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阳极氧化ZnO-TFT的实验设计 ZnO的现阶段的研究 Zn膜实验设计 阳极氧化参数设计 1、氧化电流密度实验 2、氧化电压实验
2、性能优化 Al+Zn和Hf+Zn双层金属氧化实验
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ZnO TFT的优势 高迁移率、可见光透明、低温工艺、环境友好等方面。 工艺简单而且工业设备和非晶硅的设备有很大的替代性
廉价的塑料/柔性衬底技术有很好的兼容性 ZnO TFT 在透明显示器中应用
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现阶段研究 ZnO TFT 有源层的生长方式：
方法主要有脉冲激光沉积、磁控溅射、原子束沉积、化学气相沉积和电子束蒸发等.高性能ZnO TFT通常采用ALD的方法 考虑成本和工业应用和高迁移率、面积大等方面，采用ZnO靶材射频磁控溅射。但是，磁控溅射的ZnO 薄膜中存在大量的氧空位，导致ZnO-TFT的稳定性方面有很大的问题。而且溅射形成的ZnO在均匀性方面不能满足要求要求。 阳极氧化的方法，能实现与有机晶体管技术的兼容，工艺温度低与柔性技术兼容，工艺简化。
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Zn膜实验设计 仪器：新溅射台 参数：RF功率：30W，40W，50W，70W 气压：0.2 ,0.3 0.5, 1 ，
气压：0.2 , , 1 ， 测试参数：电阻率，生长速率
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功率 30 40 50 70 0.2Pa 生长速率 电阻率 0.3Pa 0.5Pa 1Pa 电阻率
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阳极氧化参数设计 1、氧化电流密度 参数设置：0. 05 0.07 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 0.7
参数设置： 氧化电压：30V 测试参数：透过率，电阻率，载流子浓度， 需要完善补充实验： 电流密度0.15,0.2的全测试：XRD SEM 透过率参数：全部的电流密度参数的样品 注意：载流子浓度测试中，需要通过器件的性能间接的测出
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电流密度 电阻率 载流子浓度 透过率 结晶状况XRD 结构SEM 0.05 0.07 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0..5 0.7 电流密度为0.05,0.07,0.1,0.12,0.3,0.5,0.7的样品需要补充透过率测试实验 电流密度为：0.15,0.2的样品需要测试所有项目
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2、氧化电压的影响 电压参数： 电流参数：0.05, 0.12, 0.2, 0.3 测试参数：透过率，电阻率，载流子浓度 XRD，SEM
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ZnO-TFT器件 方案一： 1、Al：Nd膜（250nm） 2、阳极氧化形成栅介质：Al2O3 3、负胶，Gate或互联Gate
5、正胶，Active large 6、1:1000稀盐酸腐蚀 Zn ZnO Al2O3 Al Glass
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Anodized ZnO S D Zn
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方案二：大面积阳极氧化 S D 1、 溅射生长Al：Nd 250 nm 2、 阳极氧化108V，生长150nmAl2O3
3、 RF溅射生长50nmZn 4、 阳极氧化生长ZnO 5、 腐蚀出有源区图形 6、 溅射生长S/D电极 ZnO Al2O3 Al Glass S D
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方案三：栅极图形化TFT 实验流程： 1、制备图形化栅电极（厚度薄） 2、阳极氧化制备栅电极 3、溅射生长Zn膜 4、阳极氧化生成ZnO
5、腐蚀出有源区图形 6、溅射生长S/D电极 S D ZnO G
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2、ZnO-TFT性能优化 栅介质：Hf栅极HfO2栅介质 Ta栅极Ta2O5栅介质
退火处理：温度（150℃，200 ℃ ），气氛真空（真空，空气，N2，oxygen high-pressure annealing） Plasma treatment：N2O，O2 不同的氧化电压对器件性能的影响
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选取适合的条件，在柔性衬底上进行制备TFT，实现透明柔性TFT的制备。
ZnO S D SiO2 ITO PEN
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Al+Zn和Hf+Zn双层金属氧化实验 Al+Zn双层金属氧化 Hf+Zn双层金属氧化 对比两种氧化，分析双层阀金属氧化的机制
氧化参数：氧化电压，氧化电流密度 测试：XPS分析元素的分布 分析氧化的规律和机制 Hf+Zn双层金属氧化 对比两种氧化，分析双层阀金属氧化的机制
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继续实验方案 依据现有的实验条件继续进行ZnO-TFT的制备： 实验的目的：研究不同电流密度下TFT性能
在氧化电压30V，氧化电流密度为：0.05,0.07,0.1,0.12条件下制备TFT器件 实验的目的：研究不同电流密度下TFT性能 电流密度：0.07,0.1 ,0.12 ,0.3 氧化电压：30V Zn ZnO Al2O3 Al Glass
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