用于高性能嵌入式系统的工业级最快的 Quad SPI NOR闪存存储器

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1 用于高性能嵌入式系统的工业级最快的 Quad SPI NOR闪存存储器
新产品简介： 128 Mb到1 Gb的Quad SPI FL-S NOR闪存系列 FL-S = 使用MirrorBit®1技术的赛普拉斯3.0 V、65 nm NOR闪存存储器系列 用于高性能嵌入式系统的工业级最快的 Quad SPI NOR闪存存储器 1 赛普拉斯非易失性存储器单元技术，它拥有两个局部电子存储位置用于为每个单元提供两次数据位，从而能够有效地使NOR闪存存储器容量增加一倍 （RHOE、DSG） 主题

2 NOR闪存存储器术语 非易失性存储器（NVM） 数据存储 程序存储 读带宽 闪存存储器 NOR闪存存储器 串行外设接口（SPI）
断电时仍保留数据的存储器 数据存储 NVM用于记录各种传输和状态信息 程序存储 NVM具有低延迟和高带宽的特性，用于执行CPU程序指令（如启动代码） 读带宽 即为测量读取存储器数据的速度，单位为字节/秒 闪存存储器 NVM改变了晶体管传导电流电压，通过添加或移除电子来将存储器单元状态设置为预定义的“1”和“0”，从而实现该操作 NOR闪存存储器 对快速随机访问（相对于快速连续地址访问）进行架构优化的闪存存储器 串行外设接口（SPI） 在嵌入式系统中使用的符合工业标准的LPC（低脚数）接口，用于使能在主设备和从设备之间进行同步数据交换（每个周期1位） Quad SPI 符合工业标准的高带宽、LPC（低脚数）接口同时使用了四线SPI接口，用于使能更快的数据传输操作 单倍数据速率（SDR） 它是一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期中将传输一次数据 专业术语

3 其他NOR闪存存储器术语 双倍数据速率（DDR） HyperBus™ HyperFlash™ MirrorBit® 编程/擦除 块 块擦除
它是一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期中将传输两次数据 HyperBus™ 超高带宽、LPC（低脚数）接口符合工业标准，该接口通过一条八线总线使用DDR来传送数据，从而使能 更大的带宽 HyperFlash™ 赛普拉斯NOR闪存存储器产品系列使用HyperBus，它比Quad SPI NOR闪存存储器提供的带宽更大，并且它的引脚数量只有并行 NOR闪存存储器引脚数量的三分之一 MirrorBit® 赛普拉斯NVM单元技术，它拥有两个局部电子存储位置，每个单元提供两位数据，从而它们能够有效地使NOR闪存存储器的容量 增加一倍 编程/擦除 通过这些操作可以分别将NOR闪存存储器单元状态从“1”改为“0”或从“0”改为“1” 块 带有连续地址的物理存储地址模块（例如，256 Mb存储器中的4 KB） 块擦除 在编程数据（如启动代码或参数数据）前，需要通过该操作擦除NOR闪存存储器模块中的所有字节 芯片擦除 进行编程前，先要通过该操作擦除NOR闪存存储器中的所有块 专业术语

4 现在的系统设计需要快速的LPC （低脚数）NOR闪存存储器
256 Mb SPI1 NOR闪存存储器市场复合年均增长率预计会为 8% ，将从2015年的1.12亿片到2021年的1.92亿片2 256 Mb NOR闪存存储器市场划分： 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车信息娱乐系统 网络器件 机顶盒 这些细分市场中的OEM 设计的高性能系统要求NOR闪存存储器以最快的速度访问程序存储器和 程序存储器数据 高性能系统的设计师更喜欢具有以下特性的NOR闪存存储器： LPC（低脚数）串行接口可减少封装大小并且简化电路板布局 最大读取带宽来快速访问程序存储器 最快编程和模块擦除速度来快速写入数据 高性能系统设计师要求快速的LPC（低脚数）Quad SPI NOR闪存存储器 由Alpine生产的汽车信息娱乐系统 1 包括SPI和Quad SPI NOR闪存存储器。 2 源：Web-Feet研究 市场展望

