第1章电力电子器件 Power Electronics 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管

第1章电力电子器件 Power Electronics 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管
第1章电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用本章小结 Power Electronics

1.1 电力电子器件概述 Power Electronics 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成
1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本张内容和学习要点 Power Electronics

1.1.1 电力电子器件的概念和特征 Power Electronics 1.概念
主电路（Power Circuit）在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变化或控制任务的电路。电力电子器件（Power Electronic Device) 直接用于处理电能主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。电真空器件（汞弧整流器、闸流管等，已逐步被半导体器件取代）半导体器件（目前所指电力电子器件，采用材料任然是硅） 2.分类 Power Electronics

3 .特征电力电子器件是功率半导体器件（金属电导率106mhos-cm-1，良绝缘体10-15mhos-cm-1）。 1）电力电子器件所能处理电功率的大小，是其最重要的参数。其处理电功率的能力一般远大于处理信息的电子器件。 2）电力电子器件因处理电功率较大，为了减小本身的损耗、提高效率，一般都工作在开关状态。 3）电力电子器件在实际应用中往往由信息电子电路来控制。信息电子电路是电力电子器件的驱动电路。 4）电力电子器件尽管工作在开关状态，但是自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，为了保证不至于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上考虑散热设计，而且在其工作时一般都还需要设计安装散热器。 Power Electronics

1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 Power Electronics 由控制电路、驱动电路、电力电子器件为核心的主电路组成
电力电子电路控制电路检测电路驱动 R L 主电路 V 1 2 由控制电路、驱动电路、电力电子器件为核心的主电路组成电力电子电路— 电力电子系统图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 Power Electronics

Power Electronics 控制电路检测电路检测主电路或应用现场信号通过驱动电路控制主电路中电力电子器件
导通主电路中电力电子器件通过驱动电路控制控制电路关断检测电路、驱动电路以外的电路由信息电路组成控制电路电力电子系统主电路检测电路检测主电路或应用现场信号 Power Electronics

Power Electronics 驱动电路主电路控制信号检测电路保护电路保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行电气隔离
保护电路保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行 Power Electronics

Power Electronics 主电流端子（公共端）——驱动电路和主电路，是主电路电流流出电力电子器件的端子控制电路检测
V 1 2 控制端主电路端子之间信号电力电子器件导通关断图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成主电流端子（公共端）——驱动电路和主电路，是主电路电流流出电力电子器件的端子 Power Electronics

1.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的度分为以下三类
1.1.3 电力电子器件的分类 1.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的度分为以下三类通过控制信号可控制其导通而不能控制其关断晶闸管及其派生器件｛半控型器件电压电流主电路｛绝缘栅双极晶体管电力效应晶体管门极可关断晶体管关断通过控制信号即可控制其导通又能控制其关断全控型器件门极可关断晶体管处理兆瓦级大功率电能自关断器件 Power Electronics

2. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端
不能用控制信号控制其通断，不需要驱动电路｛不控型器件电力二极管电压电流主电路只有两个端子通断 2. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分为两类注入电流电流驱动型电压驱动型控制端抽出电流控制端电压信号公共端通断 Power Electronics

单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件
3.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：单极型器件由一种载流子参与导电的器件双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电的器件复合型器件单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 Power Electronics

1.1.4 本章内容和学习要点 Power Electronics 工作原理基本特征主要参数选择、使用时注意的问题基本特征
电力电子器件基本特征型号命名法参数特征曲线掌握电力电子器件 Power Electronics

1.2 不可控器件——电力二极管 Power Electronics 20世纪50年初获得应电力二极管汞弧（半导体整流器）整流器
1.2 不可控器件——电力二极管电力二极管（半导体整流器） 20世纪50年初获得应逐步取代汞弧整流器结构和原理简单工作可靠现在仍大量应用于许多电气设备快恢复二极管肖特基二极管中、高频电流逆变低压高频电流应用 Power Electronics

1.2 不可控器件——电力二极管 Power Electronics 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
1.2 不可控器件——电力二极管 PN结与电力二极管的工作原理电力二极管的基本特性电力二极管的主要参数电力二极管的主要类型 Power Electronics

图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号
PN结与电力二极管的工作原理以半导体PN结为基础，由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成，外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装，基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 Power Electronics

Power Electronics 空间电荷区内电场（自建电场）扩散运动漂移运动空间电荷 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结－
+ P型区空间电荷区 N型区内电场空间电荷区扩散运动和漂移运动达动态平衡，正、负空间电荷量达稳定值，形成稳定的由空间电荷构成的区域内电场（自建电场）空间电荷建立的电场漂移运动内电场一方面阻止扩散运动，另一方面又吸引对方区内少子向本区运动。扩散运动 N区和P区交界处电子和空穴的浓度差别，造成各区多数载流子（多子）向另一区移动，到对方区成为少数载流子（少子）的运动。空间电荷在界面两侧不能任意移动的正、负电荷。耗尽层空间电荷区图1-3 PN结的形成阻挡层势垒区 Power Electronics

