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单晶γ能谱仪 沈思淇
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实验目的 探究各实验参数对能谱图测量的影响 探究不同入射角度对能谱实验的影响 探究不同电压对能谱测量的影响
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不同高压对能谱的影响
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电压 半高宽 峰道址数 能量分辨率 675 700 725 750 775
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积分对能谱图的影响 固定微分为2，改变积分可得：
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微分对能谱图的影响 固定积分为2，改变微分可得：
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测量时间的影响 时间/s 半高宽 峰道址数 能量分辨率 60 57.22674 639.3146 0.089513 120 57.04544
180 240 300
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不同入射角度对能谱实验的影响 实验方法： 改变托盘与探测器中轴的角度，即使得γ射线以不同的角度进入探测器
实验条件： 高压为750V，放大倍数为6，使用Cs源 托盘与探测器高度为6.10cm，托盘中心到转轴距离为11.10cm
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不同入射角度对能谱实验的影响
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不同入射角度对能谱实验的影响 高度为6.10cm 高度为8.07cm 能量分辨率随着入射角的增大而变差
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电压对能谱测量的影响 实验条件： 使用137Cs源，放大倍数为6，微积分为1 高压电源为750V，统一测量时间为300s，
依次添加厚度为2.54g/cm2的铝片 改变电压为775V、725V、700V、675V并测量
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电压对能谱测量的影响 电压/V 吸收系数/cm2/g 675 0.0502 700 0.05247 725 0.05438 750
775
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电压对能谱测量的影响 结论： 说明至少当电压处在675V~775V时，对于该电压段所激发的对应能量γ射线，铝片对于射线吸收能力与电压成正比
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