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CCD图像传感器 光信息91 王哲也
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一、什么是CCD? 电荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD),自 70 年代初诞生以来,已迅速发展成为最常用的固体图像传感器,且广泛应用于科技、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。它是图像采集与数字化的关键器件。CCD直接将光学图像转换为电荷信号,以实现图像的存储、处理和显示。其特点主要体现在 3个方面: 1、体积小,重量轻,能耗少,工作电压低,抗冲击与振动,寿命长; 2、灵敏度高,噪声低,动态范围大; 3、响应速度快,刷新时无残留痕迹,摄像启动快;
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二、CCD的工作原理 CCD 的工作原理 CCD 不同于多数以电流或电压为信号的其它器件,其突出特点是以电荷为信号。工作过程包括信号电荷的产生、存储、传输与检测。以下将从电荷的产生、电荷信号的存储、电荷信号的传输三方面说明CCD的工作原理。
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CCD的工作原理 信号电荷的产生 在 CCD 中,电荷的产生分为光注入和电注入两大类。作为图像传感器的 CCD 通常是通过光敏单元,以光注入方式形成信号电荷。光照射到CCD 光敏区上时,在栅极附近的半导体体内产生电子—— 空穴对,其多数载流子被栅极电压排开,少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。信号电荷Q1与光照强度(或光子流速率 )、光照时间 、光敏单元面积A成正比。即 其中 为材料的量子效率;q为电子电荷量。
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CCD的工作原理 信号电荷的存储 CCD的基本单元是金属氧化物半导体结构,即MOS结构。当栅极未施加正偏压,p型半导体中的空穴(多数载流子)分布均匀。当栅极施加正偏压后,空穴被排斥,产生耗尽区。偏压继续增加,耗尽区将进一步向半导体内延伸。当正偏压超过阈值电压时,绝缘体界面与半导体体内的电势足够大,以至于将半导体体内的电子吸引到绝缘体表面,使该处电子浓度超过空穴浓度,出现反型层。
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CCD的工作原理 信号电荷的存储 一般用势阱概念来描述MOS结构存储电荷的能力,在没有反型层电荷时,势阱深度与栅极电压U成线性关系。当反型层电荷填充势阱时,表面势收缩。势阱中可存储信号电荷的容量为Q=CU,C为MOS电容容量,U为栅极偏压。反型层电荷数量反映了光强大小,实现了CCD光电转换的线性效应。
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CCD的工作原理 信号电荷的传输 对于彼此靠得很近的MOS结构(CCD 单元) ,只要将按一定规律变化的电压 (时钟脉冲) 加到 各电极上,电极下的电荷包就能沿着半导体表面按一定方向逐单元地移动。当电荷包中的电子转移到某个栅下时,被收集区收集,在等效电阻上产生电流,并转化为电压信号串行输出,输出脉冲幅值依次与原来储存于原来势阱中电荷包的电子数成正比。
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CCD的工作原理
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三、CCD技术的应用 CCD 技术的应用 根据不同使用要求,CCD沿着两条不同的道路发展:一是电视摄像机用 CCD;二是科技用CCD,如天文、医学、显微学、机器人视觉、数字相机等。 电视摄像机用 CCD 一般是内线转移IT CCD,由于受到电视制式的限制,过去一直停留在20-40 万像素。随着高清晰度电视的发展,80 年代后期才开始出现大面阵IT CCD。 科技用CCD 对器件像素的均匀性、暗电流及噪声都有较高要求,某些用于空间科学和研究用的CCD, 还要求有很强的抗辐射损伤能力。
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CCD技术的应用 CCD技术在数码相机中的应用:
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CCD技术的应用 CCD在数码相机中成像原理 三层结构 微型镜头:扩展CCD的采样率; 分色滤色片:过滤去人眼所不能看到的光线
感光层:光源转换成电子信号,传送到影响处理芯片。
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四、后来崛起者CMOS 数字图像处理的新竞争者:CMOS
CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。 CMOS的相对优势: 信息读取方式更灵活、速度更快、耗电量更低。 CMOS的相对不足: CCD技术更成熟,成像质量更好,工艺成熟成本相对低。 但近年来,CMOS技术得到了迅速发展,高密度优质CMOS成像器件已经面市。
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