Power Electronics － + 扩散电流正向电流IF PN结外加电场 PN结自建电场 P型区 N型区内电场
方向相反 PN结自建电场－ + P型区空间电荷区 N型区内电场多子的扩散运动>少子的漂移运动扩散电流内部外电路造成空间电荷区变窄形成自P区流入从N区流出的电流图1-3 PN结的形成正向电流IF Power Electronics

Power Electronics PN结的正向导通状态电导调制效应
外加电压升高自建电场削弱扩散电流增加 PN结的正向导通状态电导调制效应较小电阻值较高且为常数 PN结流过的正向电流较大电阻率下降电导率增加 PN结的正向导通状态　　　电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 Power Electronics

Power Electronics 反向电流IR 反向饱和流IS PN结的反向截止状态
外电路电流反向电流IR P区流入出几乎没有电流过高电阻少子浓度很小，在温度一定时漂移电流的数值趋于恒定反向饱和流IS PN结的反向截止状态 PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性,二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这个主要特征。 Power Electronics

Power Electronics PN结的反向击穿热击穿雪崩击穿齐纳击穿因热量散发不出 PN结温度上升过热烧坏施加PN结反
向电压过大反向电流急剧增大破坏PN结反向偏置为截止的工作状态 PN结的反向击穿雪崩击穿齐纳击穿因热量散发不出 PN结温度上升过热烧坏热击穿 Power Electronics

Power Electronics 结电容C J(微分电容) 势垒电容CB 扩散电容CD PN结截面成正比仅在正向偏外加电压变
较高正向电压较低结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作。势垒电容CB 扩散电容CD 大小 PN结截面成正比阻挡层成反比仅在正向偏置时起作用外加电压变化时起作用 Power Electronics

1.2.2 电力二极管的基本特性 Power Electronics 1.静态特性电力二极管伏安特征静态特征承受反向电压时
电力二极管的基本特性电力二极管静态特征 1.静态特性伏安特征承受反向电压时值定一到大压电向正只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF为其正向电压降。正向电流开始明显增加，处于稳定导通状态。图1-4 电力二极管的伏安特性 Power Electronics

Power Electronics 2.动态特性电力二极管的动态状态过渡过程中电压—电流特性随时间变化
反映通态和断态之间过程的开关特性 Power Electronics

tf /td ——恢复特性的软度，用Sr表示
电力二极管的关断经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断，进入截止状态。 a) IF td trr tf IRP t t2 UF UR t tF t0 URP 在关断之前有较大的反向电流，伴随明显的反向电压过冲。 IRP——电流过冲最大值 URP——电压过冲最大值 td= t1-t0——延迟时间 tf= t2-t1——电流下降时间 trr=td+tf——反向恢复时间 tf /td ——恢复特性的软度，用Sr表示图1-5电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 Power Electronics

Power Electronics 电力二极管的开通正向恢复时间tfr 电压过冲原因
2V t b) 电压过冲原因 1)电导调制效应起作用所需大量少子需要一定时间储存达到稳态导通前管压降较大。 2)正向电流的上升因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大, UFP越高。正向恢复时间tfr 电力二极管的正向压降出现过冲uFP，经过一段时间接近稳态降压的某个值，这一动态过程时间。图1-5电力二极管的动态过程波形 b) 零偏置转换为正向偏置 Power Electronics

Power Electronics 注意：电流、电压反向问题
正偏压时，正向偏压降约为1V左右；导通时，二极管看成是理想开关元件，因为它的过渡时间与电路的瞬时过程相比要小的得多；但在关断时，它需要一个反向恢复的时间（reverser-recovery time）以清除过剩载流子。 Power Electronics

1.2.3 电力二极管的主要参数 Power Electronics 正向平均电流IF(AV)
电力二极管的主要参数正向平均电流IF(AV) 在规定的管壳温度和散热条件下，所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。正向平均电流按照电流的发热效应定义，使用时应按有效值相等的原则选取电力二极管的电流额定，应留有一定的裕量。当用在频率较高的的场合，其开关损耗也不能忽略。当采用反向漏电流较大的电力二极管，其断态损耗造成的发热效应也不小。正向压降UF 电力二极管在正向电流导通时二极管上的正向压降。 Power Electronics

Power Electronics 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压
最高工作结温TJM 在PN结不受损坏的前提下，二极管所能承受的最高平均温度。一般在 ℃范围内。反向恢复时间trr 二极管由导通到截止、并恢复到自然阻断状态所需的时间。浪涌电流IFSM 电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 Power Electronics

电力二极管的主要类型 Power Electronics

Power Electronics 快恢复二极管快恢复外延二极管
工艺多采用掺金措施采用外延型PiN结构结构上采用 PN结构也有采用加以改进的PiN结构其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），反向耐压多在1200V以下。快恢复二极管从性能上分为两种快速恢复二极管超快速恢复二极管反向恢复时间数百纳秒或更长 100ns以下，甚至达20～30ns Power Electronics

Power Electronics 肖特基二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。导通压降只有0.3V （forward voltage drop），反压为50-100V。反向恢复时间更短，10～40ns，不会有明显的电压过冲。缺点是当提高反向耐压时，正向压降也会提高，多用于200V以下的低压场合；反向漏电流也很大。 Power Electronics

