->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 半导体二极管及其基本特性 单纯的P型或N型半导体，仅仅是导电能力增强了，因此它还不是电子线路中所需要的半导体器件。若在一块本征半导体上，两边掺入不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成一层很薄的特殊导电层——PN结。 PN结是构成各种半导体器件的基础。 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

一、PN结及其特性 - - P N （一）PN结的形成 浓度差 多子扩散运动 空间电荷区 动态平衡 内电场 少子漂移运动 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 + - 空穴扩散方向 电子扩散方向 P N （一）PN结的形成 浓度差 多子扩散运动 空间电荷区 动态平衡 + - 空间电荷区 内电场 内电场 少子漂移运动

1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （一）PN结的形成 PN结的形成的动态演示

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （二）PN结的单向导电性 + - 内电场 外电场 P N 1、正向偏置 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （二）PN结的单向导电性 1、正向偏置 PN结正向偏置的动态演示 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （二）PN结的单向导电性 + - P N 内电场 外电场 2、反向偏置 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （二）PN结的单向导电性 2、反向偏置 PN结反向偏置的动态演示 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 一、PN结及其特性 （三）PN结的伏安特性 I I U ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

二极管是单个PN结构成的器件， 基本特性是单向导电。 二极管的种类 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 1.2半导体二极管及其基本特性 二极管是单个PN结构成的器件， 基本特性是单向导电。 二极管的种类 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 二、二极管的结构与符号 按制作工艺型 点触型 面结型 （a）结构示意图 平面型 P N 正极 负极 （b）电路符号 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

1.2半导体二极管及其基本特性 三、二极管的单向导电性 二极管单向导电示意图 P N P N （a）PN结反偏截止 （a）PN结正偏导通

四、二极管的伏安特性 （一 ）正向特性 1.2半导体二极管及其基本特性 I（mA） U（V） Is U（BR) 门限电压： 0.5V(硅) Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR) 门限电压： 　　0.5V(硅) 0.1V(锗) 导通压降： VD≈ 0.6~0.8V(硅) VD≈0.1V(锗)

四、二极管的伏安特性 （二 ）反向特性 1.2半导体二极管及其基本特性 I（mA） 反向饱和电流Is ≈ 0 nA量级 (硅) U（V） Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR)

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 四、二极管的伏安特性 （三 ）反向击穿特性 I（mA） U（V） Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR) 反向电压高到一定程度,反向电流急剧增大,而结电压几乎保持不变 击穿现象 击穿机理 雪崩击穿 齐纳击穿 击穿应用 稳压特性制作稳压二极管 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 五、二极管的电容效应 1．电容效应 二极管除了单向导电性外，还具有电容效应（PN结电容效应），即当其两端电压变化时，其存储的电荷也发生变化，出现充、放电现象。 按产生的原因不同分为势垒电容和扩散电容两种。 （1）势垒电容Cb （2）扩散电容Cd 结电容Cj为两者之和，即Cj= Cb + Cd 正偏时，Cb << Cd ，结电容Cj以Cd为主； 反偏时，Cb >> Cd ，Cj主要由Cd决定。 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 五、二极管的电容效应 2．变容二极管 利用二极管的电容效应，可将二极管做成——变容二极管， 符号如图 ●主要用作可变电容（受电压控制） ●必须工作在反偏状态 ●常用于高频电路中的电调谐电路。 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 六、二极管的光电效应 1．光敏特性：半导体具有光敏特性，光照越强，受激产生的 　　 电子—空穴对的数量越多。 2、光敏二极管：利用二极管的光敏特性，制成光敏二极管。 光敏二极管又称光电二极管，属于光电子器件。 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 1.2半导体二极管及其基本特性 七、二极管的温度特性 半导体还具有热敏特性 ●温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV； ●温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 二极管的反向特性受温度的影响较大 温度对二极管的影响是不可避免的，因为温度总是存在于器件中存在且经常变化的。 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs

->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs 本章节结束 ->>乳源高级中学通用技术<<- http://www.rygz.net/tyjs