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模拟电子技术基础 李思光
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第一章 常用半导体器件 § 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3 双极型晶体管 § 1.4 场效应管
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§1.1 半导体的基础知识 一、本征半导体 1、导体、半导体和绝缘体
纯净的具有晶体结构的半导体 1、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体（电阻率10-6～10-3㎝）。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英（电阻率109～1020㎝） 。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等（电阻率10-3～109㎝） 。
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半导体导电特性： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化－－热敏性或光敏性。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变－－掺杂性。
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本征半导体原子结构 硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
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本征半导体晶体结构 共价键，共用一对价电子。
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2、本征半导体的导电机理 载流子、自由电子和空穴
在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 运载电荷的粒子称为载流子。
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本征半导体的导电机理 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。
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本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电子电流。 2. 空穴移动产生的空穴电流。 电子空穴对的复合：自由电子能量损失，被空穴俘获，成对消失。最终热激发和复合达到动态平衡 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。
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二、 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质（元素）得到。根据掺入其他元素的不同分为 N 型半导体： 掺入元素：
少数载流子：（原因） 多数载流子： P 型半导体： 掺入元素： 少数载流子： 多数载流子：
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杂质半导体的示意表示法 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 +
－ P 型半导体 + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。
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三、 PN结 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。
扩散运动： 漂移运动：
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三、 PN结 空间电荷区（耗尽层、势垒区） 扩散运动与漂移运动达到动态平衡
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2、 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。
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（1）PN 结正向偏置---正向导通 形成较大正向电流，PN结压降只有0.6~0.8V硅（锗0.1~0.3V），正向电阻小
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（2）PN 结反向偏置---反向截止 形成很小反向电流，很大的反向电阻
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3、 PN结的电流方程 理论分析表明： 其中： 称为温度电压当量。 称为反向饱和电流。 称为正向特性。 称为反向特性。
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4、伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性：
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5、 PN的极间电容 PN结存在有电容，此电容由两部分组成：势垒电容Cb和扩散电容Cd。
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5、 PN结的电容效应 PN结存在有电容，此电容由两部分组成：势垒电容Cb和扩散电容Cd。
扩散电容： PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 。 结电容：
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PN结高频小信号时的等效电路： rd Cb在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。
势垒电容和扩散电容的综合效应 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！
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1.2 半导体二极管 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 二极管的几种外形 小功率二极管
大功率二极管 稳压 二极管 发光
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点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。
面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。
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1.2.2二极管的伏安特性 一、二极管和PN结伏安特性的区别 二极管方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V
击穿电压 反向饱和电流 开启电压 二极管方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA
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二、温度对二极管伏安特性的影响-温度敏感
1.温度每升高1℃，正向压降减小2～2.5mV； 2.温度每升高10℃，反向电流约增大一倍；
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1.2.4二极管的等效电路 在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称为二极管的等效模型。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.理想二极管等效电路 2.理想二极管与恒压源串联的等效电路 3.折线等效电路
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1. 将伏安特性折线化 应根据不同情况选择不同的等效电路！ ？ 管压降折线模型--------内阻 理想 二极管 理想开关
导通时 UD＝0截止时IS＝0 管压降模型 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 ？ 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 100V？5V？1V？
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二、 微变等效电路 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。
ui=0时直流电源作用 小信号作用 Q越高，rd越小。 静态电流
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二极管的应用举例1：二极管半波整流 RL ui uo ui uo t
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二极管的应用举例2： t ui uR uo R RL ui uR uo
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1.2.3二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 2. 反向击穿电压U(BR) 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。
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3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 最高工作频率fM 二极管的上限频率
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讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 对V和Ui二极管的模型有什么不同？
V与uD可比，则需图解： ID 实测特性 Q uD=V－iR UD
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1.2.5、稳压二极管 1. 伏安特性 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。
限流电阻 1. 伏安特性 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 斜率？ 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！
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二、 稳压管的主要参数 （1）稳定电压UZ （2）电压温度系数U（%/℃） 表示温度每变化1 ℃稳压值的变化量。 （3）动态电阻
（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗
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要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。 负载电阻
uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压二极管的应用举例 稳压管的技术参数: 要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。 负载电阻 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 ——方程1
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uo iZ DZ R iL i ui RL 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 联立方程1、2，可解得：
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其它类型二极管 一、 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。
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二、 光电二极管 是一种远红外接收管，光能与电能进行转换的器件。反向电流随光照强度的增加而上升。