1.3 半控器件—晶闸管 Power Electronics 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理
1.3 半控器件—晶闸管晶闸管的结构与工作原理晶闸管的基本特性（静态、动态、）晶闸管的主要参数晶闸管的派生器件 Power Electronics

晶闸管的正向阻断电压（blocking voltage）是相同的，根据不同的应用对象，有各种不同的晶闸管。除了电压电流的额定值外，tq、正向导通压降、导通时的电流上升率di/dt，关断时的电压上升率dv/dt等，都是要考虑的特性。相控晶闸管Phase-control Thyrister，有时称作整流晶闸管Converter thyristor，用于主要用于整流器。器件圆盘达到10cm。平均电流4000A或更高，阻断电压5-7kV，通态压降从1.5V（1000V器件）到30V（对5-7kV晶闸管）。逆导晶闸管Inverter-grade thyristor，导通压降低，tq(考虑了trr的可靠系数)小，额定值达到2500V/1500A，tq一般在几个微秒到100微秒，这取决于阻断电压的而定值及导通电压降。光控晶闸管Light-cutivated thyristor：级联方式用于高压系统，易于触发，4kV/3kA。 Power Electronics

1.3.1晶闸管的结构与工作原理 Power Electronics P1 N1 P2 N2 J1 J2 J3 A G K A K G a)
b) c) 图 1-6 晶闸管外形、结构和电气图形符号 a)外形 b)结构 c)电气图形符号 Power Electronics

Power Electronics 触发门极触发电路对晶体管的驱动产生注入门极的触发电流IG的电路
图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b工作原理) Power Electronics

Power Electronics 晶体管工作原理如以下方程所示 Ic1 = a1IA + ICBO1 (1-1)
Ic2 = a2IK + ICBO (1-2) IK = IA + IG (1-3) IA = IC1 + IC (1-4) a1和a2分别是晶体管V1和V2 的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由式（1-1）~式（1-4）得： (1-5) Power Electronics

Power Electronics 晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。
阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。其他几种可能导通的情况: 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光直接照射硅片，即光触发——光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，其它都因不易控制而难以应用于实践，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT ）。只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手 Power Electronics

1.3.2晶闸管的基本特性（静态、动态、） Power Electronics 1. 静态特性
承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 Power Electronics

Power Electronics 正向特性 IA 反向特性 IH -UA +UA -IA IG=0 Ubo UDSM UDRM IG1
IA Ubo 正向导通雪崩击穿 IH -IA +UA UDSM UDRM IG1 IG2 UPRM URSM 第Ⅰ象限是正向特性第Ⅲ象限是反向特性正向特性反向特性晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 IG2>IG1 >IG 图1-8 晶闸管的伏安特性 Power Electronics

Power Electronics 2.动态特性开通过程关断过程延迟时间td 上升时间tr
开通时间tgt tgt=td+tr (1-6) 延迟时间td 阳极电流从零上升到稳态值10%的时间上升时间tr 阳极电流从10%上到稳态值的90%所需的时间开通时间tgt tgt=td+tr （1-6）普通晶闸管的延迟时间为0.5ms，上升时间为0.5～3ms。其延迟时间随门极电流的增大而减小；关断过程反向阻断恢复时间trr 正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近零的时间正向阻断恢复时间tgr 晶体管恢复载流子复合过程对正向电压的阻断的时间关断时间tq tq=trr+tgr （1-7）普通晶闸管的时间约为几百微秒图1-9 晶闸管的开通和关断过程 Power Electronics

1.3.3晶闸管的主要参数 Power Electronics 1．电压定额断态重复峰值电压UDRM 反向重复峰值电压URRM
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压URRM 反向重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压UTM 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。额定电压要留有一定裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2～3倍。 Power Electronics

Power Electronics 2.电流定额维持电流 IH 擎住电流IL 通态平均电流IT(AV)
晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 Power Electronics

Power Electronics 3．动态参数断态电压临界上升率du/dt 位移电流通态电流临界上升率di/dt
在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。位移电流在断态的晶闸管两端所施加的电压具有正向的上升率，在逐段状态下相当于一个电容的J2结流过的充电电流。通态电流临界上升率di/dt 在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 Power Electronics

1.3.4 晶闸管的派生器件 Power Electronics 快速晶闸管常规快速晶闸管包括所有为快速应用而设计的晶闸管
高频晶闸管应用于400Hz和10kHz以上的斩波或逆变电路中开关时间以及du/dt、di/dt的耐量都有了明显的改善快速晶闸管关断时间为数十微秒与普通晶闸管相比高频晶闸管关断时间为10μs左右电压和电流定额不易做高 Power Electronics

Power Electronics 双向晶闸管 G T1 T2 IG = 0 I U 是一对反并联结的普通晶闸管的集成。
是一对反并联结的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通。不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 G T1 T2 a) b) 图双向晶闸管的电器图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 Power Electronics

Power Electronics 逆导晶闸管是将晶闸管反并连一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。
不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 I U I =0 G A K 正向压降小关断时间短高温特性好与普通晶闸管相比晶闸管电流反并联的二极管的电流 a) b) 额定电流图双向晶闸管 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 Power Electronics

