实验4.1 电路元件伏安特性的研究 …………………………P101

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1 实验4.1 电路元件伏安特性的研究 …………………………P101
国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 实验4.1 电路元件伏安特性的研究 …………………………P101 实验4.2 半导体器件的图测方法 …………………………P105

2 实验目的： 学习测量电路元件VCR特性的逐点测试方法； 学习半导体管特性图测方法的基本原理； 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法 ；
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3 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 线性电阻元件的VCR特性： I 过原点的一条直线: U 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心

4 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 半导体二极管的VCR特性： 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础 I 反向特性: 正向特性:
U 反向击穿特性 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心

5 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 如何获得VCR特性曲线? ———— 描点 I U 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心

6 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 电阻元件的VCR特性测试电路： + 实验内容1-（1） 二极管的VCR特性测试: 正向测试？ +
稳压电源 mA + 实验内容1-（1） V R － 二极管的VCR特性测试: 稳压电源 mA mA 正向测试？ + V D 反向测试？ 内容1-（2、3） － 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础

7 BJT的共射输出特性曲线的逐点测试方法 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础
测试过程： 每固定一个iB值，改变Ec使uCE从零逐步变化到某一定值，测出一组uCE—iC的值，描绘出一条iB为一固定值的iC =f（uCE）的曲线；再改变一个iB值，重复上述过程，可得到另一条曲线。以此类推，便可得到不同iB时对应的一组共发射极晶体管的输出特性曲线。 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础

8 半导体管特性的图测法 半导体管特性图示仪： 是一种利用电子扫描原理，在示波管的荧光屏上直接显示半导体管特性曲线的仪器。
为了进行所谓动态测量，可用集电极扫描电压代替可调直流电源EC，用一个阶梯波电压发生器代替提供基极电流的可调直流电源Eb，得到如下图所示的动态测量系统。 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础

9 动态测量系统： 用集电极扫描电压代替可调直流电源EC，用一个阶梯波电压发生器代替提供基极电流的可调直流电源Eb。 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心

10 半导体管特性的图测法 图示仪原理框图： 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础

11 图示仪面板主要有: Y轴作用部分 X轴作用部分 测试台部分 集电极扫描信号部分 阶梯信号部分 电子科大国家级实验教学示范中心
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12 Y轴作用部分 X轴作用部分 集电极扫描信号部分 阶梯信号部分 测试台部分 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心

13 实验内容 按照电路图接好电阻元件和仪器，逐一进行点测，并填写在 下表： 510Ω 1. 电路元件的VCR特性的逐点测试
稳压电源 mA + － V R － 510Ω U(v) 2 4 6 8 10 I(mA) 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心

14 实验内容 （2） 二极管的正向特性测试 + 2CW51 U(v) 0.2 0.4 0.6 0.7 0.8 I(mA) 电子技术实验基础
稳压电源 mA + V D － 2CW51 U(v) 0.2 0.4 0.6 0.7 0.8 I(mA) 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心

15 实验内容 I(mA) （3）二极管的反向特性测试 + 实验箱 2CW51 10 20 30 40 50 80 U(v) 电子技术实验基础
现代电子技术实验 实验内容 （3）二极管的反向特性测试 选择二极管2CW51 ，按照下图的测试电路完成反向特性测 试。将测试数据填入表中。 稳压电源 mA + 实验箱 V D － 2CW51 I(mA) 10 20 30 40 50 80 U(v) 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心

16 实验内容 2. 半导体管特性的图测法 （1）测量线性电阻的VCR特性
现代电子技术实验 实验内容 2. 半导体管特性的图测法 （1）测量线性电阻的VCR特性 选择一个线性电阻插入插座中，在电阻两端逐渐增加电压至5V，观察波形。根据波形，绘出该电阻的特性曲线。 注：测试时功耗电阻置于1k （2）测量稳压二极管的正向特性和反向特性 在同一座标上绘出二极管正反向特性曲线。并测试出以下参数： （a）正向导通（门槛）电压。 （b）反向稳定电压Vz（IR=5mA时）。 （c）反向电流IR（VR =5V时）。 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心

17 实验内容 （3） 测量晶体管的输出特性 VCE =5V 电子技术实验基础 （a）调节图示仪有关控制件，测绘输出特性曲线。
（b）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。 （c）设VCE =5V，适当选择和记录IBQ，测量 、 。 iC △IC IC VCE =5V 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心

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19 第3次课： 下次预习: 实验3.1 常用电子仪器的使用(P70) 示波器、函数发生器（信号源）、晶体管毫伏表的使用。
体会实验内容所对应的目的及要求。 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心