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第五章 放大电路的频率特性 放大倍数随频率变化曲线 Au Aum 0.7Aum f 下限截止频率 上限截止频率 fL fH 通频带:

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1 第五章 放大电路的频率特性 放大倍数随频率变化曲线 Au Aum 0.7Aum f 下限截止频率 上限截止频率 fL fH 通频带:
第五章 放大电路的频率特性 放大倍数随频率变化曲线 f Au Aum 0.7Aum fL 下限截止频率 fH 上限截止频率 通频带: fbw=fH–fL

2 5.1 放大电路的频率特性概述 幅频特性是描绘输入信号幅度 幅度频率特性 固定,输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即
∣ ∣= ∣ ∣= 幅度频率特性 相位频率特性 相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即

3 因放大电路对不同频率成分信号的增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅度频率失真,简称幅频失真。
这些统称放大电路的频率响应。 因放大电路对不同频率成分信号的增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅度频率失真,简称幅频失真。 放大电路对不同频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。幅频失真和相频失真是线性失真 幻灯片 18

4 2.三极管的()是频率的函数。 这些统称放大电路的频率响应。 幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真;
相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。 产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件,例如 耦合电容、旁路电容、分布电容、变压 器、分布电感等; 2.三极管的()是频率的函数。 在研究频率特性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要采用高频小信号模型。

5 5.1.2 频率响应的基本概念 一、高通电路 RC高通电路如图所示。 其电压放大倍数 为: 式中 下限截止频率、模和相角分别为

6 HPF

7 HPF

8 RC高通电路的频率响应 RC电路的电压增益: 幅频响应 相频响应

9 二、低通电路 1定性分析,2定量分析 电压放大倍数(传递函数)为 RC低通电路

10 LPF

11 由以上公式可做出如图所示的RC低通电路的近似频率特性曲线:

12 研究放大电路的动态指标(主要是增益)随信号频率变化时的响应。
RC低通电路的频率响应 ①增益频率函数 (电路理论中的稳态分析) RC电路的电压增益(传递函数): 且令 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 (幅频响应) 电压增益的幅值(模) (相频响应) 电压增益的相角

13 RC低通电路的频率响应 ②频率响应曲线描述 幅频响应 相频响应 0分贝水平线 因为 最大误差 -3dB 所以 表示输出与输入的相位差
高频时,输出滞后输入

14 5.1.3 波特图 幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, 称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十
波特图 幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, 称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十 倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。在 处的误差最大,有-3dB。 当 时,相频特性将滞后45°,并具有 -45/dec的斜率。在 和 处与实际的相频 特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。   这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是 分析放大电路频率响应的重要手段。(见书P213)

15 波特图 幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, 称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十
称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十 倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。在 处的误差最大,有-3dB。 当 时,相频特性将滞后45°,并具有 +45/dec的斜率。在 和 处与实际的相频 特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。   这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是 分析放大电路频率响应的重要手段。(见书P213)

16 5.2 晶体管的高频等效模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理 模型而建立的,三极管的物理结构如图所示。
5.2.1 晶体管的混合∏模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理 模型而建立的,三极管的物理结构如图所示。 rbb' ---基区的体电阻,b'是假想的基区内的一个点。 双极型三极管 物理模型 --- 发射结电阻 r e rb'e--- re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容,也用C这一符号 ---集电结电阻 ---集电结电容,也用C这一符号 互导

17 一、完整的混合∏模型 用 代替 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型,如图所示。 高频混合π型小信号模型电路

18 二、简化的混合∏模型 在π型小信号模型中,因存在Cb’c 和rb’c,对求解不便,可通过单向化处理(米勒定律)加以变换。首先因rb’c很大,可以忽略,只剩下Cb’c 。可以用输入侧的C’和输出侧的C’’两个电容去分别代替Cb)c如图所示。类似于一个RC低通电路。 RC低通电路 高频混合π型小信号电路

