製程升級 產能躍進 311地震對全球記憶體產業影響有限

Presentation on theme: "製程升級 產能躍進 311地震對全球記憶體產業影響有限"— Presentation transcript:

1 製程升級 產能躍進 311地震對全球記憶體產業影響有限
製程升級 產能躍進 311地震對全球記憶體產業影響有限 2011年3 月11日下午日本東北地方三陸外海發生震度高達芮氏9.0級強震，除讓離震央最近的福島縣、宮城縣受創尤為嚴重外，位於福島縣核電廠受損所造成幅射外洩及停電所帶來後續災害至今仍帶來諸多問題。 日本為全球僅次於南韓的記憶體生產重鎮，也因此，在這次震災後的第1個交易日，包括DRAM與NAND Flash等記憶體產品，在現貨市場(Spot Market)報價皆同步上揚，其中，尤以32Gb MLC的NAND Flash單日漲幅高達20.5%最為驚人，16Gb MLC的NAND Flash單日漲幅亦達16.8%。至於原本價格處於跌勢的DRAM產品單日漲幅也多在7%以上，這也意味著本次日本大地震對全球記憶體市場造成某種程度衝擊。 除因對記憶體廠商產能受損所造成的疑慮外，全球最大矽晶圓供應商信越化學旗下信越半導體，其主要矽晶圓生產線設置於本次震災受損最重的福島縣境內，對於全球記憶體產業上游供應鏈是否會發生供料不足問題，亦將是未來觀察重點。 大椽股份有限公司（DIGITIMES Inc.） 研究中心分析師 柴煥欣 2011/3/18

2 東芝對全球NAND Flash市場的影響力 與日俱增
單位：億美元 單位：% 191.7 120.8 114.0 全球NAND Flash市場產值從2008年114億美元成長至2010年191.7億美元，其中，東芝(Toshiba)僅次於三星電子(Samsung Electronics)，為全球第2大NAND Flash供應商。 東芝來自NAND Flash營收貢獻從2008年32.1億美元成長至2010年66.5億美元，NAND Flash市場的全球市佔率則從2008年28%上升至2010年35%，不但與三星間的差距有所縮短，亦顯示東芝對全球NAND Flash市場的影響力與日俱增。 資料來源：DIGITIMES，2011/3

3 全球DRAM市場市佔變化與爾必達產能布局
單位：% 月產能：13萬片12吋晶圓 主要製程：40奈米 力晶產出將由50%提高至100% 35%瑞晶產出 65%瑞晶產出 爾必達為全球第3大DRAM供應商，產出規模僅次於三星與海力士(Hynix)，2008~2010年全球市佔率維持在16%~18%間，對全球DRAM市場亦具相當程度影響力。 爾必達除擁有位於日本廣島的廣島廠13萬片12吋晶圓的月產能外，尚擁有位於台灣台中的瑞晶電子8萬片12吋晶圓月產能，2011年第1季瑞晶電子產能將全數從63nm製程升級至40nm製程，將有利於2011年爾必達出貨量成長與全球市佔率的提升。 月產能：8萬片 12吋晶圓 主要製程：40奈米 月產能：13萬片 12吋晶圓 主要製程：63奈米 -- -- 35%瑞晶產出 資料來源：DIGITIMES，2011/3

4 東芝與爾必達記憶體生產基地皆已全面復工 東芝四日市工廠 爾必達廣島廠 地點：日本三重縣四日市 晶圓廠： Fab3：11萬片12吋晶圓/月
主要產品：NAND Flash 目前狀況： 雖已全面復工，但可能 因為交通與物流系統受 受導致出貨延誤。 目前狀況： 微顯影機台雖受地震 影響需重新調整與設 定，但目前已全面復 工。 歷經2008年下半的金融海嘯洗禮後，東芝已將NAND Flash產能全數集中於位於三重縣四日市的四日市工廠，目前產能包括月產能11萬片12吋晶圓的Fab-3與月產能15萬片12吋晶圓的Fab-4。預計Fab-5將於2011年第1季量產。在311地震後，各產線已全面復工，但可能因為交通與物流系統受阻導致出貨延誤。 爾必達於日本境內DRAM產線則僅有月產能13萬片12吋晶圓的廣島廠，311震災後，部份微顯影機台雖因地震因素需要重新設定，但至3月14日，亦已全數復工。 在歷經311震災後，日本無論DRAM或NAND Flash產能皆已全數復工，也說明了單純就產能而言，311震災對日本記憶體產業影響有限。 爾必達廣島廠 地點：日本廣島縣 主要業務：DRAM製造 月產能：13萬片12吋晶圓 資料來源：DIGITIMES，2011/3

