第12章 化学汽相沉积（ CVD） 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通过气相物质的化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的一种工艺方法。 CVD的基本步骤与PVD不同的是：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 CVD的实现必须提供气化反应物，这些物质在室温下可以是气态、液态或固态，通过加热等方式使它们气化后导入反应室。

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1 第12章 化学汽相沉积（ CVD） 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通过气相物质的化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的一种工艺方法。 CVD的基本步骤与PVD不同的是：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 CVD的实现必须提供气化反应物，这些物质在室温下可以是气态、液态或固态，通过加热等方式使它们气化后导入反应室。

2 Examples of CVD Metals/Conductors - W, Al, Cu, doped poly-Si
Insulators (dielectrics) - BPSG, Si3N4, SiO2 Semiconductors - Si, Ge, InP, GaAsP Silicides - TiSi2, WSi2 Barriers – TiN, TaN

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4 常用基本反应: 热分解反应: SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化反应: SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 碳化反应: TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g)

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6 Chemical Vapor Deposition

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8 Generic CVD Steps Five steps occur during all CVD processes:
Reactants pumped through reactor. Reactants diffuse across boundary layer to surface. Reactants adsorb on surface (adatoms). Surface reactions; pos. formation of islands or clusters. Pos. surface diffusion of adatoms. Diffusion of by-products away from surface.

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13 CMOS工艺

14 APCVD反应器的结构示意图

15 LPCVD反应器的结构示意图

16 平行板型PECVD反应器的结构示意图