3.2 工艺过程与方法 整个材料领域中，可分为3大类： 气相法 液相法 固相法

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1 3.2 工艺过程与方法 整个材料领域中，可分为3大类： 气相法 液相法 固相法
物理气相沉积法(Phsical Vapor Deposition，PVD) ：系统中不发生化学反应，也称蒸发－凝聚法。 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)：利用气相化学反应来制备材料。 气相聚合 气相法 液相法 固相法

2 1.物理气相沉积法(PVD) 利用电弧、高频电场or等离子体等高温热源将原料 加热 高温→气化/等离子体 骤冷 凝聚成各种形态(如晶须、薄片、晶粒等) 。包括3个步骤： 蒸汽的产生：简单的蒸发和升华or阴极溅射方法。 通过减压使气化材料从供给源转移到衬底。挥发的镀膜材料能用各种方式激活or离子化，离子能被电场加速。 在衬底上发生凝结，最后可能是在高能粒子轰击期间，or在反应气体or非反应气体粒子碰撞过程中(or两者共同作用)，通过异相成核作用和膜生长形成1种沉积膜。

3 PVD法制备薄膜材料 在一定的基体表面制备膜层，由元素和化合物从蒸气相凝结而成。膜沉积技术的基本类型有： (1)真空沉积法(真空蒸镀)
(2)溅射法：利用溅射现象使飞出的原子团or离子在对面基片上析出的方法。 (3)离子镀法： 蒸镀工艺与溅射技术的结合(较新)，基本原理与真空沉积法相同. 都是在真空条件下实现的。前2种形成的薄膜和原始材料成分基本相近，即基片表面没有反应。 PVD能在很宽T衬底范围内进行，从几百度~T液氮甚至更低。适当选择材料，可适用于玻璃和塑料的镀膜。

4 (1)真空沉积法(真空蒸镀)：很早就用于电容器、光学薄膜、塑料等的真空蒸镀、沉积膜等，近年用于塑料表面镀金属，还制备In2O3-SnO2系等透明导电陶瓷薄膜。
机理十分简单，将需制成膜的金属元素or化合物在真空中蒸发or升华，使之在基片表面上析出并附着的过程。设备较简单，除真空系统外，由真空室蒸发源、基片支撑架、挡板及监控系统组成(图310)。许多物质都可制膜，蒸镀多种元素可获得一定配比的合金薄膜。 图310 真空蒸镀设备的示意图

5 第三章 材料的制备方法 （2）溅射现象：当固体受到高能的离子、中性原子等冲击时，构成固体的原子从中飞出，即荷能粒子(如正离子)轰击靶材，使靶材表面原子or原子团逸出。 与真空沉积法相比，所得到的膜成分基本上与靶材相同，易于获得复杂组成的合金，而前者∵合金成分和蒸气压的差异无法精确控制；溅射法与基体的附着力>>蒸镀法。主要→金属or合金膜(特别是e元件的电极和玻璃表面红外线反射薄膜)，还→功能薄膜如液晶显示装置的In2O3-SnO2透明导电陶瓷薄膜。

6 溅射设备主要有以下几种： 二极直流溅射：最简单，很早就工业生产，但无法获得绝缘膜。
高频溅射：可在较低电压下进行，能制介质膜，∴高频溅射仪自1965年问世以来很快得到普及，数量在溅射仪中占绝对优势。 磁控溅射：与真空蒸镀相比，二极直流or高频溅射的V成膜都非常小(只有~50nm/min，约为蒸镀的1/51/10)。磁控溅射是在溅射仪中附加了磁场，∵洛仑兹力的作用，能使V溅射，∴使溅射技术→新的高度。 反应溅射：通过将活性气体混合在放电气体中，可控制膜的组成和性质，主要用于制绝缘化合物薄膜。可采用直流、高频和磁控等溅射方法。

7 (3)离子镀法 第三章 材料的制备方法 是蒸发工艺与溅射技术的结合，1种较新的方法。
↗薄膜的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性等，↗与基片的结合强度，在形状复杂的基片表面能形成厚度较均匀的薄膜等。∵不像电镀那样有废液产生，∴作为无公害涂膜法正在拓展其应用。 基本原理与真空沉积法相同，将蒸发了的金属原子在等离子体中离子化后在基体上析出薄膜。通过输入反应性气体也能够析出陶瓷等化合物膜。与前者相比，作用气体P高，膜均匀性较好，与基体结合性也好。