Power Electronics 光控晶闸管（光触发晶闸管）是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。
IA UAK A K G 光照强度弱强是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。大功率光控晶闸管带有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器的光缆。光触发保证主电路与控制电路之间的绝缘，避免电磁干扰的影响。 a) b) 图光控晶闸管 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 Power Electronics

1.4 典型全控型器件 Power Electronics 1.4.1 理想的可控开关元件 1.4.2 门极可关断晶闸管
1.4 典型全控型器件理想的可控开关元件门极可关断晶闸管电力晶体管电力场效应晶体管绝缘栅双极晶体管 Power Electronics

1.4.1理想的可控开关元件 Power Electronics 所希望的开关特性应该是：关断时的漏电流较小，导通时Von小。
很高的正反向阻断电压的能力，这可减少元件的串联，并因此而减少相应保护电路的功率损耗。很大的电流导通能力。这可减少元件并联。较短的导通和关断时间，这可提高开关频率。导通电阻具有正的温度特性，这可保证并联的元件能共同分担总电流。较小的控制功率。具有阻止电压和电流上升率的能力，这样就可以不使用外部Snubber电路保护。具有较高的dv/dt，di/dt额定值。 Power Electronics

图功率元件的开关损耗 Power Electronics

a)各单元的阴极、门极间排列的图形 b)并联单元结构断面示意图 c)电气图形符号
门极可关断晶闸管 1. GTO的结构和工作原理结构 G K N2 N1 P2 P1 A G K A a) b) c) 图1-13 GTO内部结构和电气图形符号 a)各单元的阴极、门极间排列的图形 b)并联单元结构断面示意图 c)电气图形符号 Power Electronics

Power Electronics 工作原理 PNPN四层半导体结构外部引出阳极、阴极和门极与普通晶闸管的相同点
内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元的多元功率集成器件 GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起与普通晶闸管的不同点工作原理与普通晶闸管一样可以用双晶体管模型来分析 Power Electronics

GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使 IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。当IA和IK的减小使1+2<1时，器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b工作原理) Power Electronics

Power Electronics 2. GTO的动态特性 Snubber A G k
触发关断脉冲不用保持，关断时间几个微秒，但是需要很大的门电流（1/3阳极电流），关断时，为了限制dv/dt，要用Snubber电路（切断感性负载）。开关时间几个微秒到25微秒，导通压降2-3V、比晶闸管稍微高一点。最大优点是能处理高电压和大电流，现在最大容量6KV/4KA，开关频率几百HZ—10KHZ。 Snubber A k G ts td tr tf tt iG t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t IA iA 90%IA 10%IA 图1-14 GTO的开关和关断过程电流波形 Power Electronics

Power Electronics b = I 3. GTO的主要参数最大可关断阳极电流IATO GTO额定电流
电流关断增益off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 b off = ATO I GM ___________ (1-8) 开通时间ton 延迟时间与上升时间之和关断时间toff 储存时间和下降时间之和 Power Electronics

1.4.3 电力晶体管 Power Electronics 1. GRT的结构和工作原理电力晶体管耐高电压、大电流的双极结型晶体管
电力晶体管 1. GRT的结构和工作原理电力晶体管耐高电压、大电流的双极结型晶体管 P 基区 N 漂移区衬底集电极c 基极b 发射极e 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 c b e a) b) 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a)内部结构断面图 b)电气图形符号 c)内部载流子的流动 Power Electronics

Power Electronics GRT共发射极接法时内部主要载流子的流动，集电极电流ic与基电流ib之比为 β = (1-9)
空穴流 Ec Eb ic=βib ib ie=(1+β)ib β = (1-9) β为GRT的电流放大系数，当考虑到集电极和发射极间的电流Iceo时，ic与ib关系为 (1-10) ic= βib + Iceo 单管GRT的β值比处理信息用的小功率的晶体管小采，用达林顿接法可以有效增大电流增益 c) 图1-15 GTR的内部载流子的流动 c)内部载流子的流动 Power Electronics

Power Electronics 静态特征 2. GRT的基本特性开关状态工作在截止区或饱和区开关过程
ib2 ib1 ib3 ib1<ib2<ib3 截止区 Ic Uce 饱和区放大区开关过程在截止区或饱和区过渡时，要经过放大区图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 Power Electronics

Power Electronics 动态特征 GTR用基极电流控制电极电流延迟时间td 上升时间tr 开通储存时间ts 下降时间tf
ton tf toff 90%Ics ic 10%Ics Ib2 t0 t1 t2 t3 t4 t5 t 90%Ib1 10%Ib1 Ib1 ib 开通增大基极驱动电流ib的幅值并增大dib/dt，可以缩短延迟时间和上升时间，加快开通过程。储存时间ts 下降时间tf 关断减小导通时的饱和深度或增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可以缩短储存时间，加快关断速度。图1-17 GTR的开关和关断过程电流波形 Power Electronics

