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不同退火溫度對矽鍺磊晶薄膜之影響研究 陳炳茂1,2
不同退火溫度對矽鍺磊晶薄膜之影響研究 陳炳茂1,2* 黃凱懋2 蕭至宏3 張守進3 l ：明新科技大學光電系統工程系 2 ：明新科技大學電子工程研究所 3 ：國立成功大學微電子工程所 指導教授：張慎周 學號：G990J013 姓名：張至安
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大綱 題目分析 摘要分析 前言分析 材料與方法分析 結果分析 討論分析 致謝 參考文獻
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題目分析 題目：不同退火溫度對矽鍺磊晶薄膜之影響研究 題目的長度適中，不會贅字連連，或無法表達題意。
有明確的題目，不管是摘要、前言、或實驗方法等，都有依賴題目的正確性，並沒有偏離題目。 題目沒有用縮寫或專業術語帶過
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摘要分析 前言 材料與方法 結果與討論 1.他完全有符合摘要所要求的，把IMRAD重新整理成簡要的概述。 2.字數為245個字。
本研究利用超高真空化學氣相沈積法（UHV-CVD）成長矽鍺磊晶薄膜層於六吋矽基板（100) 上，其後利用常壓退火爐管於充滿氮氣條件下，在不同退火（Annealing）溫度從200℃提升至800℃之環境進行退火改質，探討在不同退火溫度下之矽鍺磊晶薄膜品質與差異特性。使用穿遂式電子顯微鏡、X光繞射儀、拉曼光譜儀與白光干涉儀分析矽鍺磊晶薄膜受不同溫度退火影響之情形，可由結果得知退火溫度控制的重要性，退火溫度約400℃ 左右矽鍺磊晶薄膜擁有較好的薄膜品質，過高的退火溫度反而使得矽鍺薄膜品質變差，針對矽鍺薄膜之研究結果未來將有助於提升元件效能。 關鍵詞：矽鍺磊晶薄膜、退火改質、穿遂式電子顯微鏡、 X 光繞射儀、拉曼光譜 材料與方法 結果與討論
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前言分析 文章有清楚呈現問題，如：近年來，矽鍺（ ）磊晶薄膜是相當重要的技術[1-3]…因傳統磊晶技術之製程溫度過高，易引發矽鍺薄膜產生形變… 文章有回顧相關文獻，並有在末端指出，如：直到1980年IBM的Meyerson成功發展超高真空化學氣相沉積…
![前言分析 文章有清楚呈現問題，如：近年來，矽鍺（ ）磊晶薄膜是相當重要的技術[1-3]…因傳統磊晶技術之製程溫度過高，易引發矽鍺薄膜產生形變… 文章有回顧相關文獻，並有在末端指出，如：直到1980年IBM的Meyerson成功發展超高真空化學氣相沉積…](http://slidesplayer.com/slide/16487979/96/images/5/%E5%89%8D%E8%A8%80%E5%88%86%E6%9E%90+%E6%96%87%E7%AB%A0%E6%9C%89%E6%B8%85%E6%A5%9A%E5%91%88%E7%8F%BE%E5%95%8F%E9%A1%8C%EF%BC%8C%E5%A6%82%EF%BC%9A%E8%BF%91%E5%B9%B4%E4%BE%86%EF%BC%8C%E7%9F%BD%E9%8D%BA%EF%BC%88+%EF%BC%89%E7%A3%8A%E6%99%B6%E8%96%84%E8%86%9C%E6%98%AF%E7%9B%B8%E7%95%B6%E9%87%8D%E8%A6%81%E7%9A%84%E6%8A%80%E8%A1%93%5B1-3%5D%E2%80%A6%E5%9B%A0%E5%82%B3%E7%B5%B1%E7%A3%8A%E6%99%B6%E6%8A%80%E8%A1%93%E4%B9%8B%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E6%BA%AB%E5%BA%A6%E9%81%8E%E9%AB%98%EF%BC%8C%E6%98%93%E5%BC%95%E7%99%BC%E7%9F%BD%E9%8D%BA%E8%96%84%E8%86%9C%E7%94%A2%E7%94%9F%E5%BD%A2%E8%AE%8A%E2%80%A6+%E6%96%87%E7%AB%A0%E6%9C%89%E5%9B%9E%E9%A1%A7%E7%9B%B8%E9%97%9C%E6%96%87%E7%8D%BB%EF%BC%8C%E4%B8%A6%E6%9C%89%E5%9C%A8%E6%9C%AB%E7%AB%AF%E6%8C%87%E5%87%BA%EF%BC%8C%E5%A6%82%EF%BC%9A%E7%9B%B4%E5%88%B01980%E5%B9%B4IBM%E7%9A%84Meyerson%E6%88%90%E5%8A%9F%E7%99%BC%E5%B1%95%E8%B6%85%E9%AB%98%E7%9C%9F%E7%A9%BA%E5%8C%96%E5%AD%B8%E6%B0%A3%E7%9B%B8%E6%B2%89%E7%A9%8D%E2%80%A6.jpg "前言分析 文章有清楚呈現問題，如：近年來，矽鍺（ ）磊晶薄膜是相當重要的技術[1-3]…因傳統磊晶技術之製程溫度過高，易引發矽鍺薄膜產生形變… 文章有回顧相關文獻，並有在末端指出，如：直到1980年IBM的Meyerson成功發展超高真空化學氣相沉積…")