8 B. PVD法制备超细粉体材料 第三章 材料的制备方法 真空蒸发法是目前用PVD法来制备超细粉理论上研究最多和制备超细粉最常用的方法之一。
可制备单一氧化物、复合氧化物、碳化物or金属等微粉。特别适用于制备液相法和固相法难以直接合成的非氧化物系列(金属、合金、氮化物、碳化物等)的超细粉，粒径通常＜0.1m，且分散性好。 真空蒸发法是目前用PVD法来制备超细粉理论上研究最多和制备超细粉最常用的方法之一。 优点：可通过输入惰性气体和改变P载气来调节微粒的大小、表面光洁度和粒度均匀性。也存在形状难控制、最佳工业条件难以掌握等问题。

9 2.化学气相沉积法(CVD) A. CVD法原理：涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物or金属有机化合物等蒸汽为原料 气相热分解反应， or≥2种单质or化合物的反应 凝聚生成 各种形态的材料。可制多种组成的材料：单质、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等 CVD法的反应类型：热分解、化学合成(氢还原、氧化、水解、固相、置换) CVD法的分类：热CVD法、等离子体CVD法、光子增强CVD法、激光CVD法 CVD的原料种类：卤化物、氢化物、有机金属化合物等 B. CVD工艺流程与设备 C. 影响参数：反应体系成分、气体组成、P、T等 D. CVD法的特点：10点p110

10 以制备涂层为例，∵反应气体中不同物质间的化学反应和向基片的析出是同时发生的，机理是复杂的。
气相 扩散层 气相反应物 吸附的中间体 气相副产物 固相产物 基体 以制备涂层为例，∵反应气体中不同物质间的化学反应和向基片的析出是同时发生的，机理是复杂的。

11 从混合气中析出CVD涂层的沉积过程可理解为由几个过程构成:
温度 反应气体浓度 距 离 基片 扩散层 反应气体 原料气体向→基片表面扩散； 原料气体吸附到→基片上； 进行表面反应 析出颗粒在表面的扩散； 产物从气相→分离； 从产物析出区向→块状固体的扩散。 析出CVD涂层的模型图

12 从气相析出固相的驱动力(driving force)：
第三章 材料的制备方法 从气相析出固相的驱动力(driving force)： 基体材料和气相间的扩散层内存在的温差T； 不同化学物质的浓度差； 由化学平衡所决定的过饱和度。 不同T析出和过饱和度将引起的析出物质的形态变化图314，实际应用中可根据反应条件的不同→薄膜、晶须、晶粒、颗粒和超细粉体等不同形态的材料。

13 图3-14 CVD法所得产物的形态与T析出和过饱和度的关系
用外延生长法生长的单晶 板状单晶 针状单晶 树枝状多晶 柱组织的多晶（一般具有较强的结晶取向） 微粒多晶 非晶质 由均相成核产生的粉末 高　　　　 析出温度　 　　低 低　　 　 过饱和度　　　 高 图3-14 CVD法所得产物的形态与T析出和过饱和度的关系

14 热CVD膜的组织与析出温度的关系

15 (1)反应室; (2)加热系统; (3)气体控制系统 (4)排气系统。 B. CVD工艺流程与基本装置
尽管CVD种类不同，但工艺流程基本上相同。CVD设备大多可分为4部分：　 (1)反应室; (2)加热系统; (3)气体控制系统 (4)排气系统。 室温下呈气态的原料从高压贮气瓶通过纯化装置直接输入CVD反应炉; 液体or固体原料则需要使其在所规定的温度下蒸发or升华，并通过Ar、He、N2、H2等载气送入反应炉内; 废气必须通过放有吸收剂的水浴瓶、收集器或特殊的处理装置后进行排放。

16 高压原料气体 气体混合 气体纯化装置 流量调节、测定器 反应炉 原料蒸发、升华器 高压气体 废气 处理器 泵 CVD的基本工艺流程示意图

17 第三章 材料的制备方法 底材 反应气体 反应室 运载气体 加热器 气化槽 排气 热壁型方式的CVD反应炉

18 C．影响CVD的参数 反应体系成分、气体组成、P、T等。用CVD法制作的材料特性不仅与相应的化学反应关系极大，而且即使初始物质相同，也会由于CVD条件的不同而发生显著的变化。图316表示用CVD法制作薄膜涂层时应该控制的CVD参数与CVD基本反应过程之间的关系。 气体的混合 气体的相互反应 气体的输入方法 气体的种类 气体的浓度 气体的流量 分压、总压 （喘流、层流） 中间体的生成 分解、聚合 扩散、气体吸附 表面分压成核与生长底材的反应副产品气体的解吸作用 底材的种类 底材的表面状态 底材的加热方法 底材的温度 温度的分布梯度 原料气体 底 材 扩散层  图316 CVD参数与基本反应过程

