Dr. Rational You IEK/ITRI 2002/07/02

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1 Dr. Rational You IEK/ITRI 2002/07/02
相變化記憶體 Dr. Rational You IEK/ITRI 2002/07/02 Source: (2002/05)

2 Outline (A) 相變化記憶體的起源 (B) 相變化記憶體的性能 (C) 相變化材料電性及記憶原理 (D) 相變化記憶體的發展與展望
(1) 相變化記憶體 (2) Ovonic Switch (3) 導電率會巨幅增加到106倍 (B) 相變化記憶體的性能 (1) 寫入能力 (2) 資料穩定性 (3) 擦拭能力 (4) 讀取能力 (5) 循環寫擦能力 (C) 相變化材料電性及記憶原理 (D) 相變化記憶體的發展與展望 Source: (2002/05)

3 常見相變化記憶體研究材料 Source: (2002/05)

4 相變化材料之結晶型態與物性的關係 Source: (2002/05)

5 相變化記錄媒體之材料需求 Source: (2002/05)

6 合適作為相變化記憶體之用的材料性質 Source: (2002/05)

7 硫屬化合物之電流電壓(I-V)特性圖 Source: (2002/05)

8 電阻值隨電流值變化示意圖 Source: (2002/05)

9 相變化記錄媒體之操作功能與溫度、時間對應圖(1)
光碟 Source: (2002/05)

10 相變化記錄媒體之操作功能與溫度、時間對應圖(2)
半導體記憶元件 Source: (2002/05)

11 相變化材料電性及記憶原理 Source: (2002/05)

12 多種記憶體性質及技術比較 (1) Source: (2002/05)

13 多種記憶體性質及技術比較 (2) Source: (2002/05)

14 相變化記憶胞(Memory Cell)示意圖
Source: (2002/05)

15 相變化線路(Circuit)示意圖 Source: (2002/05)

16 相變化記憶體之讀寫反覆循環次數 Source: (2002/05)

17 不同介質層對寫入功率之影響 Source: (2002/05)

18 Reference 1. Stefan Lai (Intel) and Tyler Lowrey (Ovonyx), “OUM - A 180 nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications”, IEDM, 2001 2. Technology presentation, Source: (2002/05)