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前言分析(續) 敘述研究方法，並有說明方法的理由，如：提高矽鍺薄膜品質的方法為增加多層矽或鍺薄膜當作緩衝層（Buffer layer) ，以降低晶格錯位（Dislocation）的產生，亦有利用溫度退火方式改善薄膜特性[9-11]。 前言中的縮寫，都有用中文和英文交代清楚，如：分子束磊晶（Molecular Beam Epitoxy, MBE）、超高真空化學氣相沉積 (Ultra High Vacuum Chemical Vapour Deposition, UHV-CVD）
![前言分析(續) 敘述研究方法，並有說明方法的理由，如：提高矽鍺薄膜品質的方法為增加多層矽或鍺薄膜當作緩衝層（Buffer layer) ，以降低晶格錯位（Dislocation）的產生，亦有利用溫度退火方式改善薄膜特性[9-11]。](http://slidesplayer.com/slide/16487979/96/images/6/%E5%89%8D%E8%A8%80%E5%88%86%E6%9E%90%28%E7%BA%8C%29+%E6%95%98%E8%BF%B0%E7%A0%94%E7%A9%B6%E6%96%B9%E6%B3%95%EF%BC%8C%E4%B8%A6%E6%9C%89%E8%AA%AA%E6%98%8E%E6%96%B9%E6%B3%95%E7%9A%84%E7%90%86%E7%94%B1%EF%BC%8C%E5%A6%82%EF%BC%9A%E6%8F%90%E9%AB%98%E7%9F%BD%E9%8D%BA%E8%96%84%E8%86%9C%E5%93%81%E8%B3%AA%E7%9A%84%E6%96%B9%E6%B3%95%E7%82%BA%E5%A2%9E%E5%8A%A0%E5%A4%9A%E5%B1%A4%E7%9F%BD%E6%88%96%E9%8D%BA%E8%96%84%E8%86%9C%E7%95%B6%E4%BD%9C%E7%B7%A9%E8%A1%9D%E5%B1%A4%EF%BC%88Buffer+layer%29+%EF%BC%8C%E4%BB%A5%E9%99%8D%E4%BD%8E%E6%99%B6%E6%A0%BC%E9%8C%AF%E4%BD%8D%EF%BC%88Dislocation%EF%BC%89%E7%9A%84%E7%94%A2%E7%94%9F%EF%BC%8C%E4%BA%A6%E6%9C%89%E5%88%A9%E7%94%A8%E6%BA%AB%E5%BA%A6%E9%80%80%E7%81%AB%E6%96%B9%E5%BC%8F%E6%94%B9%E5%96%84%E8%96%84%E8%86%9C%E7%89%B9%E6%80%A7%5B9-11%5D%E3%80%82.jpg "前言中的縮寫，都有用中文和英文交代清楚，如：分子束磊晶（Molecular Beam Epitoxy, MBE）、超高真空化學氣相沉積 (Ultra High Vacuum Chemical Vapour Deposition, UHV-CVD）")
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材料與方法分析 在陳述實驗設計，並提供足夠細節方便研究人員能夠重複實驗 文章先以文字敘述實驗的架構，並且有依先後順序來敘述，如：
首先使用標準清洗流程 再利用超高真空化學氣相沈積系統於製程環境 矽與鍺薄膜組成比例 利用常壓退火爐管在通以氮氣（N2）的條件下加以退火 退火溫度 退火時間 穿透式電子顯微鏡、X光繞射儀、拉曼光譜儀與白光干涉儀分析
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材料與方法分析(續) 文章除了文字敘述實驗的架構，同時也有以方塊圖來呈現實驗架構，如：
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結果分析 在文章中有將實驗大致的描述，如：首先利用穿透式電子顯微鏡觀察試片…矽鍺磊晶薄膜之表面可利用白光干涉儀分析…拉曼散射量測試利用512nm的綠光雷射當作光激發源…等 在文章中有呈現代表數據，如：由結果可發現在521.2cm-1…這是屬於Si-Si mode…而在409cm-1和298.3cm-1…它們分別是Si-Ge mode以及Ge-Ge mode…等
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結果分析(續) 文章中有以圖來呈現，如
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討論分析 有表達出結果所呈現出的原理關係，如：由布拉格公式：nλ=2dsinθ，…可以解釋矽鍺材料波長為固定不變常數…
有為每項結論歸納證據，如:當退火溫度提高至800℃時，表面粗糙度可有效降至0.369nm。若以X光繞射分析其特性，…拉曼散射光譜量測出分別為…等 文章中並沒有定義出未解決的問題
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致謝 本研究承蒙國家奈米元件實驗室提供相關製程儀器與檢測設備(NDL計劃編號NDL97-C05M2G-065)及明新科技大學校內研究計劃(MUST-98 光電-6)之經費補助，僅此致謝。 文章中是以感謝提供相關製程與檢測的單位，以及學校的經費補助