Power Electronics 3. GRT的主要参数最高工作电压集电流最大允许电流IcM 集电流最大耗散功率PcM
发射极开路时集电极和基极间的反向击穿电压BUcbo 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压BUceo 发射极与基极间用电阻连接或短路连接时集电极和发射极间的击穿电压BUcer和BUces 发射结反向偏置时集电极和发射极间的击穿电压BUcex BUcbo >BUcex >BUces >BUcer >BUceo 集电流最大允许电流IcM 直流电流放大系数hFE下降到规定值得1/2~1/3时，所对应的Ic为集电流最大允许电流集电流最大耗散功率PcM 最高工作温度允许的耗散功率 Power Electronics

Power Electronics 4. GRT的二次击穿现象与安全工作区一次击穿
集电极电压升高到击穿电压时，集电极电流迅速增大，首先出现的雪崩击穿的现象一次击穿后只要Ic不要超过最大允许耗散功率相对应的限度， GTR一般不会损坏二次击穿一次击穿发生时未有效限制电流，Ic增大到某个临界点突然急剧上升，电压突然下降的现象二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，对GTR危害极大 Power Electronics

Power Electronics GTR的安全工作区 GTR工作时不能超过最高电压集电极最大电流最大耗散功率二次击穿临界线 SOA
IcM PSB PcM UceM Uce GTR工作时不能超过最高电压集电极最大电流最大耗散功率二次击穿临界线图 GTR的安全工作区 Power Electronics

1.4.4 电力场效应晶体管 Power Electronics 1.电力MOSFET的结构和工作原理 P沟道电力MOSFET种类 N沟道
电力场效应晶体管 1.电力MOSFET的结构和工作原理 P沟道 N沟道电力MOSFET种类耗尽型栅极电压为零时漏源极之间存在导电沟道增强型栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道单极型晶体管电力MOSFET导通是时只有一种极性的载流子参与导电小功率MOS横向导电利用V型槽实现垂直导电具有垂直导电双扩散MOS结构电力MOSFET垂直导电 Power Electronics

图1-19 电力 MOSFET的结构和电气图形符号
P N+ N- 沟道 S G D D G S N沟道 D S G P沟道 a) b) 图1-19 电力 MOSFET的结构和电气图形符号 a)内部结构断面示意图 b)电气图形符号 Power Electronics

Power Electronics n-channel D G + V S - 2.电力MOSFET的基本特征静态特征 (1-11) 50
40 30 20 10 UGS /V ID /A 2.电力MOSFET的基本特征静态特征 (1-11) G S D V GS + - DS n-channel a) b) 图1-20电力MOSFET电气符号和转移特性 a)电气图形符号 b)转移特性 Power Electronics

50 40 30 20 10 UGS /V ID /A UGS =UT=3V UGS =8V UGS =4V UGS =5V UGS =6V UGS =7V 饱和区非饱和区截止区饱和需要保持Vgs的值，以使电流通过，门电流为零，除了开关作用期间的充放电过程。开关时间短（几个ns-几百ns）。源漏极之间的导通电阻为阻断电压的函数。BVDSS（Blocking Voltage）缺点是导通电阻较大。 Rds（on）=kBVss ，k取决于器件的几何尺寸，正的温度特性。漏源电压增加时漏极电流不再增加非饱和漏源电压增加时漏极电流相应增加 MOSFET在漏极和源极之间形成一个反向并联的寄生二极管，与MOSFET构成整体，使得在漏、源极间加反向电压时器件导通。 c) 图 c)电力MOSFET输出特性 Power Electronics

Power Electronics 动态特征 ton = td(on) + tr toff = td(off) + tf
uGS uGSp uT iD uP td(on) tr t tf td(off) RF Rs up RG uGS iD信号 iD +UE RL a) b) 图1-20 电力MOSFET开关过程 a)测试电路 b)开关过程波形关断延迟时间td(off) 从脉冲电压up下降到零时，栅极输入电容Cin通过信号源内阻RG ( 》RS )和栅极电阻开始放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，下降到uGSP时，漏极电流iD开始减小的这段时间开通延迟时间td(on) 从uP前沿时刻到 uGS = UT 并开始出现 iD的这段时间上升时间tr uGS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅压uGSP的时间下降时间tf Cin继续放电，uGS从继续下降，iD减小，到 uSG <UT 时沟道消失，iD下降到零的时间 MOSFET开通时间ton ton = td(on) + tr (1-12) toff = td(off) + tf (1-13) MOSFET关断时间toff Power Electronics

Power Electronics ton = td(on) + tr toff = td(off) + tf 开通延迟时间td(on)
从uP前沿时刻到 uGS = UT 并开始出现 iD的这段时间上升时间tr uGS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅压uGSP的时间 ton = td(on) + tr (1-12) MOSFET开通时间ton 关断延迟时间td(off) 从脉冲电压up下降到零时，栅极输入电容Cin通过信号源内阻RG ( 》RS )和栅极电阻开始放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，下降到uGSP时，漏极电流iD开始减小的这段时间下降时间tf Cin继续放电，uGS从继续下降，iD减小，到 uSG <UT 时沟道消失，iD下降到零的时间 MOSFET关断时间toff toff = td(off) + tf (1-13) Power Electronics

