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《手把手教你学STM32》外部SRAM实验适用平台 STM32 开发板（正点原子） ddddd 淘宝店铺：技术论坛:

本视频重点参考资料参考资料： 1，战舰STM32F1开发板《STM32F1开发指南-库函数版本》第四十一章外部SRAM实验 2，探索者STM32F4开发板《STM32F4开发指南-库函数版本》第四十一章外部SRAM实验 3，FSMC参考资料《STM32中文参考手册_V10》-第19章灵活的静态存储器控制器(FSMC) 《STM32F4xx中文参考手册》-第32章灵活的静态存储控制器(FSMC) 4，SRAM参考资料：光盘：硬件资料芯片资料 IS62WV51216.pdf 淘宝店铺：技术论坛:

目录 IS62WV51216简介 1 SRAM简介 1 硬件连接 2 FSMC简介 2 硬件连接 3 源码讲解&例程测试 3 源码讲解&例程测试 4 淘宝店铺：技术论坛:

1、IS62WV51216简介-什么是IS62WV51216? IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SRAM）芯片。淘宝店铺：技术论坛:

1、IS62WV51216简介-IS62WV51216特点 ①高速。具有45ns/55ns访问速度。 ②低功耗。操作时：36mW;待机时：12uW。 ③兼容TTL电平。 ④全静态操作。不需要刷新和时钟电路。 ⑤三态输出。 ⑥字节控制功能。支持高/低字节控制。淘宝店铺：技术论坛:

1、IS62WV51216简介-IS62WV51216框图图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；I/O0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号；淘宝店铺：技术论坛:

1、IS62WV51216简介-读时序 IS62WV51216读时序右图为：IS62WV51216芯片的8080并口读时序，详见：IS62WV51216.pdf 重点时序：读周期时间(tRC) 地址建立时间(tAA) OE建立时间(tDOE) 我们开发板使用55ns的IS62WV51216，tRC=55ns tAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）淘宝店铺：技术论坛:

1、IS62WV51216简介-写时序 IS62WV51216写时序右图为：IS62WV51216芯片的8080并口写时序，详见：IS62WV51216.pdf 重点时序：写周期时间(tWC) 地址建立时间(tSA) WE脉宽(tPWE) 我们开发板使用55ns的IS62WV51216，tWC=55ns tSA=0ns，tPWE=45ns（min）淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-FSMC介绍淘宝店铺：http://eboard.taobao.com 技术论坛:www.openedv.com
FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器。FSMC的框图如下图所示：在TFTLCD显示实验，我们给大家详细介绍了FSMC，所以本视频只做概要性介绍，详细的，请看TFTLCD显示实验淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-FSMC驱动IS62WV51216原理 FSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：地址线（如A0~A25）、数据线（如D0~D15）、写信号（WE，即WR）、读信号（OE，即RD）、片选信号（CS），如果SRAM支持字节控制，那么还有UB/LB信号。而IS62WV51216的信号我们在前面介绍过，包括：I/O0~I/O15、A0~A18、OE、WE、CS、UB、LB等，我们将这些信号依次连接STM32 FSMC接口的D0~D15、A0~A18、OE、WE、CS、UB、LB等信号即可。淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-NOR PSRAM外设接口 STM32的FSMC支持8/16位数据宽度，我们这里用到的SRAM是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-存储块1 操作简介 STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。如下表所示：当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1] FSMC_A[24:0] 当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0] FSMC_A[25:0] 不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0] 淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-存储块1 操作简介 STM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式 A，这里我们使用模式A来驱动SRAM，其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。模式A读时序图模式A写时序图模式A支持读写时序分开设置！对STM32F4仅写时序DATAST需要+1 淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-寄存器介绍对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。 SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx） EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，设置为0 WREN：写使能位。我们需要向SRAM写数据，故该位必须设置为1 MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。我们的SRAM是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01。 MTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。我们驱动的芯片为SRAM，所以需要设置MTYP[1:0]=00。 MBKEN：存储块使能位。需设置为1 淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-寄存器介绍 SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx） ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。 DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。对IS62WV51216来说，其实就是OE/WE低电平持续时间，最大为55ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3；对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为8。 ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET (+1)个HCLK周期，ADDSET最大为15。对IS62WV51216来说，访问周期最快位55ns，而我们前面的设置，已经可以保证访问周期不小于55ns，因此这个地址建立时间，我们可以直接设置为0即可。因为设置了EXTMOD位，所以读写时序共用这个时序寄存器！淘宝店铺：技术论坛:

2、FSMC简介-寄存器介绍寄存器组合说明在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这个单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。规律如下： FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下： BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1 BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2 BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3 BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4 FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下： BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2， BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4， BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。淘宝店铺：技术论坛:

2、硬件连接-战舰 V3 STM32F1开发板战舰V3 STM32F103开发板，IS62WV51216与STM32F103ZET6的连接原理图左图：具体连接关系： A[0:18]接FMSC_A[0:18] D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 淘宝店铺：技术论坛:

2、硬件连接-探索者STM32F4开发板探索者STM32F407开发板，IS62WV51216与STM32F407ZGT6的连接原理图左图：具体连接关系： A[0:18]接FMSC_A[0:18] D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 淘宝店铺：技术论坛:

3、源码讲解&例程测试-源码说明 1，战舰V3 STM32F103开发板源码光盘程序源码标准例程(库函数/寄存器)实验36 外部SRAM实验 2，探索者STM32F407开发板源码淘宝店铺：技术论坛:

3、源码讲解&例程测试-驱动代码 1， FSMC_SRAM_Init函数 2， FSMC_SRAM_WriteBuffer函数 3， FSMC_SRAM_ReadBuffer函数淘宝店铺：技术论坛:

3、源码讲解&例程测试-main函数战舰 V3和探索者STM32F407开发板，本例程main函数都大同小异，代码几乎一模一样。重点以战舰V3 本例程的main函数为例讲解，探索者STM32F4开发板参考着看即可。淘宝店铺：技术论坛:

3、源码讲解&例程测试-例程测试例程测试淘宝店铺：技术论坛:

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