95年度製程服務相關重大變革說明 (含製程資料控管説明)

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1 95年度製程服務相關重大變革說明 (含製程資料控管説明)
晶片實作組 2006/02/16

2 內容更新 頁數 內容 P23 凡已申請95年度製程資料且通過TSMC核可的申請者，請於3/17(五)前繳交“核可後管理”之相關表格。

3 內容大綱 95年度製程異動 95年度“製程申請”說明 製程資料控管說明會 “製程服務注意事項” 各類晶片製作承辦窗口 Q&A

4 95年度製程異動說明 UMC 0.18 UM 1P6M MMC/RFCMOS 1.8V/3.3V 製程將提供至95年上半年止，下半年起將停止製程資料申請、晶片製作相關服務。 95年起，開始提供TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal MS General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&3.3V 製程，(簡稱T13L)。 其餘各製程維持不變 所有製程之晶片製作時程，以CIC公告之晶片製作時程表(95年度)為準。95上半年製程時程表已公布於CIC網頁，請至

5 T13L & T13RF製程差異說明 CIC所提供之T13L並非一般Pure Logic，而是指應用於Mixed-Signal的Process。 T13L相容於一般Pure Logic製程，且金屬厚度完全相同，並且提供MIM電容。 CIC所提供之T13L的標準操作電壓為1.2V/3.3V，T13RF則是1.2V/2.5V T13RF的Top Metal厚度較T13L厚，因此兩者在Design Rule方面將有所差異。 T13RF建議用於不需replace之電路，且操作電壓1.2V/2.5V之RF Circuit，Analog Circuit， Mixed-Signal，Logic Circuit 。 T13L建議用於操作電壓1.2V/3.3V之Analog Circuit， Mixed-Signal，Logic Circuit 。 使用CIC提供的0.13 um Cell-based Design Kit完成的電路設計僅限申請T13L晶片下線。

6 T13L & T13RF製程比較表 Metal 7~6 Metal 8~7 YES NO Supply Cell-Base Flow
MIM capacitor 位置 Yes MIM capacitor same Metal 6 厚度 thin thick Metal 7 厚度 Metal 8 厚度 1.2V/3.3V 1.2V/2.5V 操作電壓(core/IO) 8 Metal 層數 T13L T13RF

7 製程資料授權/控管方式 CIC 1. 被授權人員清冊 2. 管理報表 3. others 授權 申請者 (學術界-老師/產研界) 被授權人員
T13L D35

8 95年度製程資料申請說明 所有製程資料一律線上申請 製程資料維持一年一簽 所有製程依安全性等級區分為A、B、C三類
(1)申請人資格(2)申請所需相關文件(3)核可後管理 將依製程安全性等級區分。 所有製程申請者均需繳交 『製程資料保密同意書』 『在職證明』聲明 『被授權人員清冊』或『無複製製程資料』聲明 『銷毀製程資料』聲明 所有申請人應於每年三月及十月自造『製程資料管理報表』提供CIC存查。否則停止其相關服務 無製程使用權者不能申請晶片製作 申請人有義務配合中心不定時派員至申請人存放製程資料處進行了解與關切使用的情形及其管理 CIC送CI Letter (列有申請人姓名、服務單位及地址)至TSMC核准，始能啟動下載權限，所需時間約二週。固定於每月月初送上個月的申請名單。

9 95年度製程安全性等級說明 安全性等級 A B C 定義 製程資料不對外開放，以Security Lab方式管制
製程資料對外開放，嚴格要求申請者對資安控管，並主動做相關查核。 製程資料對外開放，申請資料記錄備查，並於必要時進行相關查核。 製程分類 無 0.13um MM/RF CMOS 0.13um MM/LO CMOS TSMC 0.18um 製程 0.35um MM CMOS 0.35um SiGe BiCMOS UMC 0.18um 製程 PHEMT CMOS MEMS 申請人資格 暫不開放 1. 大專院校的教授(含副教授及助理教授) 2. 教授參與國科會計畫或SOC國家型計畫 3. 教授曾使用0.18um製程產出相關成果(僅 0.13um製程) 大專院校的老師(講師以上) 被授權人員 1. 人數最多10人，如超10人，需說明原因。 2. 使用0.13um 製程資料，被授權人員需先參與”製程資料控管說明會” 暫無規範人數

