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標準製程 垂直爐管
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Tube1_Dry Oxide Description： Dry Oxide是以APCVD的方式成長，通入純氧跟矽基板反應形成SiO2，薄膜成長速度慢，適合用於成長較薄的氧化層。 反應氣體： 反應溫度： ℃ Application： Gate Oxide、犧牲氧化層、Pad Oxide。
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Tube1_Wet Oxide Description： Wet Oxide是以APCVD的方式成長，用氫氧點火的方式產生水氣，水氣再跟矽基板反應形成SiO2，適合用於成長較厚的氧化層。 反應氣體： 反應溫度： ℃ Application： 適合用於 MOSFETs 的場氧化層(Field Oxide)製程。 2O2 + H2 2H2O Si + H2O SiO2 + 2H2
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T2_N+ Poly-Si Description： N+ Poly-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 摻雜PH3，經回火後，阻值降低。 反應氣體：SiH4、PH3 沈積溫度：550 ℃ 沈積壓力：600 mtorr Application： 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。
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Tube2_Poly-Si Description： Poly-Si是以水平爐管LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。 反應氣體： 沈積溫度：623 ℃ 沈積壓力：200 mtorr Application： 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 Si + 2H2
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Tube2_α-Si Description： α-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此α-Si並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。 反應氣體： 沈積溫度：550 ℃ 沈積壓力：200 mtorr Application： 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 Si + 2H2
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