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外加反向电压，无光照时的反相电流---暗电流 在反向电压下受到光照而产生的电流---光电流（受入射照度的控制）
无光照，普通二极管 光电池特性 外加反向电压，无光照时的反相电流---暗电流 在反向电压下受到光照而产生的电流---光电流（受入射照度的控制） 照度一定时，光电二极管可等效成恒流源。照度愈大，光电流愈大，光电流大于几十微安时与照度呈线性关系。 应用：遥控、报警及光电传感器中。
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其他特殊二极管 变容二极管（PN结势垒电容）：电子调谐、频率自动控制、调频调幅、调相和滤波
B910 变容二极管（PN结势垒电容）：电子调谐、频率自动控制、调频调幅、调相和滤波 隧道二极管（高掺杂材料的PN结隧道效应）：振荡、过载保护 肖特基二极管（利用金属与半导体之间的接触势垒而制成。正向导通压降小）：微波混频、检测 1N60
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例题
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思考题
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§1.3 双极型晶体管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
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BJT---Bipolar Junction Transistor
两种载流子参与导电，称之为双极型三极管（半导体三极管、晶体管） 为什么有孔？ 小功率管 大功率管 中功率管
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一、晶体管的结构及类型 在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，构成三极管。 集电极 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型
b e c 集电区：面积大 N P P N 基区：很薄且掺杂浓度很低 基极 发射区：掺杂浓度很高 制造工艺特点 具有放大作用的外部条件 发射极
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b e c N P 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 晶体管有三个区、 两个PN结、三个极。
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二、 晶体管的电流放大作用 c N b VCC P Rb e IE VBB 1、晶体管内部载流子的运动 IBN
外部条件：发射结正偏，发射结反偏 b e c N P 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 VCC IBN IE Rb 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电子流IEN 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电子流。 VBB
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IC=ICN+ICBOICN b e c N P ICN VCC IE RB VBB
IBN IE RB VBB
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2、晶体管的电流分配关系 IE= IEN +IEP IB= IBN -ICBO IEN= IBN +ICN= IB +IC
IC=ICN+ICBO ICN
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3、晶体管的共射电流放大系数 ICN与IBN 之比称为电流放大倍数
穿透电流 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。
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晶体管的共基电流放大系数 交流电流放大系数
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三、晶体管的共射特性曲线 IC 实验线路 mA IB A VCC V Rb V UCE UBE VBB
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1、输入特性曲线 IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE =0.5V UCE=0V UCE 1V
工作压降： 硅管UBE0.6~0.8V,锗管UBE0.1~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。
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问题 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大曲线右移？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
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2、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A UCE(V) 3 6 9
当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 UCE(V) 3 6 9 12
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IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A
此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE<0.3V称为饱和区。
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IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A
此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE< 死区电压，称为截止区。
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输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCES0.3V (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 即：UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
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当VBB= = -2V时： IC最大饱和电流： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 例： =50， VCC =12V，
Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当VBB= = -2V时： IC最大饱和电流： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区
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IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
例： =50， VCC =12V， Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =2V时： IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
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IC> Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是的关系）
例： =50， VCC =12V， Rb =70k， Rc =6k 当VBB= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =5V时: IC> Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是的关系）
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四、温度对晶体管特性及参数的影响 1、温度对ICBO的影响 2、温度对输入特性的影响
实验证明，温度每升高10℃， ICBO增加约一倍；反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 2、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高1℃， UBE大约下降2～2.5mV。
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3、温度对输出特性的影响 温度升高1℃， 增加0.5～1％。 IC
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五、晶体管的主要参数 1. 电流放大倍数和 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。
1. 电流放大倍数和 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：
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例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。
在以后的计算中，一般作近似处理： =
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2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 A ICBO
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3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO= (1+ ) ICBO C ICBO N B P N IEP E
根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流 ICBO 。 ICBO进入N区，形成IEP E
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4.集电极最大电流ICM 5.集-射极反向击穿电压
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。
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6. 集电极最大允许功耗PCM IC ICM ICUCE=PCM PC =ICUCE PCPCM UCE U(BR)CEO 安全工作区
流过三极管， 所发出的焦耳 热为： IC UCE ICM ICUCE=PCM PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 U(BR)CEO PCPCM
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7. 特征频率fT 电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率。
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例题1.3.1
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例题1.3.2 2
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六、光电三极管 原理：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 功能：等同于一直光电二极管与一只晶体管相连，仅引出集电极与发射极。
暗电流：没有光照时的集电极电流ICEO。比光电二极管的暗电流约大两倍。温度每上升25oC，ICEO上升10倍。 光电流：有光照时的集电极电流ICEO,uCE足够大时，iC几乎仅仅取决于入射光强。
