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第一节 存储器的构成 第二节 存储系统的构成 第三节 Cache 第四节 虚拟存储器
第三章 存储系统 第一节 存储器的构成 第二节 存储系统的构成 第三节 Cache 第四节 虚拟存储器
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第一节 存储器的构成 一、存储器芯片
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静态存储器芯片
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动态存储单元
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动态存储器芯片
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只读存储器
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熔丝阵列
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熔丝式ROM(PROM)
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可擦写ROM——EPROM
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MOS晶体管与EPROM单元的两种工作状态
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电可擦写ROM——EEPROM及Flash存储器
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相联存储器——框图
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相联存储器——单元结构
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相联存储器——阵列的构成
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相联存储器——访问实例
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二、存储器的基本组织
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字扩展
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字位扩展
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存储器芯片的控制信号
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SRAM时序 读周期: 写周期: 地址有效CS有效数据输出CS复位地址撤销
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DRAM时序(一) 读周期: 行地址有效行地址选通列地址有效列地址选通数据输出行选通、列选通及地址撤销
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DRAM时序(二) 写周期: 行地址有效行地址选通列地址、数据有效列地址选通数据输入行选通、列选通及地址撤销
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DRAM时序(三) 刷新周期: RAS only:刷新行地址有效RAS有效刷新行地址和RAS撤销
CAS befor RAS:CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销 hidden:(在访存周期中)RAS撤销RAS有效
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DRAM时序(四) 刷新周期: RAS only:刷新行地址有效RAS有效刷新行地址和RAS撤销
CAS befor RAS:CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销 hidden:(在访存周期中)RAS撤销RAS有效
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DRAM时序(五) 刷新周期: RAS only:刷新行地址有效RAS有效刷新行地址和RAS撤销
CAS befor RAS:CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销 hidden:(在访存周期中)RAS撤销RAS有效
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例1 设有32片256K×1位的SRAM芯片,问:. (1) 采用位扩展方法可构成多大容量的存储器?. (2) 该存储器需要多少字节地址位?
例1 设有32片256K×1位的SRAM芯片,问: (1) 采用位扩展方法可构成多大容量的存储器? (2) 该存储器需要多少字节地址位? (3) 画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 解:32片256K×1位的SRAM芯片可构成256K×32位的存储器。 如果采用32位的字编址方式,则需要18条地址线,因为218=256K。 因为存储容量为256K×32=1024KB,所以CPU访存最高地址位为A19。
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例2 设有若干片256K×8位的SRAM芯片,问: (1) 采用字扩展方法构成2048KB的存储器需要多少片SRAM芯片? (2) 该存储器需要多少字节地址位? (3) 画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 (4) 写出译码器逻辑表达式。 解:(1) 该存储器需要2048K/256K = 8片SRAM芯片; (2) 需要21条地址线,因为221=2048K,其中高3位用于芯片选择,低18位作为每个存储器芯片的地址输入。 (3) 该存储器与CPU连接的结构图如下。
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例2 设有若干片256K×8位的SRAM芯片,问: (1) 采用字扩展方法构成2048KB的存储器需要多少片SRAM芯片? (2) 该存储器需要多少字节地址位? (3) 画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 (4) 写出译码器逻辑表达式。
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例3 设有若干片256K×8位的SRAM芯片,问:. (1) 如何构成2048K×32位的存储器?. (2) 需要多少片RAM芯片?
