PowerPoint 电子科技大学 半导体器件的图测方法.

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1 PowerPoint 电子科技大学 半导体器件的图测方法

2 半导体器件的图测方法

3 内 容 目的 1 实验原理 2 实验内容 3 下次课预习要求 4

4 半导体器件的图测方法 一、实验目的 1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。
1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 3. 掌握二端元器件电压电流关系的图测方法。 4. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 5. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。

5 半导体器件的图测方法 预习检查： 1、二极管、三极管的伏安特性曲线有什么特点？ 2、二极管、三极管的主要性能参数有哪些？
3、如何测量半导体器件的伏安特性曲线？

6 二、实验原理 1、线性电阻元件的VCR特性 i 过原点的一条直线: o u

7 二、实验原理 2、二极管的伏安特性曲线 i u o 反向特性: 正向特性: 反向击穿特性

8 二、实验原理 3、三极管的伏安特性曲线 共射输入特性曲线： iB uBE 以输出口电压uCE为参变量，反映iB和uBE的函数关系。 o
UCE=10V UCE=1V 以输出口电压uCE为参变量，反映iB和uBE的函数关系。

9 二、实验原理 2、三极管的伏安特性曲线 共射输出特性曲线: iC uCE 以输入口电压iB 为参变量，反映iC和uCE 的函数关系。 o 放
大 区 以输入口电压iB 为参变量，反映iC和uCE 的函数关系。

10 三、图示仪基本原理 如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 点测法： i u o 点测法又称静态测试法

11 三、图示仪基本原理 如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 图示法（又称动态法）： 用集电极扫描电压代替可调直流电源Ec，再配合显示处理系统。

12 三、图示仪基本原理 如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 图示法（又称动态法）： 三极管输出特性的动态测量 原理框图 阶梯信号部分

13 三、图示仪基本原理 Y轴作用部分 X轴作用部分 原理框图 测试台部分 阶梯信号部分 集电极电源部分

14 三、图示仪基本原理 图示仪面板 X轴作用部分 Y轴作用部分 阶梯信号部分 测试台部分 集电极电源部分

15 四、实验内容 1. 测量线性电阻的伏安特性 任选一线性电阻，调节图示仪有关控制旋钮，观察并定量画出其伏安特性曲线，并测试其电阻值。
2. 测量给定稳压二极管的正向特性和反向特性。 （1）正向导通电压、反向稳定电压UZ、反向电流IR。 （2）根据测试数据，在同一座标上绘出二极管正反向特性曲线。

16 四、实验内容 3．测量三极管的输出特性 （1）调节图示仪有关控制旋钮，观察并定量画出给定三极管的输出特性曲线。
（2）测量该三极管的反向击穿电压 UBR(CEO)。 （3）测量该三极管的交、直流β。

17 四、实验内容 4．测量三极管的输入特性 （1）调节图示仪有关控制旋钮，观察并定量画出给定三极管的输入特性曲线。
（2）测量IB在线性变化区时的输入电阻。

18 五、思考题 1．分析测试中造成损坏二极管和三极管的主要原因是什么？ 2．测量三极管UBR（CEO）电压时的注意事项？
3．测量场效应管特性与晶体三极管有何异同？

19 六、下次课预习要求 1、IC=1.5mA～2mA 2、输入电阻： 3、输出电阻： 4、增益：
按照下列指标要求设计单级共射放大器并完成电路的搭建。 1、IC=1.5mA～2mA 2、输入电阻： 3、输出电阻： 4、增益： 现有电阻参考值——100Ω、200Ω、1kΩ、2kΩ、5kΩ、10kΩ、18kΩ、30kΩ、100kΩ等 ，尽量以现有电阻完成电路的设计。

20 Thank You ! UESTC