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第三章 基本放大电路及其分析方法 第七节 场效应管(FET)及其放大电路 一、结型场效应管 二、绝缘栅场效应管
第三章 基本放大电路及其分析方法 第七节 场效应管(FET)及其放大电路 一、结型场效应管 二、绝缘栅场效应管 三、场效应管的主要参数与使用注意事项 四、各种场效应管特性的比较 五、场效应管放大电路 模拟电子技术基础
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第七节 场效应管(FET)及其放大电路 概述:
特点:场效应管具有输入电阻高(107~1013Ω以上)、噪声低、抗辐射能力强、热稳定性好、功耗小、体积小、制造简单、便于集成等优点,因而得到了迅速的发展,特别适于大规模集成电路。 分类:
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一、结型场效应管 1.结构和符号 也有三个电极:漏极D、栅极G和源极S。 因为是对称结构,所以漏极D和源极S可以对调使用。
图 结型场效应管 (a)内部结构 (b)符号 (c)实物图 也有三个电极:漏极D、栅极G和源极S。 因为是对称结构,所以漏极D和源极S可以对调使用。 符号中的箭头方向可以区分是N沟道还是P沟道。
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(a)UGS=0 (b)UGS<0 (c)沟道被夹断
一、结型场效应管 2.工作原理 以N沟道结型场效应管为例: 图 结型场效应管工作原理 (a)UGS=0 (b)UGS<0 (c)沟道被夹断 当输入电压UGS改变时,PN结的反向电压随之改变,两个PN结的耗尽层将改变,导致导电沟道的宽度改变,沟道的电阻大小随之改变,从而使电流ID发生改变。即,UGS起着控制沟道电阻、从而控制漏极电流ID大小的作用。
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一、结型场效应管 3.特性曲线—转移特性 图3-34 N沟道结型场效应管特性曲线 (a)转移特性 (b)输出特性
当UGS=0时,iD最大,称为饱和漏电流 IDSS ,随着uGS向负值方向逐渐变化,则管子沟道电阻加大,iD逐渐减小,当uGS到达夹断电压UP时,iD=0 ,管子截止。
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一、结型场效应管 3.特性曲线—输出特性 输出特性可分为三个区: ① 可变电阻区 ② 恒流区 ③ 夹断区
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二、绝缘栅场效应管 1.符号和分类 绝缘栅型场效应管,输入电阻可高达 1012以上。由于
它具有金属(M)—氧化物(O)—半导体(S)的结构, 故又称它为MOS管。 MOS管除漏、源、栅三个电极外,还有一个衬底极B,其上箭头指向内为N沟道,称为NMOS场效应管。箭头指向外为P沟道,称为PMOS场应效管。
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二、绝缘栅场效应管 1.符号和分类 增强型MOS管: 时不存在导电沟道,源极S至漏极D用虚线。 耗尽型MOS管:
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二、绝缘栅场效应管 2.结构和工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例,使用时,常将衬底极与源极相连。
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二、绝缘栅场效应管 2.结构和工作原理
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二、绝缘栅场效应管 3.特性曲线 (1) 转移特性曲线 (2) 输出特性曲线 图3-38 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线
耗尽型MOS场效应管与增强型MOS场效应管的工作原理相似。由于耗尽型MOS管在制造时已预置了导电沟道,故uGS取负值、正值和零均能正常工作。
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三、场效应管的主要参数与使用注意事项 1.场效应管的主要参数 (1)夹断电压 (2)开启电压 (3)饱和漏电流 (4)直流输入电阻
(5)漏极击穿电压 (6)最大耗散功率 (7)跨导
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三、场效应管的主要参数与使用注意事项 2.场效应管使用注意事项 (1)JFET的栅源电压必须反偏。但它的漏极与源极可互换使用。
(2)MOS管的输入电阻很高,应防止静电击穿。应用时不得让栅极“悬空”,贮存时应将场效应管的三个电极短路,焊接时电烙铁外壳应接地,或断开电烙铁电源利用其余热进行焊接,防止电烙铁的微小漏电损坏场效应管。 (3)MOS管中,有的产品将衬底引出(四脚)、用户可根据电路需要正确连接,此时源极和漏极可以互换使用。但有些产品出厂时,已将衬底与源极连在一起,此时源极和漏极不可以互换使用。
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四、各种场效应管特性的比较
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五、场效应管放大电路 1.场效应管放大电路的直流偏置 场效应管放大电路也有共源、共漏和共栅三 种基本组态。下面以共源极放大电路为例。
(1)自给栅偏压偏置 求静态工作点: 自偏压方式不能用于由增强型MOS管组成的放大电路。
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五、场效应管放大电路 1.场效应管放大电路的直流偏置 (2)分压式稳定偏置
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五、场效应管放大电路 1.场效应管放大电路的直流偏置 (2)分压式稳定偏置 求静态工作点: 可以解出:
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五、场效应管放大电路 2.共源场效应管放大电路动态分析 (1)场效应管的微变等效 (2)场效应管放大电路的微变等效
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五、场效应管放大电路 2.共源场效应管放大电路动态分析 (3)动态性能分析 ① 电压放大倍数 ② 输入电阻
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五、场效应管放大电路 2.共源场效应管放大电路动态分析 (3)动态性能分析 ③ 输出电阻
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