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第3章 分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路
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3.1 共发射极放大电路 3.1.1 电路组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析 3.1.4 静态工作点的稳定
3.1.5 频率特性
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u0 ui 3.1.1 电路组成 集电极电阻 基极 电阻 RB RC C2 直流电源 C1 UCE UBE 输出电容 输入电容 晶体管
基极 电阻 RB RC UCE UBE + - +UCC C1 C2 ui u0 直流电源 输出电容 输入电容 晶体管
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各元件的作用 晶体管:电流放大作用,发射极正偏,集电极反偏; 直流电源UCC:提供放大所需的能量;
偏置电阻RB:调节RB ,可调节基极电流; 集电极负载电阻RC:将集电极电流的变化转换成电压 的变化送到输出端; 耦合电容C1 、C2:隔直,不适用于低频电路。
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3.1.2 静态分析 所谓静态是指当放大器没有输入信号(ui=0)时,电路中各处的电压电流都是直流恒定值,亦称为直流工作状态。
静态分析目的: 1)确定三极管工作状态 2)确定三极管静态工作点的合理性 静态分析内容:在直流电源作用下,确定三极管 1)基极电流IB ; 2)集电极电流IC; 3)集电极与发射极之间的电压值UCE。 静态分析方法:1)图解法; 2)估算法。
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1)图解法 uBE 输入回路 iB UBEQ IBQ QB 线性 非线性 IC RB RC + IB UCE RB - UBE UCC
UBEQ IBQ QB UCC UCE IC + - IB UBE RB RC 线性 非线性
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直流负载线 iC 输出回路 Q ICQ uCE UCEQ UCC IB = IBQ —— RC UCC UCE IC + - IB UBE
iC UCC UCE IC + - IB UBE RB RC
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2)估算法 RB RC IC IB UCE UBE + - +UCC 直流通路
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3.1.3 动态分析 所谓动态是指放大电路有信号输入时,电路中各处的电压电流都处于变动工作状态 。
动态分析内容:输入信号变化时,电路中各种变 化量的变动情况和相互关系。 1)电压放大倍数AU; 2)输入电阻ri; 3)输出电阻ro 。 动态分析方法:1)图解法; 2)微变等效电路分析方法。
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1)图解法 输入电路 ωt
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1)图解法 输出电路 iC = IC + ic uCE = UCE + uce 经电容隔直后: uo= uCE -UCE =uce
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1)图解法 工作点与 波形失真 Q点过高 饱和失真 Q点过低 截至失真
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2)微变等效电路分析法 u0 u0 ui ui 交流通路 交流通路:将电路中的电容和直流电源短路。 RB RC UCE UBE RL iB
- ui RB RC UCE UBE + +UCC C1 C2 u0 RL iB iC u0 RB + - ui RL RC ube uce ic ib ii +
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uce ube ib ic ube rbe ib ic uce
晶体管的小信号模型 uce ube ib ib c e + - ic ube b rbe e c ib ib ic uce + _ b 微变等效电路:将晶体管用小信号模型来代替。
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ui rbe ib ic uo u0 _ 微变等效电路 iC RB RC + iB RB RC RL UCE ib UBE RL
+ - +UCC C1 C2 u0 RL iB iC +
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rbe _ _ (1)电压放大倍数 + 不带负载时 + RB RC RL 上式说明,选择适当的参数,可使信号得到放大。
Au为负值,说明输出信号与输入信号反相,即共射极放大电路具有倒相作用。 带负载时 可见带负载使放大倍数下降。
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ui rbe ib ic uo ri _ (2)输入电阻 + ib RC RB RL
对信号源而言,放大电路相当于它的负载,负载电阻即为放大电路的输入电阻。 放大电路的输入电阻: 根据以上的微变等效电路:
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(2)输入电阻 如右图所示,把一个内阻为RS ,源电压为US的信号源加到放大电路的输入端,由于ri的存在,实际的Ui为: US + _ • RS ri ui ri是衡量放大电路对输入电压衰减程度的重要指标。
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rbe ro Uo US _ (3)输出电阻 Ib RC RB + RL RS
对负载而言,放大电路相当于一个具有內阻的信号源,信号源的內阻就是放大电路的输出电阻。 ro rbe Ib RC RB Uo _ + RL • US RS
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(3)输出电阻 U’o + _ • ro RL uO IO US RS ri ui Ii 放大电路