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讨论一 uCE=1V时的iC就是ICM 2.7 U（BR）CEO 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
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讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性
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讨论三 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。
描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线，称为电压传输特性。
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§1.4 场效应管--FET 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析
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§1.4 场效应管--FET FET控制原理：利用输入回路的电场效应来控制输出回路电路。是电场控制器件。 特点：
单极型晶体管（一种载流子参与导电），体积小，重量轻，寿命长。高输入阻抗，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗低 种类： 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管IGMOS 耗尽型场效应管和增强型场效应管
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一、 结型场效应管 结构符号： d g s N沟道和P沟道两种
在同一块N型半导体上制作两个高掺杂P型区，连接在一起引出电极称为栅极（g），N型半导体的两端分别引出电极，一个称为漏极（d），一个称为源极（s）。漏极与源极之间的非耗尽层区域称为导电沟道。 d漏极 P+ g栅极 d g s s源极
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实际结构
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一、 结型场效应管 1、结型场效应管的工作原理 符号：N沟道结型 N沟道结型场效应管 D漏极 D D N G(栅极) G G P S S
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符号：P沟道结型 P N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S
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UDS=0V时 以P沟道为例分析 P G S D UDS UGS PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ID N N
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但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。
UDS=0V时 UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 P G S D UDS UGS N ID N
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UGS达到一定值时（夹断电压UGS（off） ）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。
P UDS N G UGS S
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UGS< UGS（off）且UDS>0、UGD< UGS（off）时耗尽区的形状
越靠近漏端，PN结反压越大 P G S D UDS UGS ID N
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UGS< UGS（off）且UDS较大时UGD< UGS（off）时耗尽区的形状
沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 P G S D UDS UGS ID N
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UGS< UGS（off） UGD= UGS（off）时
漏极的沟道被夹断，称为予夹断。 G S D UDS UGS ID UDS增大则被夹断区向下延伸。 N
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UGS< UGS（off） UGD= UGS（off）时
此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 G S D UDS UGS ID N
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1.输出特性曲线 二、结型场效应管的特性曲线 夹断区 ID U DS 5V 4V 恒流区 3V 2V 可变电阻区 1V UGS=0V
一定UGS下的ID-UDS曲线 二、结型场效应管的特性曲线 夹断区 ID U DS 予夹断曲线 可变电阻区 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 恒流区
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2.转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 ID IDSS UGS（off） UGS 夹断电压 饱和漏极电流
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N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 ID IDSS UGS（off） UGS
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N沟道结型场效应管的特性曲线 输出特性曲线 ID U DS UGS=0V -1V -3V -4V -5V
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结型场效应管的缺点： 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。
2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
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1.4.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N G S D 金属铝 G S D 两个N区 P型基底 SiO2绝缘层 导电沟道
绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N G S D 金属铝 G S D 两个N区 P型基底 SiO2绝缘层 导电沟道 N沟道增强型
100
P N G S D G S D 予埋了导电沟道 N 沟道耗尽型
101
G S D N P G S D P 沟道增强型
102
N P G S D G S D 予埋了导电沟道 P 沟道耗尽型
103
二、MOS管的工作原理 ID=0 以N 沟道增强型为例 UGS=0时 UDS UGS 对应截止区 P N G S D
D-S 间相当于两个反接的PN结
104
UGS>0时 感应出电子 UGS足够大时（UGS> UGS(th) ）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。
P N G S D UDS UGS 感应出电子 UGS(th)称为开启电压
105
UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。
P N G S D UDS UGS
106
当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。
P N G S D UDS UGS 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。
107
UDS增加，UGD= UGS(th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。
P N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID
108
三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 ID UGS UGS(th)
109
输出特性曲线 ID U DS UGS>0
110
四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 ID 转移特性曲线 UGS
UGS(th)
111
输出特性曲线 ID U DS UGS>0 UGS=0 UGS<0
117
一、场效应管（以N沟道为例） 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 1. 结型场效应管
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 栅极 漏极 源极 结构示意图 符号 导电沟道
118
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道消失称为夹断 沟道最宽 沟道变窄 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
UGS（off） 沟道消失称为夹断 沟道最宽 沟道变窄 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
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漏-源电压对漏极电流的影响 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ 预夹断 uGD>UGS（off） uGD＝UGS（off）
uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？
120
转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） 漏极饱和电流 夹断电压
121
输出特性 低频跨导： 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） IDSS
iD几乎仅决定于uGS 可变电阻区 g-s电压控制d-s的等效电阻 恒 流 区 ΔiD 击 穿 区 夹断电压 低频跨导： 夹断区（截止区） 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。
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2. 绝缘栅型场效应管 增强型管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 大到一定值才开启 衬底
2. 绝缘栅型场效应管 大到一定值才开启 增强型管 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 SiO2绝缘层 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
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uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻
增强型MOS管uDS对iD的影响 刚出现夹断 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
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耗尽型 MOS管 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 加正离子 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
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MOS管的特性 1)增强型MOS管 开启电压 2)耗尽型MOS管 夹断电压
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利用Multisim测试场效应管的输出特性
从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点？
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