5 赛普拉斯：业界最佳的闪存、SRAM和NVRAM与竞争对手存储器产品系列的比较
产品类别 赛普拉斯 竞争对手 功能优势 度量 瑞萨 ISSI 美光 东芝 华邦 旺宏 富士通 业界最佳的NOR 闪存 HyperFlash™  最高读取带宽 333 MBps 串行NOR闪存 最大读取带宽 最快编程/擦除速度 160 MBps 并行NOR闪存 90 MBps 业界最佳的SRAM QDR®-IV同步SRAM 最高RTR （随机数据处理速率） 2.1 GT/s 带ECC的异步SRAM1 最高可靠性 <0.1 FIT2 MicroPower SRAM 最低待机电流 1.5 µA NAND3闪存 SLC NAND闪存 最快 访问时间 25 ns e.MMC NAND闪存 0 FIT2 业界最佳的NVRAM 串行F-RAM™4 100 µA 并行nvSRAM5 最快的NVRAM6 20 ns AGIGARAM®7 容量最大的 NVRAM6 16 GB 赛普拉斯为嵌入式系统提供了最广泛的高性能存储器系列 1 纠错码 2 失效率（十亿小时） 3 一种提供极大容量、低成本且具有连续读取功能的闪存存储器 4 铁电 5 非易失性SRAM 6 非易失性存储器，它允许按照任意的随机顺序对任意存储器位置直接进行读写访问 7 赛普拉斯商标名称 市场定位

6 设计师会面临的NVM问题 1. 用到移动产品上的许多高性能系统设计都需要一个小PCB 2. 系统需要以最大读取带宽对程序存储器进行访问
传统的256 Mb并行接口NOR闪存存储器需要48引脚封装（240 mm2）和一个大的PCB面积 2. 系统需要以最大读取带宽对程序存储器进行访问 NOR闪存存储器低读取带宽会降低系统的性能 传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的读取带宽被限制为52 MBps 3.系统要求编程时间尽可能短，以降低制造成本 较长的编程时间会降低PCB的产量 传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的编程时间被限制为每256个字节0.5 ms 4.系统要求模块擦除时间尽可能短，这样可以按最快的速度记录数据 将新数据写入到NOR闪存存储器内前，系统必须进行模块擦除 传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的模块擦除时间为300 ms到700 ms 赛普拉斯256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器通过提供以下方式来解决这些问题： 8引脚（48 mm2）或24球型焊盘（48 mm2）封装中的Quad SPI接口NOR闪存存储器用于简化电路板布局 读取带宽为80 MBps的80 MHz DDR模式 编程时间为0.25 ms每256个字节 模块擦除时间为130 ms 赛普拉斯为高性能的嵌入式系统提供了业界最快的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器 设计问题

7 选择NOR闪存存储器，该存储器将业界最高的 Quad SPI读取带宽…
赛普拉斯Quad SPI NOR闪存存储器 是更好的解决方案 与业界最快的Quad SPI编程 时间和 … 最快块擦除时间…相结合 选择NOR闪存存储器，该存储器将业界最高的 Quad SPI读取带宽… 读带宽（MBps） 编程时间（ms） 块擦除时间（ms） 赛普拉斯 美光 华邦 旺宏 赛普拉斯 美光 华邦 旺宏 赛普拉斯 美光 华邦 旺宏 为高性能的应用提供高 性能的解决方案。 由Sky TV生产 的机顶盒 赛普拉斯的解决方案

8 赛普拉斯256 Mb Quad SPI NOR闪存 存储器和竞争对手器件的比较
功能 S25FL256S N25Q256A13 W25Q256FV MX25L25635F 使用QIO1的SPI时钟频率 104 MHz 108 MHz 133 MHz SPI时钟频率（DDR） 80 MHz 54 MHz 不支持 读带宽（最大值） 80 MBps2 54 MBps2 52 MBps3 67 MBps3 编程时间（256 B） 0.25 ms 0.5 ms 0.7 ms 块擦除时间（64 KB） 130 ms 700 ms 150 ms 280 ms 芯片擦除时间 66 s 240 s 80 s 110 s 温度范围 -40 ºC到+125 ºC -40 ºC到+85 ºC 1 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口 2 使用DDR时钟频率进行计算 3 使用SDR时钟频率进行计算 竞争力比较