Power Electronics 3.电力MOSFET的主要参数漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额参数
漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力MOSFET电流定额参数栅源电压 UGS ︱UGS ︱>20V将导致绝缘层击穿极间电容 Ciss = CGS + CGD (1-14) Crss = CGD (1-15) Coss = CDS + CGD (1-16) 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定电力MOSFET的安全工作区电力MOSFET不存在二次击穿 Power Electronics

1.4.5 绝缘栅双极晶体管 Power Electronics 1. IGBT的结构和工作原理
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或 IGT）— GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有良好的特性。 1. IGBT的结构和工作原理 P N+ N- 缓冲区 J2 G E J3 J1 P+ 漂移区注入区 C 集电极发射极栅极 G E IDRon + － IC ID RN VJI C E C G a) b) c) 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a)内部结构断面示意图 b)简化等效电路 c)电气图形符号 Power Electronics

图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性
静态特征 UFM URM 反向阻断区饱和区有源区正向阻断区 UGE增加 UCE IC UGE UGE(th) IC a) b) 图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性 Power Electronics

Power Electronics 动态特征关断延迟时间td(off) 电流下降时间tf 关断时间toff
IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电力MOSFET。 IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数。高压器件的N基区必须有足够宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长。 uCE uCEM td(on) tr t tf tfv1 tfv2 ton toff tfi1 tfi2 td(off) 10%ICM 90%ICM ICM IC UGE UGEM 10%UGEM 90%UGEM 关断延迟时间td(off) 驱动电压uGE后沿下降至幅值的90%到集电极电流iC下降至幅值的90%的时间电流下降时间tf 集电极电流iC从90%ICM下降至10%ICM的时间关断时间toff tof f= td(off) + tf 开通延迟时间td(on) 驱动电压uGE前沿上升至幅值的 10%到集电极电流 iC上升至幅值的10%的时间电流上升时间tr 集电极电流iC从10%ICM上升90%ICM 的时间开通时间ton ton = td(on) + tr 图1-24 IGBT的开关过程 Power Electronics

Power Electronics 3. IGBT的主要参数最大集射极间电压UCES 由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压决定
最大集电极电流额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 最大集电极功耗PCM 正常工作温度下允许的最大耗散 IGBT的特性和参数特点开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 Power Electronics

Power Electronics 4. IGBT的擎住效应和安全区擎住效应（自锁效应）正向偏置安全工作区反向偏置安全工作区
NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。正向偏置安全工作区最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围。反向偏置安全工作区最大集电极电流、最大集射极间电压和最大最大允许电压上升率确定IGBT在阻断工作状态的参数极限范围。 IGBT与反并联快速二极管封装在一起制成模块，成为逆导器件。 P N+ N- 缓冲区 J2 G E J3 J1 P+ 漂移区注入区 C 集电极发射极栅极图 IGBT的结构 a)内部结构断面示意图 Power Electronics

1.5 其他新型电力电子器件 Power Electronics 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT
1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与集成电路 Power Electronics

1.5.1 MOS控制晶闸管MCT Power Electronics MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。
高输入阻抗低驱动功率快速开关过程 MOSFET MOS控制晶闸管晶闸管高电压大电流低导通压降 MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。关键技术问题没有突破，电压、电流容量未达到预期效果。 Power Electronics

1.5.2 静电感应晶体管SIT Power Electronics
将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，可制成大功率SIT器件。 SIT是多子导电器件,工作效率与电力MOSFET相当或更大，功率容量大于电力MOSFET，是用于高频大功率场合。 SIT栅极不加任何信号是导通的，栅极加负偏压时关断，被称为正常导通型器件。 SIT通态电阻大，通态损耗大。 Power Electronics

1.5.3 静电感应晶闸管SITH Power Electronics 静电感应晶体管SITH（场控晶体管） SITH
漏极层导电类型不同的发射极层 SITH 比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。工作原理与SIT类似，门极和阳极电压均能通过电场控制阳极电流。制造工艺比GTO复杂、特性多与GTO相似，开关速度比GTO快，是大容量快速器件。是正常导通型，也是正常关断型，电流关断增益较小。 Power Electronics

1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT Power Electronics 集成门极换流晶闸管IGCT(门极换流晶闸管GCT)
容量与GTO相当开关速度比GTO快10倍省去GTO应用时庞大复杂的缓冲电路驱动功率仍然大将IGBT与GTO优点结合在一起 Power Electronics

1.5.5 功率模块与集成电路 Power Electronics 功率模块功率集成电路高压集成电路智能功率集成电路
按照典型电力电子电路的拓扑结构，将多个相同的电力电子器件或多个相互配合使用的不同电力电子器件封装在一个模块中，该模块可减小线路电感，简化对保护和缓冲电路的要求。功率集成电路将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电路制作在同一芯片上。高压集成电路横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。智能功率集成电路纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。智能功率模块IPM(智能IGBT) IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成 Power Electronics