10 95年度製程資料申請相關文件/管理列表 安全性等級 B C 製程(簡稱) T13L T13RF T18 U18 SiG35
D35 (含MEMS35) PHEMT 申 請 前 準 備 製程資料保密同意書 下載列印 範例說明 V 在職證明聲明 被授權人員清冊(註一)* 申請者留存備查 無複製製程資料聲明 (註一)* 銷毀製程資料聲明 PDK存放單 -- TSMC 0.13 研究及管理計畫 參與製程資料控管說明會 (註二)** 核可後管理 製程資料管理報表 (每年3、10月繳交CIC) 下載 被授權人員清冊 如有異動時繳交 如有異動時，申請者需變更清冊，留存備查 註一：”被授權人員清冊”與”無複製製程資料聲明”請擇一繳交。如申請者如無授權製程資料給其他人員使用，僅需繳交”無複製製程資料聲明”。 註二：”製程資料控管說明會”定期舉辦，舉辦時間請注意CIC網頁公告，或與簡珮君小姐 ext.205詢問。

11 TSMC 0.13研究及管理計畫—注意項目 務必勾選欲申請的製程，請依研究計畫內容所需使用之製程勾選
務必詳細說明使用 TSMC 0.13製程執行研究計畫的必要性，說明越清楚，越可避免TSMC疑義。

12 95年度製程資料申請流程 上網勾選欲申請製程，並下載相關文件 具資格之申請者 依申請製程，備妥相關需繳交文件，送交CIC 要求申請者補件
(最晚每月20日前需送達CIC，以CIC確實收件為準) 要求申請者補件 (每月30日前補齊，否則排入下月申請) No CIC審核 (每月25日前) Yes If need Yes 隔月2日 送授權廠商審核 (CI-letter) No 每月30日 Yes 開啟製程資料下載權限

13 95年度製程資料申請流程 填寫IP

14 95年度製程資料申請流程(續) 製程申請所需之文件列表(含範例)

15 製程資料申請鎖定IP 顯示IP

16 製程資料申請鎖定IP(續) IP不一致無法下載技術文件/資料

17 製程資料申請鎖定IP(續) 可重新更新IP

18 製程資料申請鎖定IP(續) IP一致才可下載技術文件/資料

19 製程資料控管說明會 目的： 舉辦時間/地點： 注意事項： 1. 宣導製程資料保密觀念與相關權責。
2. 說明CIC對各製程資料採取之控管措施。 舉辦時間/地點： 1. 定期於每T13製程梯次之前瞻性截止日前2個月舉辦 2. 確切舉辦時間地點將公告於CIC最新消息，並mail學術界老師/學生 注意事項： 1. 各類製程之申請者(含被授權人員)，均需瞭解製程資料之保密/控管方式與相關權責。 2.製程資料保密之相關權責於”製程資料保密同意書”，”製程資料申請須知與說明”有明確說明。 3. 欲使用T13製程(T13RF, T13L)資料之被授權人員需參與製程資料控管說明會，否則無法被授權，亦無法申請各類晶片製作(下線申請)。 4. T13製程之被授權人員，每年(合約有效期內)至少參與一次 5. 說明會附簽到表，日後於網頁公告當日參與名單(講義投影片亦可於網頁下載)。

20 94年製程資料控管說明會 日期 時間 地點 備註 2005/10/28(五) 10：00-11：00 [新竹]CIC新竹辦公室 已舉辦
2005/11/18(五) [台北]台灣大學電機館(二館) 2005/12/10(六) [新竹/台南] CIC新竹辦公室 CIC南區辦公室 2006/22/16(四)

21 製程資料控管說明 製程資料定義：CIC提供之各類製程相關之文件紙本及電子檔資料。
申請者應妥善保管製程資料，如有專用文件櫃、檔案夾、電腦配備等放置製程資料。 申請者負有監督其被授權人員使用製程資料之保密責任。並應自造「被授權人員清冊」提供CIC留存/備查。 申請者除提供被授權人員製程資料所需外，不得任何形式複製、散佈製程資料 被授權人員不得以任何形式複製、散佈製程資料，亦不得再授權任何人使用製程資料。 申請者(含其被授權人員)不得將相關資料私自提出申請專利權，著作權或其他智慧財產權之註冊登記，不得將相關資料使用於教學研究或製作雛型IC以外之任何其他用途。 妨礙營業秘密

22 製程資料控管說明 申請者應於每年三月及十月自造「製程資料管理報表」提供CIC存查。如拒絕繳送「製程資料管理報表」，CIC得立即停止提供該申請者(含其被授權人員)所有相關服務。 申請者 離開現職或計畫結束或有效期限終止(擇一時間先到者)，申請者與其被授權人員同時喪失製程資料使用權，並持續三年盡保密義務。 CIC得不定時至申請者存放CIC授權製程資料處進行了解與關切使用的情形及其管理，申請者有義務配合CIC控管製程資料。 申請者(含其被授權人員)如違反申請者簽署之製程資料保密同意書內任一條款，CIC得立即停止申請者(含其被授權人員)使用製程及其相關服務，並函送申請者之服務單位依洩密罰則處理。 如因違反申請者簽署之製程資料保密同意書條款所發生爭議，申請者與CIC雙方將依製程資料保密同意書內規範，以台灣新竹地方法院為第一審管轄法院 妨礙營業秘密