9 赛普拉斯256Mb Quad SPI NOR闪存存储器
应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 网络器件 机顶盒 256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器 CS#8 I/O SRAM SCK8 功能 SI/IO08 左侧阵列 X/Y 解码器 右侧阵列 工作电压范围：2.7 V到3.6 V 100,000次编程1/模块擦除2耐久性周期3 +55 ºC的温度下，长达20年的数据保留时间 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（256B）：0.25 ms（典型值） 块擦除2时间（64KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围：-40 ºC到+85 ºC 汽车舱内温度范围：-40 ºC到+105 ºC 扩展温度范围：-40°C到+125°C 封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、24球型 焊盘BGA 6 mm x 8 mm 控制逻辑 SO/IO18 WP#/IO28 HOLD#/IO38 RD9 数据路径 RESET#8 支持CSP 资料 可用性 数据手册：S25FL256S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 样本：随时 量产：已经量产 1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的“1”的值改为“0”的值 2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1” 3 在老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：它是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口 6 双倍数据速率：它是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期将传输两次数据 7 很薄的小外形无铅半导体封装 8 请参考数据手册：S25FL256S了解标准的Quad SPI接口 9 读取数据缓冲器 产品概述

10 FL= 3.0 V FS= 1.8 V P、K= 90nm L、S= 65nm
SPI NOR系列 25FL2-K 90nm、3.0V 25FL1-K 90nm、3.0V 25FS-L 65nm、1.8 V 25FL-L 65nm、3.0V 25FL-P 90nm、3.0 V 25FS-S 65nm、1.8 V 25FL-S 65nm、3.0 V 79FL-S 65nm、3.0 V FL= 3.0 V FS= 1.8 V P、K= 90nm L、S= 65nm 容量（名称） SDR / DDR *脚注 1Gb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、5 Q215 1Gb 133MHz / 80MHz * 1、2、3、4、5 1Gb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、5 512Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4 Q215 512Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4 512Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、7 Q215 ≥256 Mb 256Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q316 256Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q116 256Mb5 104 MHz / -- * 1、2 256Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4 256Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、6、7 256Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、5 Q215 128Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q316 128Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q116 128Mb （FL129P） 104 MHz / -- * 1、2、3、4、8 128Mb 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4 128Mb （FL128S） 133 MHz / 80 MHz * 1、2、3、4、6、7、8 128Mb （FL128P） 104 MHz / -- * 1、2、3、4、 128Mb （FL127S） 108 MHz / -- * 1、2、3、4 Mb 64Mb 108 MHz / -- * 1、2、3、4、6、7 64Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q116 64Mb 104 MHz / -- * 1、2、3、4 64Mb 133 MHz / 100 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q116 16Mb 65 MHz / -- * 1 Q116 32Mb 108 MHz / -- * 1、2、3、4、6、7 32Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q416 32Mb 104 MHz / -- * 1、2、3、4 8Mb 76 MHz / -- * 1 16Mb 108 MHz / -- * 1、2、3、4、6、7 16Mb 133 MHz / 66 MHz * 1、2、3、4、6、7 Q117 ≤32 Mb 4Mb 85 MHz / -- * 1 1 工业级：−40 ºC到+85 ºC 2 工业AEC-Q100：−40 ºC到+85 ºC 3 汽车舱内：−40 ºC到+105 ºC 4 汽车舱内AEC-Q100：−40 ºC到+105 ºC 5 S70/S79串行（堆栈晶片） 6 扩展温度范围：−40 ºC到+125 ºC 7 扩展的AEC-Q100：−40 ºC到+125 ºC 8 FL128P的超集 量产 样本 开发 概念 状态 可用性 QQYY QQYY EOL QQYY 路线图

11 如何开始？ 下载数据手册： S25FL256S 下载我们的应用笔记： 赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 注册后可获得在线技术支持
更多信息，请联系赛普拉斯 由Pace生产的机顶盒 LTE网络器件 由D-Link生产的 入门

12 附录 附录

13 参考与链接 S25FL-S数据手册： 赛普拉斯256 Mb SPI NOR闪存存储器 赛普拉斯128 Mb SPI NOR闪存存储器（FL128S） 赛普拉斯128 Mb SPI NOR闪存存储器（FL127S） 赛普拉斯512 Mb SPI NOR闪存存储器 赛普拉斯1 Gb SPI NOR闪存存储器 应用笔记：自已研究SPI NOR闪存存储器 网站：了解更多有关赛普拉斯FL-S NOR闪存存储器的信息 设计模型：简化您设计的IBIS和Verilog模型 驱动和软件：加快您的设计周期 交叉参考指南：了解赛普拉斯如何与竞争对手进行比较 交叉参考工具：很容易替换竞争对手的SPI NOR闪存存储器 硬件开发工具：简化设计的套件、卡和电路板 产品选型指南：为选择正确的赛普拉斯SPI产品 参考与链接

