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光電科技 (二)光電半導體與光電元件 劉榮平 逢甲大學 光電學系.

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1 光電科技 (二)光電半導體與光電元件 劉榮平 逢甲大學 光電學系

2 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

3 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

4 半導體與光電半導體元件簡介 從巨觀的角度,半導體就是電阻率介於導體與絕緣體間的材料。 導體 絕緣體 2019/4/16

5 從微觀的角度,半導體是…… 首先,由原子軌域與能階看起 2019/4/16

6 如果很多原子靠在一起會…? 2019/4/16

7 Many-particle system 這些相鄰的原子會合成單一系統(晶體),由於在單一系統中任兩個電子不能在同樣的能階,所以原本對應單一原子的能階將分裂成『能帶』。但整個系統的總 能階數目和原本個別原子能階數目的合會一樣。 2019/4/16

8 2019/4/16

9 所以,從能帶的角度來看半導體…. 絕緣體 半導體 (3.5~6eV) (0.1~3eV) *1eV=1.6×10-19 J
絕緣體 半導體 (3.5~6eV) (0.1~3eV) *1eV=1.6×10-19 J 2019/4/16

10 導體 2019/4/16

11 2019/4/16

12 半導體物理主要就是探討價帶和導帶的電子分佈。而在光電半導體上,光和 電子交互作用的可能方式有二: 光子被吸收,並產生電子電洞對
Ec Ev 半導體物理主要就是探討價帶和導帶的電子分佈。而在光電半導體上,光和 電子交互作用的可能方式有二: 光子被吸收,並產生電子電洞對 電子和電洞結合,並放出一個光子 2019/4/16

13 光電半導體和光子的三種交互作用 吸收 自發放射 激發放射 2019/4/16

14 光子吸收和放射的條件 能量守恆-吸收(放射)光子前後系統(電子+光子)總能量不變 動量守恆-吸收(放射)光子前後系統(電子+光子)總動量不變
光子動量通常比電子動量小很多,可以忽略 2019/4/16

15 直接能隙與間接能隙(1) Direct Gap & Indirect Gap
電子落至價帶並放出一個顆光子,且前後電子動量不變 若光子被電子吸收,則電子躍升到導帶上,且前後電子動量不變 2019/4/16

16 直接能隙與間接能隙(2) Direct Gap & Indirect Gap
電子要落至價帶除了放出一顆光子以滿足能量守恆外,尚須同時和一或多個phonon(聲子)交互作用以滿足動量守恆(需同步) 電子吸收光子後可直接躍遷到較高的空能階以滿足能量與動量守恆,再馬上掉落至導帶的最低能階並把動量轉移給聲子(可非同步) 2019/4/16

17 光電半導體材料(1) 2019/4/16

18 光學系統方塊圖 光電 調製 光電 量測 光學 系統 光源 2019/4/16

19 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

20 發光二極體 Light Emitted Diode, LED
二極體結構 p-n junction 2019/4/16

21 LED材料要求與製作考量 直接能隙半導體(p.15,16 --- Si 出局) 適當的能隙寬(會影響發光波長)
發光量子效率-影響能量使用效率 材料折射率、結構與封裝-影響能量使用效率與發光角度 2019/4/16

22 結構 面射型(junction四邊塗反射或吸收層) 邊射型 面射型LED剖面 2019/4/16

23 折射率 2019/4/16

24 增加出光效率的可能辦法 反射鍍膜/光子晶體 抗反射鍍膜 LED 2019/4/16

25 封裝 廣角: 照明光源/指示燈 窄角:顯示/信號傳輸 2019/4/16

26 不同材料的發光頻譜 2019/4/16

27 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

28 雷射 (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation; Laser)
共振腔 居量反轉-激發放射(p.13) 2019/4/16

29 LD: 發光+居量反轉+激發放射+共振回饋
平整切面(共振腔) 2019/4/16

30 雷射發散角與光型 (a) 發散角和出光面 幾何結構有關 (b) 過長的介面會導致模態(橫模)增加 2019/4/16

31 解決辦法 2. 面射型雷射 1. 侷限增益介質區域 2019/4/16

32 發光頻譜 通常LD會有數個縱向模態,對應到數條譜線。但一般來說,LD的頻譜分佈還是比LED(參考p.27)窄很多。 2019/4/16

33 減少縱模辦法 Cleaved-coupled-cavity (C3) laser
Distributed feedback (DFB) laser 2019/4/16

34 最後:LED和LD的差異 LED LD 2019/4/16

35 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

36 光偵測器:根據光激發電子的多寡來偵測光強
(a)外部光子效應 (如光電效應) Ex. 光電倍增管 2019/4/16

37 (b)內部光子效應 (光導效應) 2019/4/16

38 (1)光導偵測器(Photoconductor detector)/光敏電阻
2019/4/16

39 光導偵測器:材料特性 2019/4/16

40 (2)光二極體(Photodiode) 2019/4/16

41 p-i-n junction photodiode
優點 1. 增加照光面積 2. 反應速度較快 2. 高反應效率 2019/4/16

42 光二極體:材料特性 2019/4/16

43 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

44 Charge-Coupled Device, CCD
光電耦合元件 Charge-Coupled Device, CCD 基本上就是PD/MOS陣列,再用某些方式把陣列訊號傳送出來 2019/4/16

45 CCD結構 訊號傳遞方向 2019/4/16

46 3相時脈驅動 2019/4/16

47 Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS
互補性金氧半導體 Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS + - MOS capacitor 2019/4/16

48 CCD VS. CMOS CCD CMOS 像素大小 2.5~10μm 4~10μm 訊雜比 較高 較低 感光面積 較大 較小 動態範圍
耗電 製成與成本 Readout Register 2019/4/16

49 大綱 半導體與光電半導體元件簡介 發光二極體(Light Emitted Diode, LED) 半導體雷射 半導體光偵測器
陣列型偵測元件(包括CCD和CMOS) 太陽電池(Solar Cell) 總結 2019/4/16

50 先從Photodiode講起… Photodiode 有三種操作方式:
1. 逆向偏壓操作 (Reverse-biased operation)。 2019/4/16

51 2. 短路 (Short-circuit),迴路中的光電流會隨著照光強弱不同而不同
2019/4/16

52 3.斷路(Open circuit-photovoltaic operation)
2019/4/16

53 由短路與斷路,我們可以得到太陽電池的I-V關係圖
Fill factor: (0.7~0.8 typically) 2019/4/16

54 太陽光譜與半導體能階 2019/4/16

55 三層材料太陽能電池 2019/4/16

56 參考資料 D. Neamen, An introduction to Semiconductor devices, McGraw-Hill, 2006. J. Wilson & J. Hawkes, Optoelectronics: An introduction, 3rd Ed., Prentice Hall. B. Saleh & M. Teich, Fundamentals of Photonics, Wiley, 1991. S. O. Kasap, Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices, Prentice Hall. 2019/4/16


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