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组会报告 王玲
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OUTLINE 温度对氧化物TFT的影响 近期工作进展 -栅介质中电荷的影响
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温度对氧化物TFT的影响 已有文献报道
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温度 SS，Ioff变大，Vth变小—trapped electron发射
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定性分析 ΔVth(Qfix) ns(vs) ΔVth Nempty NT Jn(PF) Φt Field S(x) location
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定性分析 Qfix由ns，界面附近的Nempty中的较小值决定
Nempty很充足(NT较大，JPF较大),ΔVth由ns决定, 饱和值ΔVths=Vgs Nempty较难充足：只有界面附近的trap才有效；俘获电子后，电场变小，trap与界面距离变远，即有效的Nempty变小，结果是： ΔVths<Vgs 启发：通过电荷的分布是否可以调节电场，进而调节Vth漂移
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数值仿真-栅介质固定电荷的影响 Stress Recovery 器件结构 不同应力阶段电场 不同NT，同一时间电场
同样ΔVth，不同电荷分布电场 界面电荷 Recovery 浮置和零偏的差异 电荷分布的影响 器件结构
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数值仿真 不同应力阶段电场变化(1e18,0,5,10,15nm)
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数值仿真 不同NT，同一时间电场（0,1e18，1e17，x1=5nm）
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数值仿真 同样ΔVth，不同电荷分布电场 X1=5nm,Nt=1e18;x1=10nm,Nt=5e17,x1=15nm,Nt=3.33e17
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数值仿真-recovery Vg浮置
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数值仿真-recovery Vg 0V/float
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