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第二章 双极型晶体三极管(BJT).

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1 第二章 双极型晶体三极管(BJT)

2 概述 晶体二极管:单向导电性 晶体三极管:放大作用。半导体器件发展过程中的一次重大飞跃。
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,英文缩写BJT) 场效应管(Field Effect Transistor,英文缩写FET):单极型

3 2.1 BJT工作原理 2.1.1 BJT结构与符号 三个独立的掺杂区和两个PN结构成的三端器件,可分为NPN管和PNP管两种类型,如图所示。 (a)NPN型 (b)PNP型 双极型晶体三极管结构示意图与电路符号

4 三个区: 发射区(Emitter)——发射载流子的区域 基 区(Base)——传输载流子的区域 集电区(Collector)——收集载流子的区域 三个极: 发射极(e),基极(b)和集电极(c) 两个结: 发射结(e结),集电结(c结)

5 当BJT的发射结正偏、集电结反偏,NPN管内载流子的运动情况。

6 1.发射区多子向基区扩散(又称注入) 发射区自由电子(多子)向基区注入(扩散),形成电流 。 基区空穴向发射区注入,形成空穴注入电流 。两电流之和构成发射极电流 。 发射极电流的主要部分是自由电子形成的电流,即

7 2.基区非平衡少子向集电结方向边扩散边复合 由于基区的空穴浓度很低,且基区很薄,只有很少部分的自由电子被基区空穴(多子)复合,形成基区复合电流 。 由PN结的原理,反偏集电结还存在着集电结反向饱和电流 。 因此,基极电流:

8 3.集电区收集基区非平衡少子 扩散到达集电结边界的基区非平衡少子(自由电子),在电场力的作用下均被抽取(漂移)到集电区,形成集电极电流的主要成分 。 因此,集电极电流为:

9 综上所述,晶体管各电极的电流有如下关系 (2.1) (2.2) (2.3)

10 则可得三电极的电流关系 (2.4)

11 4.放大偏置时的电流关系 (1) 与 的关系 集电极电流 的主要成分 是由发射极电流 转化而来的,为了反映扩散到集电区的电流 与发射极电流 的转化比例关系,定义共基极直流电流放大系数为 (2.5)

12 显然 ,一般约为0.97~0.99。由式(2.5)可得 与 的关系 由于 往往很小(对硅管尤其如此),工程上一般用下式来近似 (2.6) (2.7)

13 (2) 与 的关系 为了反映扩散到集电区的电流 与基区复合电流 之间的比例关系。定义共发射极直流电流放大系数 为 其物理意义是:基区每复合一个电子,则需 个电子扩散到集电区去。通常 (超 管 可能大于1000)。 由式(2.8)整理可得 (2.8) (2.9)

14 式中 是基极开路( )时,集电结与发射极之间流过的穿透电流,即
因 很小,在忽略其影响后,则有 将式(2.6)代入式(2.4),则可得到关系 (2.10) (2.11) (2.12) (2.13)

15 将式(2.13)与式(2.8)对比,可得关系 (2.14) (2.15)

16 例2.1 PNP管直流电路如图2.3所示,图中 。当断开B点时,微安表的读数为240μA,当断开E点时,微安表的读数为6μA,试求该管的 和 。
图2.3 例2.1电路图

17 解:直流电压 及 的方向和大小表明该管处于放大偏置。断开E点时微安表读数是集电结反向饱和电流 ,断开B点时微安表读数是穿透电流 ,即

18 2.1.3 放大偏置BJT偏压与电流的关系 双极型晶体管是电流控制器件。 控制各极电流变化的真正原因是发射结正向电压的变化。
集电结反向电压的变化对各极电流也有影响。

19 1. 发射结正向电压 对各极电流的控制作用——BJT的正向控制作用
发射结电流 实际上就是正偏发射结的正向电流: 当发射结正偏电压 增加时,正向电流 增加。此时,注入基区的非平衡少子增多,会使基区复合增多,到达集电结边界被集电区收集的非平衡少子也会增多,从而使 和 都会增大。发射结正偏电压 的变化将控制各极电流的变化。 双极型晶体管也是一种电压控制器件。

20 2.集电结反向电压 对各极电流的影响——基区宽度调制效应
2.集电结反向电压 对各极电流的影响——基区宽度调制效应 图2.4 基区宽度调制效应

21 当正偏电压 一定时,发射区向基区注入的自由电子一定,即基区非平衡少子的浓度分布曲线 由 决定。但基区电流 主要由基区的复合电流构成,而基区复合电流与基区少子数量成正比,基区少子数量又与基区少子浓度分布曲线下的面积S成正比。所以, 与基区少子浓度分布曲线下的面积近似成正比。 当集电结反向电压 增加时,由PN结的知识可知,集电结会变宽,这势必使得基区的宽度减小(见图2.4,W变到 )。基区少子浓度曲线便由图中的实线变为虚线。显然,虚线下的面积比实线下的面积小,表明 会减小,再由 可知 会增加。 影响各极电流的现象称为基区宽度调制效应,简称基区宽调效应。


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