PIC 是电力半导体技术与微电子技术结合的产物，其根本特征是使动力与信息结合，成为机电借口，是机电一体化的基础元件。
PIC包括高压功率集成电路(HVIC)、智能功率集成电路(Smart Power-IC)和功率专用集成电路，简称SPIC。HVIC可达 500V/600Ma，用于平板发光显示驱动装置和长途电话的功率变换装置。 PIC可分为三个领域：(1)低压大电流PIC，主要用于汽车点火、开关电源、和同步发电机等；(1)高压小电流PIC，主要用于平板显示、交换机等；(3)高压大电流PIC，主要用于交流电机控制、家用电器等。智能功率模块IPM 它不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有过电压、过电流和过热等故障监测电路，并可将监测信号送给CPU。即使发生负载事故或使用不当，也可保证IPM自身不受损坏。该模块一般采用IGBT作为功率开关元件，也内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。 Power Electronics

1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路
1.6 电力电子器件器件的驱动电力电子器件驱动电路概述晶闸管的触发电路典型全控型器件的驱动电路 Power Electronics

1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 Power Electronics 驱动电路主电路与控制电路之间的接口
电力电子器件驱动电路概述驱动电路主电路与控制电路之间的接口理想的开关状态性能良好的驱动电路使电力电子器件缩短开关时间减小开关损耗对装置的运行效率，可靠性、安全性有重要意义驱动电路的基本任务将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。 Power Electronics

Power Electronics 驱动电路提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节（一般采用光隔离或磁隔离）。触发电路晶闸管的驱动电路
对半控型器件提供开通控制信号对全控型器件驱动电路开通信号提供关断信号驱动电路提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节（一般采用光隔离或磁隔离）。驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号电压驱动型电流驱动型触发电路晶闸管的驱动电路晶闸管电流驱动型器件半控型器件 Power Electronics

1.6.2 晶闸管的触发电路 Power Electronics 晶闸管触发电路作用
晶闸管的触发电路晶闸管触发电路作用产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。广义上讲，还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路。晶闸管触发电路应满足下列要求触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。典型的触发电路有KJ004,TCA785 Power Electronics

Power Electronics 理想触发脉冲电流波形 t1 ~ t4 —脉冲宽度 I —脉冲 V2 R3 R2 R1 R4 +E1
VD2 VD1 VD3 TM IM I t3 t2 t1 t4 t 图1-22 理想的晶闸管触发脉冲电流波 t1 ~ t2 —脉冲前沿上升时间 (< 1μs ) t1 ~ t3 —强脉冲宽度 IM—强脉冲幅值 (3IGT ~ 5IGT ) t1 ~ t4 —脉冲宽度 I —脉冲平顶幅值 (1.5IGT ~ 2IGT ) 图1-27 常见的晶体管触发电路 Power Electronics

1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 Power Electronics 1.电流驱动型器件的驱动电路 1) GTO 开通驱动电路
典型全控型器件的驱动电路 1.电流驱动型器件的驱动电路 1) GTO t uG ti 开通触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高，需在整个导通极期间施加正门极电流。关断需施加负门极电流，对幅值和陡度要求更高开通驱动电路关断驱动电路门极反偏电路驱动电路脉冲变压器耦合式直接耦合式图1-28 推荐的GTO门及电压电流波形 Power Electronics

直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。
二极管VD1和电容C1提供+5V电压 VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压 VD4和电容C4提供-15V电压 V1开通时，输出正强脉冲 V2开通时输出正脉冲平顶部分 V2关断而V3开通时输出负脉冲 V3关断后R3和R4提供门极负偏压图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路 Power Electronics

Power Electronics 开通GTR的基极驱动电流应使其处于准饱和状态，使之不进入放大区和深饱和区。
tb 开通GTR的基极驱动电流应使其处于准饱和状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和管段损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值的负偏压。图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 Power Electronics

Power Electronics 2) GTR GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分
　　二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。　　C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分图1-31 GTR的一种驱动电路 Power Electronics

Power Electronics 2. 电压驱动型器件的驱动电路电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件
无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 Power Electronics

1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）
1.7 电力电子器件器件的保护过电压的产生及过电压保护过电流保护缓冲电路（Snubber Circuit） Power Electronics

1.7.1 过电压的产生及过电压保护 Power Electronics 换相过电压关断过电压过电压外因过电压内因过电压雷击过电压
过电压的产生及过电压保护过电压外因过电压内因过电压雷击过电压操作过电压换相过电压关断过电压换相过电压晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。关断过电压全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。 Power Electronics

Power Electronics 过电压保护措施图1-34 过电压抑制措施及配置位置
图1-34　过电压抑制措施及配置位置 F避雷器　D变压器静电屏蔽层　C静电感应过电压抑制电容 RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路　RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV压敏电阻过电压抑制器　RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4直流侧RC抑制电路　RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路 Power Electronics

Power Electronics RC过电压抑制电路或接于接于电力电子电供电路的直流侧变压器网侧阀侧直流侧阀侧
Cdc Rdc Ra Ca ~ + - RC过电压抑制电路 R2 R1 C1 C2 电力电子装置过电压抑制电路或接于接于电力电子电路的直流侧供电变压器网侧阀侧 a) b) 图1-35　RC过电压抑制电路联结方式 a) 单相 b)三相图1-36　反向阻断式过电压抑制用RC电路 Power Electronics

