1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

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1 1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

2 1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

3 2.（）奈米線為一維奈米材料

4 2.（ ○ ）奈米線為一維奈米材料

5 3.（）本實驗奈米線合成的材料為何

6 3.（ZnO）本實驗奈米線合成的材料為何

7 4.（）本實驗合成奈米線的溫度

8 4.（500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度

9 5.（）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

10 5.（2）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

11 6.（）本實驗合成奈米線的機制

12 6.（VLS,VS）本實驗合成奈米線的機制

13 7.（）VLS為何

14 7.（氣相-液相-固相）VLS為何

15 8.（）VS為何

16 8.（氣相-固相）VS為何

17 9.（）本實驗合成奈米線的觸媒為何

18 9.（金）本實驗合成奈米線的觸媒為何

19 10.（）本實驗合成奈米線使用的基板為何

20 10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何

21 11.（）ZnO奈米線的晶體結構

22 11.（HCP）ZnO奈米線的晶體結構

23 12.（）ZnO為半導體材料

24 12.（ ○ ）ZnO為半導體材料

25 13.（）ZnO為寬能隙半導體

26 13.（ ○ ）ZnO為寬能隙半導體

27 14.（）ZnO為功能性氧化物

28 14.（ ○ ）ZnO為功能性氧化物

29 15.（）HCP的APF為何

30 15.（0.74）HCP的APF為何

31 16.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

32 16.（ ○ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

33 17.（）ZnO為P-Type

34 17.（ ○ ）ZnO為P-Type

35 18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央

36 18.（ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央

37 19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g

38 19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g

39 20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料

40 20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料

41 21.（）奈米線具有高比表面積

42 21.（○）奈米線具有高比表面積

43 22.（）奈米線易於應用感測元件

44 22.（ ○ ）奈米線易於應用感測元件

45 23.（）奈米線易於應用雷測元件

46 23.（○）奈米線易於應用雷測元件

47 24.（） SEM 全名

48 24.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名

49 25.（） TEM全名

50 25.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名

51 26.（） SEM 試片製作需鍍金

52 26.（○） SEM 試片製作需鍍金

53 27.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪

54 27.（ ○ ）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪

55 28.（）超音波震盪使用時間為20分

56 28.（×）超音波震盪使用時間為20分

57 29.（）如何判定是VLS或VS

58 29.（有無鍍金）如何判定是VLS或VS

59 30.（）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

60 30.（ ○ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

61 31.（）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測

62 31.（ ○ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測

63 32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測

64 32.（○）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測

65 33.（） UV稱為紫外光

66 33.（ ○ ） UV稱為紫外光

67 34.（）分析場發射特性時需抽真空

68 34.（○）分析場發射特性時需抽真空

69 35.（）50 Torr 稱為低真空

70 35.（○）50 Torr 稱為低真空

71 36.（） 10-2 Torr 稱為低真空

72 36.（×） 10-2 Torr 稱為低真空

73 37.（） 10-5 Torr 稱為高真空

74 37.（○） 10-5 Torr 稱為高真空

75 38.（）抽真空時需先開渦輪幫浦

76 38.（ × ）抽真空時需先開渦輪幫浦

77 39.（）分析場發射特性時需量測極限值

78 39.（ ○ ）分析場發射特性時需量測極限值

79 40.（）分析場發射特性時起始電壓越低越好

80 40.（ ○ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好

81 41.（）V＝E × L

82 41.（○）V＝E × L

83 42.（）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好

84 42.（ × ）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好

85 43.（）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

86 43.（×）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

87 44. （）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3. 37 eV（2） 4. 37 eV （3） 5
44.（）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37 eV （3） 5.37 eV （4） 3.27 eV

88 44. （1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3. 37 eV（2） 4. 37eV（3） 5
44.（1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37eV（3） 5.37 eV （4） 3.27 eV

89 45.（）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K

90 45.（1）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K

91 46.（）氧化鋅可應用於太陽能電池

92 46.（ ○ ）氧化鋅可應用於太陽能電池

93 47.（）何為 Solar cells

94 47.（太陽能電池）何為 Solar cells

95 48.（）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

96 48.（ ○ ）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

97 49.（）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

98 49.（○）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

99 50.（） SFLS稱為超臨界流體-液-固

100 50.（○） SFLS稱為超臨界流體-液-固