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參考文獻 [1] Vernon-Parry, K. D., Evans-Freeman, J. H., Dawson, P. (2008). Materials Science and Engineering B, 146, 231. [2] Yuan-Ming Chang, Ching-Liang Dai, Tsung-Chieh Cheng, Che-Wei Hsu. (2008). Applied Surface Science, 254, 3105. [3] Ishiyama, T., Yoneyama, S., Yamashita, Y., Kamiura, Y., Date, T., Hasegawa, T., Inoue, K., Okuno, K. (2006). Physica B, 376–377, [4] Cressler, J. D. (1995). IEEE Spectrum Mag, 32, 49. [5] Lueck, M. R., Andre, C. L., Pitera, A. J., Lee, M. L., Fitzgerald, E. A., Ringel, S. A. (2006). IEEE Electron Device Letters, 27(3). [6] Meyerson, B. S. (1986). Appl. Phys. Lett, 48, 797. [7] Hock, G., Kohn, E., Rosenblad, C., Kanel, H. con, Herzog, H.-J., Konig, U. (2000). AIP, 76, 26. [8] Mii, Y. J., Xie, Y. H., Fitzgerald, E. A., Monroe, D., Theil, F. A., Weir, B. E., Feldman, L. C. (1991). Appl. Phys. Lett, 59, 1611. [9] Lee, S.W., Chen, H.C., Chen, L.J., Peng, Y.H., Kuan, C.H., Cheng, H.H. (2002). J. Appl. Phys, 92, 6880. [10] Sheng, S.R., Dion, M., Rowell, N.L., Vac, J. (2002). Sci. Technol, A 20, 1120. [11] Watakabe, H., Sameshima, T., Kanno, H., Sadoh, T., Miyao, M. (2004). J. Appl. Phys, 95, 6457.
![參考文獻 [1] Vernon-Parry, K. D., Evans-Freeman, J. H., Dawson, P. (2008). Materials Science and Engineering B, 146,](http://slidesplayer.com/slide/16487979/96/images/13/%E5%8F%83%E8%80%83%E6%96%87%E7%8D%BB+%5B1%5D+Vernon-Parry%2C+K.+D.%2C+Evans-Freeman%2C+J.+H.%2C+Dawson%2C+P.+%282008%29.+Materials+Science+and+Engineering+B%2C+146%2C.jpg "231. [2] Yuan-Ming Chang, Ching-Liang Dai, Tsung-Chieh Cheng, Che-Wei Hsu. (2008). Applied Surface Science, 254, [3] Ishiyama, T., Yoneyama, S., Yamashita, Y., Kamiura, Y., Date, T., Hasegawa, T., Inoue, K., Okuno, K. (2006). Physica B, 376–377, [4] Cressler, J. D. (1995). IEEE Spectrum Mag, 32, 49. [5] Lueck, M. R., Andre, C. L., Pitera, A. J., Lee, M. L., Fitzgerald, E. A., Ringel, S. A. (2006). IEEE Electron. Device Letters, 27(3). [6] Meyerson, B. S. (1986). Appl. Phys. Lett, 48, 797. [7] Hock, G., Kohn, E., Rosenblad, C., Kanel, H. con, Herzog, H.-J., Konig, U. (2000). AIP, 76, 26. [8] Mii, Y. J., Xie, Y. H., Fitzgerald, E. A., Monroe, D., Theil, F. A., Weir, B. E., Feldman, L. C. (1991). Appl. Phys. Lett, 59, [9] Lee, S.W., Chen, H.C., Chen, L.J., Peng, Y.H., Kuan, C.H., Cheng, H.H. (2002). J. Appl. Phys, 92, [10] Sheng, S.R., Dion, M., Rowell, N.L., Vac, J. (2002). Sci. Technol, A 20, [11] Watakabe, H., Sameshima, T., Kanno, H., Sadoh, T., Miyao, M. (2004). J. Appl. Phys, 95,")
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報告結束 謝謝指教
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