19 4.CVD法的特点 1.可在远低于材料熔点的温度下进行材料的合成； 2.对于由≥ 2种元素构成的材料，可调整其组分；
3.可控制晶体结构，还可使其沿特定的结晶方向排列； 4.可控制材料的形态（粉末状、纤维状、块状）； 5.不需要烧结助剂，可合成高纯度高密度的材料； 6.结构控制一般m~亚m，某些条件下能达到Å级； 7.能制成复杂形状的制品； 8.绕镀性好，能对复杂形状的底材进行涂覆； 9.能容易地进行多层涂覆； 10.能合成亚稳态物质和新材料的。

20 3.气相聚合 流化床气相聚合反应器的特点之一：传热特性好，T均匀。烯烃聚合过程是1个强放热反应，且∵树脂易熔融，对T要求高，∴有必要流化床作反应器。而且气相聚合免除了溶剂的精制与回收，可以节省投资和操作的费用。该技术最早由美国联碳公司(UCC)实现工业化，可进行乙烯、丙烯的均聚和共聚过程。 流化床气相聚合工艺与设备：工艺流程相对简单。关键设备：流化床反应器、循环气体压缩机、循环气体冷却器、调温水换热器、引发剂加料器、产品出料罐和产品吹扫罐，见图317。反应气体的循环是工艺流程的特征。

21 产品出料包括系统流化床料位测定、出料罐、吹送罐等。 流化床是整个聚合过程的核心设备，包括：筒体、分布板和扩大段3部分。
图317流化床气相聚合工艺示意图 共聚单体从循环气体压缩机出口、冷却器进口之间引入反应器；引发剂加入循环管路的位置是在冷却器出口与反应器入口之间。为调节组成，循环气部分放空前需要经过单体冷凝及粉粒分离器。 产品出料包括系统流化床料位测定、出料罐、吹送罐等。 流化床是整个聚合过程的核心设备，包括：筒体、分布板和扩大段3部分。 B.流化床反应器的基本原理

22 B.流化床反应器的基本原理 反应器内部涉及气体和固体颗粒间的相互作用。 床内气固混合物可分为：乳化相与气泡相2相。∵聚合反应在乳化相中发生属高温相，气泡相是低温相。 床内气固两相的热传递、不同流化颗粒在床层中的混合程度等均与气泡的运动特征密切相关，也是流化床聚合反应器高活性引发剂细粉在床内实现混合的重要机理。 正常流态化时，产品粉体尺寸由其在流化床中的停留时间及聚合引发剂的活性变化所决定，而粉体粒径与粒径分布情况还会影响到床层内部的流化特性。 生产能力主要受限于系统的传热能力，由床内的传热能力(决定作用)及外部冷却器的调温能力所共同决定的。

23 3.2.2 液相法 按制备时的反应状态、T等不同，又可分成： 第三章 材料的制备方法 1.熔融法
*2.溶液法：溶液聚合(均相和沉淀)和溶液缩聚。 *3.界面法：悬浮聚合、界面缩聚 *4.液相沉淀法 *5.溶胶-凝胶法 *6.水热法：制备无机材料超细粉及晶体材料 *7.喷雾法：溶剂蒸发法，盐溶液水分蒸发均匀的球状颗粒加热分解氧化物超细粉 *8.溶液生长法：人工合成晶体的制备

24 1.熔融法 玻璃的熔制 金属的冶炼过程(高炉炼铁、转炉炼钢)
通过加热使原料反应并熔融 (在加热过程和熔融状态下产生各种化学反应)从而形成一定的组成和结构。按T高低分为： A.高温熔融法：将矿物原料投入各种高温熔炉内，使其在高温下发生反应并熔融。如： 玻璃的熔制 金属的冶炼过程(高炉炼铁、转炉炼钢) *熔体生长单晶等。 *B.低温熔融法：制备高聚物 *本体聚合 *熔融聚合。

25 3.2.3 固相法 1.高温烧结法：陶瓷、耐火材料等成型后的坯体，粉末冶金及水泥熟料等固体粉料在高温下烧结→产品。 *2.自蔓延高温合成法
第三章 材料的制备方法 3.2.3 固相法 固态物质为原料，通过各种固相反应和烧结等过程来制备材料，如水泥熟料的煅烧、陶瓷和耐火材料的高温烧结、金属材料的粉末冶金、人工晶体的固相生长、高分子材料的固相缩聚等，及高温自蔓延合成法。 1.高温烧结法：陶瓷、耐火材料等成型后的坯体，粉末冶金及水泥熟料等固体粉料在高温下烧结→产品。 *2.自蔓延高温合成法 *3.固相缩聚 *4.热分解法