1.7.2 过电流保护 Power Electronics 过载过电流短路短路时的部分区段的保护快速熔断器过电流保直流快
过电流保护过载过电流短路快速熔断器短路时的部分区段的保护过电流保护措施直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护过电流继电器整定在过载时动作同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性图1-37　过电流保护措施及配置位置 Power Electronics

Power Electronics 快熔是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，选择快熔时考虑：
电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定。电流容量因按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。快熔的I2t值应小于被保护器件的允许I2t值。保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。全保护只适用于小功率装置或器件使用裕度较大的场合不论过载还是短路均由快熔保护保护方式短路保护需与其他过电流保护措施相配合只在短路电流较大的区域内起保护作用 Power Electronics

1.7.3 缓冲电路 Power Electronics 缓冲电路（吸收电路）作用缓冲电路
缓冲电路缓冲电路（吸收电路）作用抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。关断缓冲电路（du/dt抑制电路）用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗开通缓冲电路（di/dt抑制电路）用于抑制器件开通的电流过冲和di/dt，减小开通损耗缓冲电路复合缓冲电路将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起耗能式缓冲电路缓冲电路中储能元件的能量消耗在其吸收电阻上馈能式缓冲电路（无损吸收电路）缓冲电路中储能元件的能量回馈给负载或电流 Power Electronics

通常缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路
图1-38　di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 Power Electronics

Power Electronics V开通电流迅速上升，di/dt很大 V关断 du/dt很大，并出现很高的过电压
无缓冲电路 V开通电流迅速上升，di/dt很大 V关断 du/dt很大，并出现很高的过电压 t uCE O d i 抑制电路时无有有缓冲电路时无缓冲电路时 iC V开通 Cs通过Rs向V放电，使ic先上一个台阶，以后因有di/dt抑制电路的Li ,ic上升速度减慢。有缓冲电路 V关断负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。图1-38 b) di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路波形 Power Electronics

Power Electronics 无缓冲电路有缓冲电路
uCE 迅速上升，负载L上的感应电压是续流二极管VD开始导通，负载线A从移动到B，iC下降到漏电流的大小，负载线随之移动到C。有缓冲电路 CS的分流使iC在uCE开始上升的同时就下降，负载线经过D到达C，负载线ABC经过的是小电流、小电压区，器件的关断损耗比无缓冲电路时降低。 ic B A D C 无缓冲电路有缓冲电路 ucE 图1-37　关断时的负载线 Power Electronics

a)RC吸收电路 b)放电阻止型RCD吸收电路
i VD L V d t 抑制电路缓冲电路 s C D L CS RS Ed 缓冲电路负载 L CS RS Ed 缓冲电路负载 b) c) 图另外两种常用缓冲电路 a)RC吸收电路 b)放电阻止型RCD吸收电路 a) 图1-38 a) 充放电型RCD缓冲电路 Power Electronics

1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点
1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用晶闸管的串联晶闸管的并联电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 Power Electronics

1.8.1 晶闸管的串联 Power Electronics 静态不均压问题由于器件静态参数和特性不同而造成的均压问题。
晶闸管的串联静态不均压问题由于器件静态参数和特性不同而造成的均压问题。晶闸管的额定电压小于实际要求时，可用两个以上同型号器件串联。理想的串联希望各器件承受的电压相等。首先应选用静态参数和特性尽量一致的器件为达到静态均压此外可采用电阻均压动态不均压问题由于器件动态参数和特性不同而造成的均压问题。首先应选用动态参数和特性尽量一致的器件为达到动态均压此外可采用RC并联支路作动态均压图1-41　晶闸管的串联 a)伏安特性差异 b)串联均压措施晶闸管采用门极强脉冲触发可减小器件开通时间上的差异 Power Electronics

1.8.2 晶闸管的并联 Power Electronics 多个器件并联来承担较大的电流
晶闸管的并联多个器件并联来承担较大的电流晶闸管并联时会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。均流措施挑选特性参数尽量一致的器件当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接用门极强脉冲触发也有助于动态均流采用均流电抗器 Power Electronics

1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点
Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。电路走线和布局应尽量对称。可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。 IGBT并联运行的特点在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数。在以上的区段则具有正温度系数。并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 Power Electronics

本章小结 Power Electronics
混合型 MCT 双极型单极型 GBT 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，分为单极型电力电子器件和双极型电力电子器件。 SITH 复合型 GTR 功率MOSFET 功率SIT GTO RCT 晶闸管 TRIAC LTT 肖特势垒二极管电力二极管图1-42　电力电子分类 “树” Power Electronics

目录 Power Electronics 绪论 1 电力电子器件 2 整流电路 3 直流斩波电路 4 交流电力控制电路和交交变频电路
目录绪论 1 电力电子器件 2 整流电路 3 直流斩波电路 4 交流电力控制电路和交交变频电路 5 逆变电路 6 PWM控制技术 7 软开关技术 8 组合变流技术 Power Electronics

第1章电力电子器件 Power Electronics 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管

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