IC製程介紹.

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1 IC製程介紹

2 IC製程講義目錄 一:IC製程概述 二:晶圓的制造 三:前工序的主要工藝 四:后工序.組裝.封裝和測試 五:IC製程技術發展趨勢
a.CMOS.BI-POLAR.BI-CMOS工藝 b.IC 失效的分析

3 IC制造過程概述 IC制造工藝概述 1.先將硅單晶切成大片 2.研磨﹑拋光 3.氧化﹑光刻﹑擴散﹑外延﹑蒸發﹑在單晶片上按照一定 的圖形和結构制造出電路﹒ 4.初測﹑畫片. 5.燒結(固定到管位)﹑壓焊(焊上引線) 6.封管﹑老化﹑總測﹑分檔﹑噴漆﹑打印1 ﹑2﹑3﹑4合 稱為前工序.4﹑5合稱為后工序.

4 前工序主要工藝 前工序主要工藝主要包括以下六個工藝 1.外延 2.本征氧化 3.光刻 4.淀積 5.摻雜(改性 ) 6.腐蝕
以上工藝主要為制造出集成電路中所需的各個晶体管﹑ 二級体﹑電阻﹑電容等元件.

5 后工序 1.組裝和封裝 主要任務 一﹕圓片切割与中測分類 二﹕芯片互連 2﹒測試(測試划分為﹕測試應用﹑工藝過程檢測.
　　一﹕圓片切割与中測分類 　　二﹕芯片互連 2﹒測試(測試划分為﹕測試應用﹑工藝過程檢測. 一﹕應用測試基本有四种﹕ (1)﹕中測 (2)﹕成品測試 (3)﹕質量測試 (4)﹕可靠性測試 二:工藝過程檢測 (1)材料檢測 (2)工藝檢測

6 IC基本制造工藝 IC的基本制造工藝主要包括以下三重： 　　　　1.CMOS集成工藝 　　　　2.BIPOLAR工藝 　　　　3.BI-CMOS工藝

7 基區擴散電阻結構示意圖 利用集成晶體管的基區擴散層做成,N型外延層接電路 的最高電位,或接至電阻器中兩端中電位較高的一端, 澈底接電路的最負端,這樣,R-R之間就形成了一個獨立 的電阻器.

8 利用長基區擴散電阻進行交叉走線 (上圖)頂視圖 (下圖)橫截面圖 利用基區擴散電阻﹑隱埋層電阻上的氧化層走線

9 發射區擴散層－隔离擴散層－隱埋層PN結電容結构
等效圖(實際上是兩個電容并聯)

10 Failure analysis flow Electrical problem fail no fail yes fail pass no
Receive test fail Failure history Check (FT/QCtest failed item Electrical problem fail no Verify Room temperature Is device Failure parmetric? Is device failure Function? fail yes Verify High temperature Curve trace (by HP4145) Determin fail mode (bitmap) fail Verify Low temperature determine temp/volt sensitivity pass no Fae check Application environment Sat/x-ray Package problem? Decap and Om/sem 1.probing 2.hot spot (emmi/liquid crystal Deprocesses and Om/sem/eds yes Made engineering decision Bake reject 150’c,24hrs