例3 设有若干片256K×8位的SRAM芯片,问: (1) 如何构成2048K×32位的存储器? (2) 需要多少片RAM芯片? (3) 该存储器需要多少字节地址位? (4) 画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 解:采用字位扩展的方法。需要32片SRAM芯片。
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例4 某计算机的主存地址空间中,从地址000016到3FFF16为ROM存储区域,从400016到5FFF16为保留地址区域,暂时不用,从600016到FFFF16为RAM地址区域。RAM的控制信号为CS#和WE#,CPU的地址线为A15~A0,数据线为8位的线路D7~D0,控制信号有读写控制R/W#和访存请求MREQ#,要求: (1) 画出地址译码方案 (2) 如果ROM和RAM存储器芯片都采用8K×1的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。 (3) 如果ROM存储器芯片采用8K×8的芯片,RAM存储器芯片采用4K×8的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。 (4) 如果ROM存储器芯片采用16K×8的芯片,RAM存储器芯片采用8K×8的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。
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(1) 画出地址译码方案 解:(1)
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(2) 如果ROM和RAM存储器芯片都采用8K×1的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。
解: (2) 8KB的存储区域可以用8片存储器芯片构成一组实现。8K×1的存储器芯片的地址线需要13条,即A12~0。
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(3) 如果ROM存储器芯片采用8K×8的芯片,RAM存储器芯片采用4K×8的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。
解:(3)
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(4) 如果ROM存储器芯片采用16K×8的芯片,RAM存储器芯片采用8K×8的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。
解:(4) 习题:2
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第二节 存储系统的构成 一、提高速度的技术 速度指标 周期时间 访问时间 吞吐率(带宽) 1. 芯片技术 2. 结构技术
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芯片技术 快速页式DRAM(页:单元行) EDO DRAM EDRAM SDRAM——采用统一时钟,重叠访问 Rambus DRAM 缓存型
四位元型 SDRAM——采用统一时钟,重叠访问 Rambus DRAM ——采用新的接口,用消息传递的异步通信协议
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快速页式DRAM
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EDO DRAM
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结构技术(一) 增加数据宽度 多体交叉
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结构技术(二) 增加数据宽度 多体交叉
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二、层次化存储系统 访存局部性 时间局部性 空间局部性 层次化结构 cache 主存 辅存
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第三节 Cache 一、基本原理 基本概念 设计问题 命中、命中率、失效、失效率、块、命中访问时间、失效访问时间(miss penalty)
地址映象 替换策略 更新策略 容量
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二、地址映象与变换 1. 直接映象
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1. 直接映象(续) 块地址的概念 存储容量、块数、块容量与地址格式中区号、块号、块内地址位数的关系。
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1. 直接映象(续)
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2. 全相联映像
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2. 全相联映像(续) N = 区内块数,阴影区表示查找范围
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2. 全相联映像(续)
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3. 组相联映像 n路组相联:组内有n块
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3. 组相联映像(续) N = 区内块数,阴影区表示查找范围,根据组号在块表中寻找组,组内相联查找。
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3. 组相联映像(续) 例:设有8个块,分成2个组
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三、替换策略及更新策略 替换策略: 随机法 先进先出法 近期最少使用法(近期最久未使用法)
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三、替换策略及更新策略(续) 先进先出替换策略
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三、替换策略及更新策略(续) 近期最久未使用替换策略
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三、替换策略及更新策略(续) 2. 颠簸现象
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三、替换策略及更新策略(续) 3. 更新策略 cache命中时 写直达法 写回法 cache失效时 按写分配法 不按写分配法
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四、cache的性能和类型 cache的命中率与cache容量的关系
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四、cache的性能和类型(续) —— 块容量与命中率
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四、cache的性能和类型(续) —— 地址映象与命中率
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四、cache的性能和类型(续) —— Cache的相联性与失效率
更新策略与命中率(定量分析公式) 增加cache后的CPU执行时间: 习题:3、4、10、11、12
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第四节 虚拟存储器 一、基本概念 虚拟存储器的作用: 分隔地址空间 解决主存的容量问题 程序的重定位
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二、页式虚拟存储器 页、页框架、基号、页表、虚页号
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二、页式虚拟存储器(续) 与块表的区别:基号,表长,查找方式,装入位 问题:页表过长
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三、段式虚拟存储器 段表:段基址、段长、装入位、访问方式
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四、段页式虚拟存储器
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五、虚存管理策略 虚存设计的关键: 解决方法:快表TLB——段表和页表的cache 习题:18 1. 页面失效问题 2. 地址变换速度
根据基号、段号、页号对快表进行全相联查找 引用位——TLB替换标志,OS定期清除 浊位——数据修改标志 习题:18
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TLB的查找
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六、虚存系统中的cache 快表与cache的关系: 先查快表,用实地址访问cache——实地址cache
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1. 实地址cache ——如果cache的容量小于页的容量,则快表可以与cache访问并行
特点:适合于CPU片外cache,不同应用程序的地址空间映象到不同的物理地址。 问题:多个进程竞争cache,性能不稳定
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2. 虚地址cache a. 虚地址虚标记 b. 虚地址实标记
特点:速度高,性能确定 问题:应用程序间共享使用cache,一个物理地址可能映像到两个虚拟地址上
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第五节 存储保护 一、区域保护 页表和段表保护 键保护 环保护 二、访问方式保护 只读 可写 可执行
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