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(3)输出电阻 RS 放大电路 I • US =0 可用外加电压法 求ro ro U + - 对于前面所述的共发射极放大电路
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温度升高时,静态工作点将沿直流负载线上移。
3.1.4 静态工作点的稳定 IC IB = 80μA UCC —— UCC RC IB = 60μA Q1 Q2 IB = 40μA IB = 20μA UCE 温度升高时,静态工作点将沿直流负载线上移。
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静态工作点稳定的放大电路 RB2 + - ui RL RC IB T C2 C1 RB1 CE RE +UCC IC IE I1 I2
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_ 静态分析 + T UBB R’B RC IC IB RE +UCC IE UCE + RB2 RC IC IB RB1 RE +UCC
VB IE + _ UE UBE
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动态分析 rbe Ib Ib Ic RC RB2 RL • Uo _ + Ui RB1 b e c
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例题3.1.3 电路如右图所示,β=80,UBE=0.7V 试计算: (1)电压放大倍数 (2)输入电阻 (3)输出电阻
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例题3.1.3 UBB + _ R’B RC IC IB RE +UCC IE UCE + 直流等效电路 静态工作点:
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例题3.1.3 晶体管输入电阻
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b e 例题3.1.3 rbe Ib Ib Ic RC RB2 RL • Uo _ + Ui RB1 c RE1 微变等效电路:
(1)放大倍数
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b e 例题3.1.3 rbe Ib Ib Ic RC RB2 RL • Uo _ + Ui RB1 c RE1 r’i ri ro
微变等效电路: (2)输入电阻 (3)输出电阻
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3.1.5 频率特性 2700 1800 900 幅率特性 相频特性 |Au| f o |Aum| fL fH fBW |Aum| √2
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3.2 共集电极放大电路 静态分析: uS + - RL iC iB T C2 C1 RB RE +UCC RS uO
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共集电极放大电路交流通路 iC iB T uO uS uO uS c e RS + RB RE RL b RS + RL C2 C1 RB
- uS RB RE RL uO b e RS uS + - RL iC iB T C2 C1 RB RE +UCC uO
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uO uO uS uS 动态分析: e rbe e c c 电压放大倍数 RS + RB RE RL b ib βib RS + RB RE
- uS RB RE RL uO b c rbe ib βib RS + - uS RB RE RL uO b c 电压放大倍数
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ri r’i e RS + - uS RB RE RL uO b c rbe ib βib ui 动态分析: 输入电阻
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动态分析: 输出电阻 求ro的等效电路
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例题3.2.1 已知:US= 20mV,UBE1=UBE2= 0.7V,β1=β2= 80 求:1)第一级 Au1、ri1、ro1;
2) Ui2; 3)若e、d与a、b直接相连,Ui2?
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例题3.2.1 R4 + R3 T2 C3 C2 C4 +UCC RL . U0 Ui2 R6 RS + ri2 iC1 T1 C2 C1
- R3 T2 C3 C2 C4 +UCC RL . U0 Ui2 R6 RS + - ri2 iC1 T1 C2 C1 R1 R2 +UCC . US U01 iB1
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例题3.2.1 (1)第一级静态电流 第二级的输入电阻ri2即为第一级的负载电阻 +UCC R1 iC1 C1 iB1 T1 C2 RS +
- ri2 iC1 T1 C2 C1 R1 R2 +UCC . US U01 iB1 (1)第一级静态电流 第二级的输入电阻ri2即为第一级的负载电阻
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例题3.2.1 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻
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例题3.2.1 (2)信号源输出电压 第二级输入电压 (3)若e、d与a、b直接相连,则Ui2就是信号源的输出电压
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共基极放大电路 基本放大电路 交流通路 电路只能放大电压信号,不能放大电流; 输出与输入同相,ri小,ro大。
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3.3 共源极放大电路 3.3.1 静态分析 3.3.2 动态分析
