模块一 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管.

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1 模块一 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管

2 1.1 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 锗原子 硅原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。

3 一. 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 %，常称为“九个9”。 本征半导体的共价键结构 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 束缚电子

4 +4 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 自由电子 这一现象称为本征激发，也称热激发。

5 +4 动画演示 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合
自由电子 +4 空穴 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 电子空穴对

6 E 导电机制 自由电子 带负电荷 电子流 载流子 ＋总电流 空穴 带正电荷 空穴流 +4 ＋ － 动画演示
自由电子 带负电荷 电子流 载流子 ＋总电流 空穴 带正电荷 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。

7 二. 杂质半导体 1. N型半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。

8 N型半导体 硅原子 电子空穴对 自由电子 多余电子 + N型半导体 磷原子 施主离子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴

9 2. P型半导体 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 电子空穴对 硅原子 空穴
－ P型半导体 空穴 硼原子 受主离子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子

10 杂质半导体的示意图 N型半导体 + 多子—电子 多子—空穴 P型半导体 － 少子—电子 少子—空穴 少子浓度——与温度有关
多子浓度——与温度无关

11 三. PN结及其单向导电性 1 . PN结的形成 PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区 形成内电场
阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E 空间电荷区 耗尽层 多子扩散电流 少子漂移电流

12 耗尽层 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 势垒 UO
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E 多子扩散 少子飘移 又失去多子，耗尽层宽，E 动画演示 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 势垒 UO 硅 0.5V 锗 0.1V

13 2. PN结的单向导电性 外电场的方向与内电场方向相反。 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场削弱内电场
→耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流

14 (2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R P N 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。

15 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；
动画演示1 动画演示2

16 3. PN结的伏安特性曲线及表达式 根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图 IF（多子扩散） 反向饱和电流 正偏 反向击穿电压 反偏
IR（少子漂移） 电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结

17 根据理论分析： u 为PN结两端的电压降 i 为流过PN结的电流 当 u> u>>UT时 IS 为反向饱和电流 UT =kT/q 称为温度的电压当量 其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23 q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K） 则有UT=26 mV。 当 u< |u|>>|U T |时

18 4. PN结的电容效应 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。
(1) 势垒电容CB 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。

19 (2) 扩散电容CD 极间电容（结电容） 当外加正向电压 不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来

20 1.2 半导体二极管 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线 结构 N P 阳极 + 阴极 - 符号

21 二极管按结构分三大类： PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (1) 点接触型二极管

22 (2) 面接触型二极管 (3) 平面型二极管 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用
(2) 面接触型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (3) 平面型二极管

23 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 2代表二极管，3代表三极管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。

24 一 、半导体二极管的V—A特性曲线 (1) 正向特性 实验曲线 i u E (2) 反向特性 i 硅：0.5 V u E 锗 击穿电压UBR
(1) 正向特性 实验曲线 锗 u E i V mA 击穿电压UBR 反向饱和电流 导通压降 硅：0.7 V 锗：0.3V (2) 反向特性 死区 电压 u E i V uA 硅：0.5 V 锗： 0.1 V

25 二. 二极管的模型及近似分析计算 例： D—非线性器件 i u RLC—线性器件 I R 10V E 1kΩ

26 二极管的模型 串联电压源模型 二极管的V—A特性 理想二极管模型 导通压降 U 正偏 反偏
D U U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏

27 二极管的近似分析计算 例： 串联电压源模型 理想二极管模型 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ R I 10V E
测量值 9.32mA 相对误差 相对误差

28 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。
(1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。

29 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。
-4V 4V ui t 2V 2V uo t 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。

30 ②采用理想二极管串联 电压源模型分析，波形 如图所示。
-4V 4V ui t 2.7V 2.7V uo t ②采用理想二极管串联 电压源模型分析，波形 如图所示。

31 三. 二极管的主要参数 (2) 反向击穿电压UBR———
三. 二极管的主要参数 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (1) 最大整流电流IF—— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (2) 反向击穿电压UBR——— (3) 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。

32 四、稳压二极管 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 稳定电压 正向同二极管 限流电阻 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数

33 (2) 动态电阻rZ —— rZ =U /I 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ —— rZ =U /I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。

34 1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。

35 一.BJT的结构 NPN型 PNP型 符号: N P e c b P N e c b 三极管的结构特点:
- N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 符号: 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。

36 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 + c区 若在放大工作状态： 发射结正偏： － b区
共发射极接法 c区 b区 e区 ＋ UCB － + UCE － 若在放大工作状态： 发射结正偏： ＋ UBE － 由VBB保证 集电结反偏： 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE > 0

37 1．BJT内部的载流子传输过程 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。

38 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。
另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。

