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8吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介 (Front-end PECVD)
主要建置最大可沈積至8吋晶圓之前段SiH4 base SiOx薄膜及 SiH4 base SiNx薄膜其相關製程能力資料如下: 沉積速率： SiOx沈積速率,大於 400 nm/min。 SiNx沈積速率,大於 150 nm/min。 U%檢驗：SiOx/SiNx 小於 5 %。 介電常數：SiOx需介於3.9~4.2。 SiNx需介於7.0~9.0。 折射率(Refractive Index): / 。 /- 0.03。 (Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Co)金屬元素小於 50E10 atoms/cm2。
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機台簡介 公司 ：APPLIED MATERIALS 型號 ： APPLIED MATERIALS CENTURA SYSTEM 5200
使用年齡：2.5年(10年) 製程模式：電漿化學沉積 製程能力：OX 沉積數率: 150A/SEC NIT 沉積數率: 160A/SEC 溫度:400 ℃ 晶片尺寸：8 與6 inch Fab 2 is this research complex. The central building of this complex is the fabrication building with clean room from class 100 to 10 thousand of total area about 35 hundred square meters. Other laboratories such as HF technology Center and Nano-metrology Lab., are in the research building, the left construction in the image.
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