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3.3.1 静态分析 自给式偏置共源极放大电路 仅适用于耗尽型场效应管
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分压式自偏置共源极放大电路 (耗尽型) 两方程联立求得ID和UGS
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3.3.2 动态分析 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 微变等效电路
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[例题3.3.1] 已知电路如图,且gm=2mS,UGS(off) =-2V,IDSS=0.5mA。
500k 100k 10k 15k 10μF [例题3.3.1] 已知电路如图,且gm=2mS,UGS(off) =-2V,IDSS=0.5mA。 求:(1) 静态工作点ID、 UGS、UDS (2) AU、ri、ro。 [解] (1)
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联立 解得 ① ② 根据题意第①组解不符,因此静态工作点为解②
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(2) 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻
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3.4 分立元件组成的基本门电路 3.4.1 二极管与门电路 3.4.2 二极管或门电路 3.4.3 晶体管及场效晶体管非门电路
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基本门电路概述 门电路是一种开关电路,其输入和输出之间存在一定的因果关系即逻辑关系。
在逻辑电路中,输入输出信号通常用高低电平来描述,用0和1来表示两种对立的逻辑状态。 正逻辑:1表示高电平,0表示低电平; 负逻辑:0表示高电平,1表示低电平。 基本的逻辑关系有:与逻辑、或逻辑、非逻辑; 相对应的基本门电路有:与门、或门、非门。
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3.4.1 二极管与门电路 工作原理: (1)当UA=UB=0V时,D1、D2均导通,故UF=0V,即F为低电平0;
(2)当UA=0V,UB=3V时,D1导通,D2截止,故UF=0V,即F为低电平0; (3)当UA=3V,UB=0V时,D1截止,D2导通,故UF=0V,即F为低电平0; (4)当UA=UB=3V时,D1、D2均截止,故UF=3V,即F为高电平1。
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3.4.1 二极管与门电路 二输入与门逻辑表 二输入与门逻辑符号 输 入 输 出 A B F 1 函数表达式:
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3.4.2 二极管或门电路 工作原理: (1)当UA=UB=0V时,D1、D2均导通,故UF=0V,即F为低电平0;
(2)当UA、UB不全为0时,D1、D2至少有一个导通。如UA=3V时, D1导通,此时UF=UA=3V,即F为高电平1。
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3.4.2 二极管或门电路 二输入或门逻辑表 二输入或门逻辑符号 输 入 输 出 A B F 1 函数表达式:
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3.4.3 晶体管及场效晶体管非门电路 1. 晶体管非门电路
输入UA为低电平0时,UBE<0,晶体管发射结反偏,管子截止,输出端F为高电平1; 输入UA为高电平时,管子饱和,输出端F为低电平0。 要使得管子饱和,须满足 此时基极电流至少为 ——临界饱和基极电流 保证晶体管饱和的条件 IB≥IBS
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非门逻辑表、逻辑符号及函数表达式 非门逻辑表 非门逻辑符号 输 入 输 出 A F 1 函数表达式:
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例3.4.1 已知:RB1=2.7kΩ, RB2=10kΩ, RC=1kΩ, UCC=5V, -UBB=-5V, β=30, UBES=0.7V,UCES≈0V,截止时IC≈0,UIL=0V, UIH=3V;试分析管子的输出状态。 解:(1)输入UA为低电平0时 此时晶体管可靠截止,UF≈UC=5V,输出F为高电平。
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(2)输入UA为高电平1时 将晶体管基极左侧作戴维宁等效 开路电压 等效电阻 基极电流 临界基极饱和电流 因IB>IBS,晶体管处于饱和,UF=UCES≈0V,F为0。
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2. 场效晶体管非门电路 NMOS非门电路 工作原理:
(1)当输入UA为低电平0时,使UGS<UGS(th),管子处于截止状态,ID=0,UF=UDD;输出端F为高电平1; (2)当输入UA为高电平1时, UGS>UGS(th), 管子饱和导通,UF≈ 0,输出端F为低电平0。 故电路满足非逻辑关系。
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互补型MOS非门电路 TN:增强型NMOS管,驱动管;TP:增强型PMOS管,TN的负载管。
设TN和TP的开启电压为UGSN(th)和UGSP(th) ⑴ A=0(设uA=0V),UGSN=0< UGSN(th),TN截止,而|UGSP|≈UDD>|UGSP(th) |,TP导通,uF≈UDD,F=1,为高电平。 ⑵A=1(设uA=UDD),UGSN= UDD> UGSN(th),TN导通,而UGSP≈0V<|UGSP(th) |,TP截止,uF≈0V,F=0,为低电平。 从以上分析可知,该电路具有非门的功能。 相比于NMOS非门电路,互补型MOS在工作时只有一个MOS管导通,静态功耗很小;另外因TN、TP导通电阻小,负载电容充电或放电很快,故工作速度更快。
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