一、MOSFET的種類 1.N通道空乏型與增強型MOSFET 2.P通道空乏型與增強型MOSFET

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1 一、MOSFET的種類 1.N通道空乏型與增強型MOSFET 2.P通道空乏型與增強型MOSFET

2 N通道空乏型及增強型MOSFET 空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接 增強型:汲極D及源極S之間沒有通道

3 N通道空乏型MOSFET 於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之 區域，分別當作源、 汲極。 (1) 結構 上層覆蓋二氧化矽（ ）層。
(2) 符號 於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之　區域，分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化矽（　 ）層。 閘極未加偏壓時，本身已有通道。 中間的垂直線代表通道。 P型基體：箭頭朝內。 N型通道：源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。

4 N通道空乏型MOSFET (1) 操作情形 ，適當的加入　 電壓，則產生 　有效的電流（此與JFET相同）。 ，通道感應正電荷，並減少通 　道多數載子，使得汲極電流減少（空 　乏模式）。 ，通道感應負電荷，並增加通 　道的載子，使得汲極電流增加（增強 模式）。

5 N通道增強型MOSFET的結構與符號 P型基體（箭頭朝內）、 N型通 道（源極箭頭朝外）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (1) 結構 增強型MOSFET的結構與空乏型 MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (2) 符號

6 N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理 操作情形 當　　 時，MOSFET處於截止狀態。 當 時，在閘極下方形成一個空乏區。 當　　　（　稱為臨界電壓）時，電子就 被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N 型通道，產生電流。

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8 P通道空乏型及增強型MOSFET

9 P通道空乏型MOSFET的結構與符號 (1) 結構：N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ，整個元件是製作在一塊基體上的。 (2)符號 N型基體：箭頭朝外。 P型通道：源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。

10 P通道增強型MOSFET的結構與符號 與空乏型MOSFET類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (1) 結構 N型基體（箭頭朝外）、 P型通道
（源極箭頭朝內）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (1) 結構 (2) 符號

11 N、P通道增強型MOSFET工作原理 N通道: 利用感應少數載體形成的通到，增加汲極的電流量 P通道:
以P+區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外，元件的操作方式與N通道相同，電流iD是由源極流向汲極

12 二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區

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