14 赛普拉斯128 Mb （FL127S） Quad SPI NOR闪存存储器
应用 框图 打印机 网络器件 机顶盒 128 Mb Quad SPI NOR闪存存储器 CS#7 I/O SRAM SCK7 功能 工作电压范围：2.7 V到3.6 V 100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3 +55 ºC的温度下，长达20年的数据保留时间 SDR4时钟频率：108 MHz QIO5 编程1时间（256 B）：0.395 ms（典型值） 块擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围：-40 ºC到+85 ºC 汽车舱内温度范围：-40 ºC到+105 ºC 封装：8-SOIC 208 mil、16-SOIC 300 mil、8-WSON6 6 mm x 5 mm、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm SI/IO07 左侧阵列 X/Y 解码器 右侧阵列 控制逻辑 SO/IO17 WP#/IO27 HOLD#/IO37 RD8 数据路径 RESET#7 支持CSP 资料 可用性 数据手册：S25FL127S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 样本：现在 量产：已经量产 1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0” 2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1” 3 在老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期奇偶传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口 6 很薄的小外形的无铅半导体封装 7 请参考数据手册： S25FL127S 了解标准的Quad SPI接口 8 读取数据缓冲器 产品概述

15 赛普拉斯128 Mb （FL128S） Quad SPI NOR闪存存储器
应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 白色家电 机顶盒 128 Mb Quad SPI NOR闪存存储器 CS#8 I/O SRAM SCK8 功能 SI/IO08 左侧阵列 X/Y 解码器 右侧阵列 工作电压范围：2.7 V到3.6 V 100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3 +55 ºC的温度下，长达20年的数据保留时间 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（256 B）：0.250 ms（典型值） 模块擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围：-40 ºC到+85 ºC 汽车室内温度范围：-40 ºC到+105ºC 扩展温度范围：-40 ºC到+125 ºC 封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、24球型 焊盘BGA 6 mm x 8 mm 控制逻辑 SO/IO18 WP#/IO28 HOLD#/IO38 RD9 数据路径 RESET#8 支持CSP 资料 可用性 数据手册：S25FL128S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 样片：现在 量产状态：已经量产 1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0” 2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1” 3 损坏前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期将传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口 6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 7 很薄的小外形无铅半导体封装 8 请参考数据手册：S25FL128S 了解标准的Quad SPI接口 9 读取数据缓冲器 产品概述

16 赛普拉斯512 Mb Quad SPI NOR闪存存储器
应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 基站 机顶盒 512 Mb Quad SPI NOR闪存存储器 CS#7 I/O SRAM SCK7 SI/IO07 左侧阵列 X/Y 解码器 右侧阵列 特性 控制逻辑 工作电压范围：2.7 V到3.6 V 100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3 +55 ºC的温度下，长达20年的数据保留时间 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值） 模块擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值） 工业级温度范围：-40 ºC到+85 ºC 汽车室内温度范围：-40 ºC到+105 ºC 封装：16-SOIC 300 mil、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm SO/IO17 WP#/IO27 HOLD#/IO37 RD8 数据路径 RESET#7 支持CSP 资料 可用性 数据手册：S25FL512S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 样本：现在 量产：已经量产 1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0” 2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1” 3 老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数 4单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口 6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 7 请参考数据手册：S25FL512S 了解标准的Quad SPI接口 8 读取数据缓冲器 产品概述

17 赛普拉斯1Gb Quad SPI NOR闪存存储器
应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 基站 工业级控制器 1 Gb Quad SPI NOR闪存存储器 CS1#7 I/O SRAM CS2#7 SCK7 左侧阵列 X/Y 解码器 右侧阵列 特性 控制逻辑 工作电压范围：2.7 V到3.6 V 100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3 +55 ºC的温度下，长达20年的数据保留时间 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值） 模块擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值） 工业级温度范围：-40 ºC到+85 ºC 汽车室内温度范围：-40 ºC到+105 ºC 封装：16-SOIC 300 mil、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm SI/IO07 SO/IO17 WP#/IO27 RD8 数据路径 HOLD#/IO37 RESET#7 CSP 资料 可用性 数据手册：S70FL01GS 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器 样本：现在 量产：正在量产 1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0” 2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1” 3 老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四位传输地址和数据的接口 6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 7 请参考数据手册：S70FL01GS 了解标准的Quad SPI接口 8 读取数据缓冲器 产品概述