23 製程資料管理報表 凡已申請95年度製程資料且通過TSMC核可的申請者，請於3/17(五)前繳交“核可後管理”之相關表格。
表格及說明請見網址： 註：申請人應於每年三月及十月自造「管理報表」提供中心存查。如申請人拒絕繳送「製程資料管理報表」，中心得立即停止其相關服務。

24 製程資料控管注意事項 95年起，製程申請、各類製程之技術文件/資料下載將鎖定申請者IP，IP不一致無法下載相關資料。
僅限”產研界”、”學術界-老師”兩種身份類別，可點選”製程申請”與下載者各類製程之技術文件/資料。 CIC不接受申請者授權其他人員下載各類製程之技術文件/資料。 CIC對申請者下載各類製程之技術文件/資料均會記錄，並配合查核程式，控管是否有密集、異常下載情況。如有疑義將主動通知申請者。 申請者應於每年三月及十月自造「製程資料管理報表」提供CIC存查。B類製程需繳交 C類製程需自造留存備查(無須繳交) B類製程於申請時，需附上PDK存放單，說明PDK將存放於何處。

25 製程服務注意事項 原”晶片製作申請注意事項”改為”製程服務注意事項”
製程服務注意事 包含”製程申請”、”晶片製作”(下線申請)和其他相關注意事項。主要提供相關訊息供使用者參考。 ”製程服務注意事項”投影片將於各製程每梯次(前瞻性)截止日前一週更新，並公告於CIC網頁最新消息、加入E-news並mail給學術界老師/學生，提供相關注意事項參考。 ”製程服務注意事項”投影片可於下列網址下載

26 95年製程服務聯絡窗口 製程申請 業務承辦人：簡珮君小姐，分機205, 郵寄「製程資料保密同意書」收件地址/收件小組： 新竹市科學園區展業一路26號7F 晶片中心/晶片組製程申請收 晶片製作申請 業務/技術諮詢窗口，請見下頁表格 郵寄晶片製作申請資料：收件地址：新竹市科學園區展業一路26號7F， 教育性/測試元件/前瞻性→收件：學校晶片申請， 自費(產研/學術) →收件：自費晶片 儀器設備使用 儀器設備使用申請或技術諮詢 竹科：張恆茹小姐，分機，192, 南區辦公室：鄭順安先生，電話： *109， 繳交測試報告 竹科：張恆茹小姐（03) Testkey：各製程負責人， 例如：UMC 0.18 負責人 陳益誠先生，TSMC 0.35 (2P4M) 使用Cell-Based Flow 負責人許志賢先生。Testkey部分尚須繳交完整量測數據與元件等效模型。

27 晶片製作申請相關業務承辦人 製 程 名 稱 技術方面 申請方面
製 程 名 稱 技術方面 申請方面 1. UMC 0.18 UM 1P6M MMC/RFCMOS 1.8V/3.3V 陳益誠先生，分機201, 使用Cell-Based Flow： * 教育性-測試元件-前瞻性： 張惠禎小姐，分機174, *產研界/學校自費： 簡珮君小姐，分機205, 2. TSMC 0.18 UM CMOS Mixed Signal RF General Purpose Standard Process FSG Al 1P6M 1.8&3.3V 簡廷旭先生，分機202, 3. TSMC 0.35 UM Mixed-Signal 2P4M Polycide 3.3/5V 鄧宗維先生，分機229, 使用MEMS： 4. TSMC 0.35 UM BICMOS Mixed Signal SiGe General Purpose Standard Process USG Al 3P3M 3.3V * 測試元件-前瞻性： 陳怡華小姐，分機131, * 產研界/學校自費： 5. TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal MS General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&3.3V 6. TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal RF General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&2.5V 7. WIN 0.15um PHEMT 郵寄晶片製作申請資料： 收件地址：新竹市科學園區展業一路26號7F，學校→收件人：簡珮君，產研界/學校自費→收件人：簡珮君

28 Q & A

29 參考文件 CIC網頁 製程資料保密同意書(95年度) 製程資料申請須知與說明(95年度) 晶片製作時程表(95年度)
製程資料保密同意書(95年度) 製程資料申請須知與說明(95年度) 晶片製作時程表(95年度) 製程服務注意事項 投影片