19 米勒定律 补充 大电流处的电阻折合到小电流处,电阻扩大(大电流÷小电流)倍。 小电流处的电阻折合到大电流处,电阻缩小(大电流÷小电流)倍。

20 二、简化的混合∏模型 混合型高频小信号模型

21 三、混合∏模型的主要参数 又因为 所以 从手册中查出

22 晶体管电流放大倍数  的频率响应 由H参数可知 根据混合模型得 时, 所以

23 晶体管电流放大倍数  的频率响应 (5.2.6) 的幅频响应 ——共发射极截止频率 ——特征频率 ——共基极截止频率

24 5.3 场效应管的高频等效模型 结型 耗尽 增强

25 5.4 单管放大电路的频率响应 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应

26 对于图所示的共发射极接法的基本放大电路,分析其频率响应,需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型,如图所示。然后分低、中、高三个频段加以研究。
CE接法基本放大电路 全频段微变等效电路

27 一、中频电压放大倍数 (5.4.2) CE接法基本放大电路 中频段微变等效电路

28 L3={Re // [(R'S+rbe)/1+]}Ce 式中R'S = RS// R'b
二、低频电压放大倍数 低频段的微变等效电路如图所示,C1、C2和Ce被保留。显然,该电路有 三个RC电路环节。当信号频率提高时,它们的作用相同,都有利于放大倍数的提高,相当于高通环节,有下限截止频率。 L1=[(R'b //rbe)+RS]C1 L2=(Rc +RL)C2 L3={Re // [(R'S+rbe)/1+]}Ce 式中R'S = RS// R'b 低频段微变等效电路

29 当R‘b较大,并且Re>>1/Ce时。为简单起见,将Ce归算到基极回路后与C1串联,设C’e =Ce /1+。同时在输出回路用戴文宁定理变换,得到简化的微变等效电路,如下图所示。

30 简化后的低频段等效电路 低频段微变等效电路 类似于一个RC高通电路。

31 三、高频电压放大倍数 (5.4.8) CE接法基本放大电路 全频段微变等效电路

32 共射极放大电路的高频响应 型高频等效电路

33 电路简化 对节点 c 列KCL得 忽略 的分流得 称为密勒电容 等效后断开了输入输出之间的联系

34 最后

35 由电路得 电压增益频响 其中 低频增益 上限频率

36 放大倍数随频率变化曲线 四、波特图 f Au Aum 0.7Aum fL 下限截止频率 fH 上限截止频率

37 f Au Aum 0.7Aum fL 下限截止频率 fH 上限截止频率 φ 波特图 -90º -135º -180º -225º -270º

38 几点结论: 1.放大电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因,下限截止频率主要由低频时间常数中较小的一个决定;
2.三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因,上限截止频率由高频时间常数中较大的一个决定;

39 5.4.2 单管共源放大电路的频率响应 中频小信号模型

40 低频模型

41 高频模型

42 放大电路的改善和增益-带宽积 BJT 一旦确定, 带宽增益积基本为常数 # 如何提高带宽?

43 例题 例3.7.1 设共射放大电路在室温下运行,其参数为: 试计算它的低频电压增益和上限频率。 解: 模型参数为 低频电压增益为
例 设共射放大电路在室温下运行,其参数为: 试计算它的低频电压增益和上限频率。 解: 模型参数为 低频电压增益为 所以上限频率为 又因为

44 补充 共基极放大电路的高频响应 ①高频等效电路

45 ②高频响应 忽略 列 e 点的KCL 所以电流增益为 电压增益为 其中 其中 特征频率

46 ③几个上限频率的比较 的上限频率 共发射极上限频率 共基极上限频率 特征频率 共基极电路频带最宽,无密勒电容

47 5.5 多级放大电路的频率响应 5.5.1 多级放大电路的定性分析 • 前级的开路电压是下级的信号源电压
5.5 多级放大电路的频率响应 多级放大电路的定性分析 • 前级的开路电压是下级的信号源电压 • 前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗 • 下级的输入阻抗是前级的负载

48 多级放大电路的频率响应 (仿真) (以两级为例) 当两级增益和频带均相同时, 则单级的上下限频率处的增益为 两级的增益为
即两级的带宽小于单级带宽 • 多级放大电路的通频带比 它的任何一级都窄

49 截止频率的估算 • 多级放大使通频带变窄


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