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RIBLL1 RF-Deflector的物理设计

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Presentation on theme: "RIBLL1 RF-Deflector的物理设计"— Presentation transcript:

1 RIBLL1 RF-Deflector的物理设计
刘 忠 马军兵 王建松 Kubono Shigeru 等 本装置是由近物所特聘教授Kubono 于今年1月建议并、提出的。目的是为了提高RIBLL1次级束、主要是丰质子束的纯度。建议提出后得到了北大、401、上海核子所、近物所包括重离子治癌的医学物理组等RIBLL1主要用户的积极反馈,大家希望次级束纯度能提高10倍以上、流强提高20倍以上。由于离子鉴别探测器计数率的限制,提高纯度是提高流强的前提。 HIRFL-RIBLL1合作组会议 兰州

2 Outline 丰质子次级束的纯度问题 射频偏转器的原理与实例 RIBLL1射频偏转器的物理设计 - 初步设计 - 费用估算 下步工作

3 丰质子次级束的纯度问题  PF型放射性束装置分离方法: B - ΔE - B
 中低能(主束能量 100 MeV/u)碎片动量分布有一低能尾巴  丰质子一侧纯度很低

4 射频偏转器的原理与实例 Beam 目标核偏转角Yʹ = 0, 计算出相位Φ 目标核
污染核 目标核 在束流能量 <10 MeV/u 时,速度选择器 Wien Filter 很有效。能量更高时,Wien Filter 需要很长,费用很高,如GANIL的Wien Filter 8米长,花费数百万美元

5 实例1 RIKEN-RIPS射频偏转器 RIKEN-RIPS

6 RIKEN-RIPS偏转器结构图 cylindrical part of the cavity is 1600 mm long and 800 mm in diameter with water cooling The Y-SLIT consists of two 120 × 115 mm2 copper plates of 25 mm thickness, and its aperture can be changed from ±0.5 mm to ±100 mm.

7 58Ni + Be  57MeV/u 54Ni 偏转器的效果: 目标核纯度提高了10倍
RIKEN-RIPS偏转器设计参数 参数 V0 ω L d w h 数值 100KV 12∼18MHz 700mm 40mm 120mm 1800mm 58Ni + Be  57MeV/u 54Ni 偏转器的效果: 目标核纯度提高了10倍

8 实例2 RF Fragment Separator at NSCL
Mechanical drawing (top) and picture (bottom) of the RF cavity.

9 RIBLL1射频偏转器的物理初步设计 A challenging case:RIBLL1 最重次级束 58Ni  53Ni
偏转板几何尺寸的影响 RF deflector location: T1 or T2 射频频率的影响

10 68 MeV/u 58Ni + 9Be  44 MeV/u 53Ni 53Ni TOF from target to T1

11 偏转板尺寸的影响

12 极板高压频率对Y方向偏转大小的影响: T1

13 偏转板频率的影响: T2

14 RIBLL1射频偏转器的结构示意图及其参数
V0 (V) f L(mm) d(mm) w(mm) h(mm) 100k 1000 50 120

15 物理设计的结果 偏转板几何尺寸的影响: 极板越长、分离效果越好 射频频率的影响: T1:  = acc T2:  = 0.5acc
RF deflector location: T1 or T2

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17 有无偏转板时束流在Y-SLIT处的Y位置分布

18 初步模拟纯化效果 纯化效果的决定性因素: - 污染核y方向偏转量 - 核的y位置分布宽度
for the challenging case: 58Ni  53Ni 影响纯化能力的因素 - 初级束束斑大小 - Y方向聚焦能力 Y分布宽度  狭缝宽度 纯度比 5 mm ~11 10 mm ~4 2 mm ~130 4 mm ~ 40

19 费用估算 高频偏转器 Subsystems:
cavity resonator, RF power amplifier, power supply for the power amp., a driver amplifier, vacuum system, control system, low-level circuit system @T1: ¥6.5M -基频(basic frequency)偏转器: ¥5.5M -平移RIBLL1后半部分: ¥0.5M @T2 : ¥9.0M -半基频(half basic frequency)偏转器: ¥7.5M -新聚焦透镜: ¥1.0M 组装费: ¥0.4M 狭缝系统:¥0.1M 探测器: ¥0.5M

20 下步工作 落实经费来源,项目立项 详细束流光学模拟:
- The influence of the RF deflector on beam profile - modify the y-focusing to the Y-slit

21 Many Thanks

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23 射频偏转器的原理与实例 Beam 污染核 目标核

24 模拟位置分布需要考虑的因素: 1.T0初始位置处,粒子的位置分布(x,y). 2.T0初始位置处,粒子的动量分布(px,py). 3.主束的时间结构: 因为大器出来的束流是有时间结构的,即在△T时间内有很多主束粒子(一个束团内的粒子)打到初级靶子上,这些主束粒子产生的次级粒子可能有一个或几个;但我们实验时,一个束团最多获取一个次级粒子,所以我们只考虑一个次级粒子的情况。这个次级粒子入射到偏转板的时间,由于主束的时间结构,而有一个△T的不确定度,这个模拟时需要考虑。

25 模拟的内容:需要逐事件模拟。 1. 给定一个粒子在T0处的位置(x,y)、入射角度和动量,需要得到在T1, T2处该粒子的位置(x,y)。
2.在T0处,粒子的初始位置有一定分布(高斯或者均匀),同时动量也有分布,这样的粒子经过束流线的传输,在T1, T2处粒子的位置分布。

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29 Sigma=5.207mm

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32 Deflector-Slit distance
RF Frequency (MHz) Target-Deflector (m) Electrode length (m) Phase length (degree) Deflector-Slit distance (m) RIKEN 12-18 55-83(ns) 21.3 0.7 35 1.8 MSU 19-27 37-52(ns) 54 1.5 140 5.3 RIBLL 10.9 92(ns) T1(17.5) T2(35) 1.0

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34 A case of light low energy beam

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38 51Mn49Cr47V 45Ti 43Sc 47Ti 45Sc 43Ca 41K 39Ar 44Ca 42K 40Ar38Cl 50C 48V 46Ti 44Sc 42Ca 43K 52Fe50Mn48Cr46V 44Ti 41Ar 53Co51Fe49Mn47Cr 54Ni52Co50Fe48Mn 51Co49Fe

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41 Y方向偏转@slit:Y=ΔY+Yʹ * h
V=V0Sin(ω T + Φ) * h

42 目标核偏转角Yʹ = 0, 计算出Φ,即初始相位Φ0 ;其他核的相位等于初始相位加上飞行时间差造成的相位差。

43 HIRFL-RIBLL1射频偏转器的物理初步设计
射频偏转器是根据不同核在y方向的位置分布,通过狭缝去除污染核的,因此应位于聚焦平面附近,T1/T2处。但各有优缺点。 T1处, 可以纯化后做粒子鉴别,便于今后主束流强升级;但空间紧张,现有一长50cm的chamber; 解决办法:将RIBLL1的后半部分,从T1处往下游平移,受现有屏蔽墙限制,最多只能平移1m。 T2位置空间够,但存在其他问题,如主束流强升级后PID会成为问题, 还有偏转器的适宜频率。

44 偏转板location:上图为T1处,下图T2处。

45 不同形状的高压引起的偏转效果

46 总结 1.根据模拟计算,初步确定了偏转板几何参数: 极板长度L,宽度W,板间距离d,偏压幅度V0与形和频率。 2.下一步计划
结合RIBLL1已有的次级束流实验数据与今后的束流要求,进行更多的模拟计算,以确定最优的偏转板参数,同时进行束流光学的模拟计算。


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