39 2．电流分配关系 定义： IE =IC+IB 其值的大小约为0.9～0.99。 (1)IC与I E之间的关系: 所以:
三个电极上的电流关系:

40 (2)IC与I B之间的关系： 联立以下两式： 得： 所以： 令： 得：

41 (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=const
三. BJT的特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=const （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 死区电压 硅 0.5V 锗 0.1V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.3V （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。

42 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
现以iB=60uA一条加以说明。 （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。

43 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。
此时发射结正偏，集电结也正偏。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 饱和区 放大区 放大区—— 曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有： 截止区

44 四. BJT的主要参数 1.电流放大系数 （1）共发射极电流放大系数： 一般取20~200之间 （2）共基极电流放大系数： i △ 2.3
CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA =100uA =60uA （1）共发射极电流放大系数： 2.3 1.5 一般取20~200之间 （2）共基极电流放大系数：

45 2.极间反向电流 （1）集电极基极间反向饱和电流ICBO
发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级， 硅管：I CBO为纳安数量级。 + ICBO e c b ICEO （2）集电极发射极间的穿透电流ICEO 基极开路时，集电极到发射极间的电流——穿透电流 。 其大小与温度有关。

46 Ic增加时， 要下降。当值下降到线性放大区值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。
3.极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM Ic增加时， 要下降。当值下降到线性放大区值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （2）集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PC= ICUCE PCM < PCM

47 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：
① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。 - (BR)CEO U (BR)CBO (BR)EBO 在实际使用时，还有 U（BR）CER、U（BR）CES 等击穿电压。

48 1.4 三极管的模型及分析方法 i 非线性器件 - 一. BJT的模型 u b e c UD=0.7V UCES=0.3V
+ i - u BE B CE C b e c i C I B =0 u CE (V) (mA) =20uA =40uA =60uA =80uA =100uA 非线性器件 UD=0.7V UCES=0.3V iB≈0 iC≈0

49 放大状态 发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V 直流模型 截止状态 饱和状态 饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V
βIB IC IB e c b 发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V 直流模型 截止状态 e c b 饱和状态 e c b UD UCES 饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V

50 二. BJT电路的分析方法（直流） 1. 模型分析法（近似估算法）(模拟p58~59)
例：共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。 +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — UCE IB IC VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + UBE — UCE IB IC

51 解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。
+VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — UCE IB IC +VCC Rc (+12V) 4KΩ +VBB Rb (+6V) 150KΩ IC 0.7V βIB e c b + UCE — + UBE — IB 解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V

52 2. 图解法 模拟(p54~56) VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + uCE — IB=40μA iC
非线性部分 线性部分 2. 图解法 模拟(p54~56) 直流负载线 斜率： i C CE (V) (mA) =60uA I B u =0 =20uA =40uA =80uA =100uA iC=f(uCE) iB=40μA (0 , 3) Q ICQ 1.5mA IB=40μA IC=1.5mA UCEQ=6V 直流 工作点 UCEQ 6V M(VCC,0) (12 , 0)

53 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
半导体三极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 用字母表示同一型号中的不同规格 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 三极管 用字母表示材料 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管

54 1.5 场效应管 FET分类： BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。
场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 N沟道 P沟道

55 一. 绝缘栅场效应三极管 增强型  N沟道、P沟道 符号：
绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型  N沟道、P沟道 耗尽型  N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号：

56 当uGS＞0V时→纵向电场 再增加uGS→纵向电场↑ （2）工作原理
当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。

57 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。

58 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用
当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） （a）uds=0时， id=0。 （b）uds ↑→id↑； 同时沟道靠漏区变窄。 （c）当uds增加到使ugd=UT时， 沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）uds再增加，预夹断区 加长， uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变。

59 （3）特性曲线 ①输出特性曲线：iD=f(uDS)uGS=const 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 可变电阻区 恒流区
（b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 击穿区 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 截止区

60 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)uDS=const
可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT

61 gm=iD/uGS uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

62 2.N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。

63 N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 UP 4 2 3 10V 1 1 -1 2 -2 4 3 u =+2V
DS GS D (mA) i = -1V =0V =+1V (V) = -2V＝UP 1 GS u D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 i UP

64 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道
MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

65 4. MOS管的主要参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=iD/uGS uDS=const
（4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。

66 本章小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。
2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 4．BJT是由两个PN结构成的。工作时，有两种载流子参与导电，称为双极性晶体管。BJT是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。BJT的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。BJT有三个工作区：饱和区、放大器和截止区。 6．FET分为JFET和MOSFET两种。工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性晶体管。FET是一种电压控制电流型器件。改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。FET的特性可用转移特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。