脹率(1/K)50℃ ～200℃ 畸變點(℃) 密度(g/cm3) 楊氏模量(104Pa) 泊松比 彎曲強度(kPa) 折射率 耐熱衝擊(℃) 水的接觸角(℃) 810–6 510 2.49 7 300 0.21 670 1.52 85 6.7 510–6 530 2.41 7 100 0.18 550 1.50 130 14.4 410–6 660 2.78 8 900 0.23 690 1.56 140 29.5 590 2.76 6 900 0.28 650 1.53 150 31 0.510–6 1.070 2.20 743103 0.17 700 1.45 1000 95 95 95 95

96 9.7.5 ITO玻璃 把ITO(銦錫氧化物)塗布在平板玻璃上可形成ITO玻璃(又稱透明導電玻 璃)。
製作ITO方法有蒸鍍法、濺射法、高溫熔膠膜法及浸漬燒結法。其中工業 生產大量使用濺射法，將氧化銦和氧化錫混合物燒結成靶材，在氬氣和少 量氧氣混合氣體中玻璃基板上濺射得到ITO膜。在膜厚20 nm~30 nm時， 電阻率為 2.0×10-4 •cm ~ 2.5×10-4 •cm。在 1m2大面積玻璃基板上可製 備成均勻的ITO膜。 96 96 96 96