5 信越白河廠與SUMCO米澤廠皆尚未復工 SUMCO米澤廠 信越白河工廠 長野電子工業 SUMCO佐賀廠 與伊萬里廠 SUMCO生野廠
地點：山形縣 信越白河工廠 地點：福島縣 目前狀況：尚未復工 目前狀況：尚未復工 長野電子工業 地點：群馬縣 others 月產能139萬片 38% 信越半導體白河工廠 月產能80萬片 22% 目前狀況：正常運作 SUMCO佐賀廠 與伊萬里廠 地點：九州佐賀縣 雖然日本記憶體廠商本身都已全面回復生產，但用於IC製造上游關鍵原料之一的矽晶圓產能卻在本次震災中受到重創。 其中，全球第1大矽晶圓供應商信越化學旗下的信越半導體，雖然自2007年以來，就為分散風險，將矽晶圓產能分散至信越半導體北美公司、三益半導體、長野電子等3個據點，但最主要生產據點仍在位於本次震災最嚴重的白河工廠。信越半導體整體矽晶圓月產能達120萬片12吋晶圓以上，全球市佔達33%，其中，白河工廠月產能即高達80萬片12吋晶圓以上，全球市佔率達22%，受福島核電廠受損所造成的停電影響，白河工廠遲遲無法復工，將有可能面臨造上游半導體用矽晶圓短缺的問題發生。 全球第2大矽晶圓供應商SUMCO，月產能達105萬片矽晶圓，2010年全球市佔率達29%。雖然SUMCO矽晶圓的主要產能都集中於九州的佐賀工廠與伊萬里工廠，但位於山形縣的米沢工廠亦同樣受到停電影響無法復工，目前SUMCO正考慮是否將米沢工廠的產能移至佐賀工廠或伊萬里工廠。 目前狀況：正常運作 信越半導體 其他廠 月產能40萬片 11% SUMCO生野廠 地點：兵庫縣 三益半導體 地點：群馬縣 SUMCO 月產能105萬片 29% 目前狀況：正常運作 目前狀況：正常運作 資料來源：DIGITIMES，2011/3

6 2004~2010年半導體用矽晶圓 出貨面積變化 單位：百萬平方吋 單位：% 資料來源：DIGITIMES，2011/3
半導體用矽晶圓出貨量從2004年62.6億平方吋逐年成長至2007年86.6億平方吋，但在次貸風暴與金融海嘯相繼對全球景氣造成負面影響下，全球矽晶圓出貨量於2008年、2009年出現連續2年下滑，2010年則在全球景氣回復，對電子產品需求明顯增加，加上台積電、聯電等晶圓代工廠持續擴充12吋晶圓產能的帶動下，全球矽晶圓出貨量達93.7億平方吋新高。 但在此次日本震災導致全球矽晶圓產能頓時減少22%的情況下，其他矽晶圓供應商應會於此刻增加產能，甚至信越半導體本身也應會提出相關因應方案。 資料來源：DIGITIMES，2011/3

7 2004~2010年全球矽晶圓產業產值與 平均銷售單價變化
單位：百萬美元 單位：美元/平方吋 在出貨量與平均銷售單價(Average Sale Price；ASP)同時推升下，全球半導體用矽晶圓產業產值從2004年77.4億美元逐年成長至2007年124.9億美元歷史高點，同樣也在次貸風暴與金融海嘯的負面影響下，全球矽晶圓出貨量於2008年、2009年出現連續2年下滑，ASP更是從2007年1.44美元下滑至2009年1.06美元，亦讓全球矽晶圓產業產值衰退至114億美元、71.5億美元。 2010年全球景氣雖然回復，全球矽晶圓出貨量亦創歷史新高，但ASP卻僅從2009年1.06美元微幅回升至1.08美元，這亦讓2010年全球矽晶圓產值僅達101.9億美元，雖較2009年成長43%，但仍不及2007年高點。 資料來源：DIGITIMES，2011/3