18 串行NOR闪存存储器产品选型指南 S25/70FL-S器件型号解码器 SXXFLYYYS AG M F I 0 0 1
封装类型：0 = 托盘、1 = 管子（仅针对SOIC/WSON）、3 = 13”盘带封装 扇区类型：0 = 64 Kb扇区（N/A 512S/01G）、1 = 256 KB扇区 功能标识符：包括HPLC1/EHPLC2、RESET#、VIO、安全选项 温度范围：I = 工业（-40ºC到+85ºC）、V = 汽车舱内（-40 ºC到+105 ºC）、 N = 扩展（-40 ºC到125 ºC） 封装材料：F = 无铅（Pb）（仅针对SOIC/WSON） H = 低卤素、无铅（Pb）（仅对于BGA） 封装类型：M = SOIC、N = WSON （N/A 512S/01GS）、B = BGA 6x8 性能：AB/AG = 108/133 MHz Multi-I/O、DP/ DS = 66/ 80 MHz DDR （N/A 127S） 基础OPN： XX = 25、YYY = 127/ Mb MirrorBit串行闪存存储器 XX = 25、YYY = Mb MirrorBit串行闪存存储器 XX = 25、YYY = Mb 65 nm MirrorBit串行闪存存储器 XX = 70、YYY = 01G 1 Gb双晶片堆栈MirrorBit串行闪存存储器 1 高性能延迟代码；请参考数据手册了解更多信息 2 增强的高性能延迟代码；请参考数据手册了解更多信息 产品选型指南

19 赛普拉斯128 Mb Quad SPI NOR闪存 存储器与竞争对手器件的比较
功能 S25FL128S S25FL127S N25Q128A13 W25Q128FV MX25L12835F 使用QIO1的SPI时钟频率 104 MHz 108 MHz 133 MHz SPI时钟频率（DDR） 80 MHz 不支持 读带宽（最大值） 80 MBps2 54 MBps2 54 MBps3 52 MBps3 66.5 MBps3 编程时间（256 B） 0.25 ms 0.395 ms 0.50 ms 0.70 ms 模块擦除时间（64 KB） 130 ms 700 ms 150 ms 280 ms 芯片擦除时间 33 s 35 s 170 s 40 s 50 s 温度范围 -40 ºC到+125 ºC -40 ºC到+105 ºC -40 ºC到+85 ºC 封装 SOIC16、WSON6x8、BGA SOIC8/16、WSON6x5、BGA 1 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口 2 使用DDR时钟频率进行计算 3 使用SDR时钟频率进行计算 竞争力比较

20 赛普拉斯512 Mb Quad SPI NOR闪存 存储器与竞争对手器件的比较
特性 S25FL512S MT25QL512AB MX25L51245G 使用QIO1的SPI时钟频率 104 MHz 133 MHz 166 MHz SPI时钟频率（DDR） 80 MHz 66 MHz 100 MHz 读带宽（最大值） 80 MBps2 66 MBps2 100 MBps2 编程时间（256 B） 不支持 0.20 ms 0.25 ms 编程时间（512 B） 0.34 ms 模块擦除时间（64 KB） 150 ms 280 ms 模块擦除时间（256 KB） 520 ms 芯片擦除时间 103 s 153 s 200 s 温度范围 -40 ºC到+105 ºC -40 ºC到+85 ºC 1 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口 2 使用DDR时钟频率进行计算 3 使用SDR时钟频率进行计算 竞争力比较

21 赛普拉斯1 Gb Quad SPI NOR闪存 存储器与竞争对手器件的比较
功能 S70FL01GS MT25QL01GB MX66L1G45G 使用QIO1的SPI时钟频率 104 MHz 133 MHz SPI时钟频率（DDR） 80 MHz 66 MHz 83 MHz 读带宽（最大值） 80 MBps2 66 MBps2 83 MBps2 编程时间（256 B） 不支持 0.20 ms 0.25 ms 编程时间（512 B） 0.34 ms 模块擦除时间（64 KB） 150 ms 280 ms 模块擦除时间（256 KB） 520 ms 芯片擦除时间 206 s 306 s 400 s 温度范围 -40 ºC到+105 ºC -40 ºC到+85 ºC 1 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口 2 使用DDR时钟频率进行计算 3 使用SDR时钟频率进行计算 竞争力比较