8 2001~2010年信越半導體12吋矽晶圓 月產能變化 單位：萬片/月 資料來源：DIGITIMES，2011/3
造成2008年、2009年矽晶圓ASP表現大幅下滑、2010年ASP亦欲振乏力，最主要的原因就在於主要矽晶圓廠商產能大肆擴充，造成整體產業環境供過於求。 以信越半導體12吋矽晶圓產能為例，自2001年決定投入12吋矽晶圓生產，期初月產能為5萬片12吋矽晶圓，但自2003年以來，就逐年擴充12吋矽晶圓產能，至2008年信越半導體12吋矽晶圓月產能更達到100萬片，2009~2010年更進一步擴充到月產能120萬片矽晶圓。 不止是信越半導體，其他如SUMCO、MEMC、Siltronic等一線矽晶圓大廠亦皆相繼投入擴產行列，加上又有新的二線廠商加入，這也造成整體矽晶圓產業環境出現供過於求狀況，直到2010年才稍有改善。 資料來源：DIGITIMES，2011/3

9 2010~2011年主要DRAM供應商 位元成長率 46nm→36nm 44nm→38nm 63nm→40nm 50nm→42nm 單位：%
從全球DRAM市場供給面觀察，2011年包括三星、海力士、美光(Micron)、爾必達等全球主要DRAM廠商並無新產能開出，產能增加主要來自於製程的升級。 其中，三星已於2010年第4季將36nm製程導入量產，2011年將要持續提高36nm製程產出比重。海力士亦將於2011年第1季開始從原本44nm製程轉進到38nm製程。美光則已於2010年第3季將42nm製程導入量產，2011年則計畫提高42nm製程產出比重。至於爾必達除將廣島廠50%產能從原本63nm升級至40nm製程，同時預計於2011年上半將30nm製程導入量產外，位於台灣台中的瑞晶電子的8萬片12吋晶圓月產能全數於2011年第1季從63nm升級至40nm製程。 受惠於製程升級，主要DRAM廠2011年產能出現40%~70%不等幅度的成長，但無論那家DRAM廠，產能增加的幅度都較2011年DRAM需求量年成長幅度大。 2010年下半，全球DRAM市場即進入供過於求的狀況，2011年在因製程轉換而造成產能增加幅度大於需求成長幅度，這也意味2011年DRAM市場供過於求的狀況將更加嚴重。在矽晶圓廠供貨可能發生缺料問題之際，加上DRAM市場本身供過於求壓力有增無減，減少投片將有利於市場秩序的維持，不排除會是各DRAM廠的選項之一。 資料來源：DIGITIMES，2011/3

10 2011年NAND Flash出貨量年成長78% Toshiba 四日市廠 Fab-5 單位：16百萬GB
由3x nm世代升級至2x nm世代 YoY 78% Toshiba 四日市廠 Fab-5 從全球NAND Flash市場供給狀況觀察，包括三星、東芝、海力士等NAND Flash領先廠商於2011年計劃將陸續把製程從30nm世代製程升級至20nm世代製程，也與DRAM相同，製程的升級將帶動NAND Flash產能的增加。 東芝於三重縣四日市的Fab-5於2011年第1季開始投產，新增產能除表示供給量的增加外，亦意味對矽晶圓需求的提升。 在製程升級與產能提升的雙重助力推升下，預估全球NAND Flash供給量將由2010年52.3億16GB成長至2011年93.3億16GB，年成長率高達78%。來自NAND Flash對矽晶圓的需求量也因為東芝四日市的Fab-5的投產而增加。 Fab-5預計2011年春季可望完工，全數產能製程將從2x nm製程起跳 資料來源：DIGITIMES，2011/3

11 311地震對全球記憶體產業影響有限 製程升級帶動 標準型 矽晶圓需求量減少 DRAM 產能增加 Specialty DRAM
若矽晶圓小幅缺料，對記憶體產業影響相對小 製程升級帶動 產能增加 標準型 DRAM 矽晶圓需求量減少 Specialty DRAM 供過於求壓力增加 Mobile DRAM 2011年全球DRAM廠商並無大規模的新增產能，但供給面則因製程轉換，造成產能增加幅度大於需求成長幅度，這也將造成DRAM市場供過於求的狀況將更加嚴重，因此，對矽晶圓需求應不致增加，甚至還有減少投片的可能。 全球NAND Flash市場產能的增加主要來自於製程升級，其次才是東芝四日市的Fab-5投產所造成產能提升，因此，對矽晶圓需求雖會增加，但幅度有限。 面對本次日本311強震，雖造成信越白河工廠一時停工，進而引發矽品圓恐缺料問題，但對全球記憶體產業而言，矽晶圓缺料問題影響相較其他晶片製造業而言，較為有限。 NAND Flash 製程升級 矽晶圓需求量增加 但幅度有限 新產能開出 資料來源：DIGITIMES，2011/3