SY5800—T8使用手册 By Silergy Corp.

在以下的章节中，以一个T8为例来说明此IC的使用细节及一些调节中的经验： Vin：85~264V Vout：36V Iout：330mA 输出所接LED灯数：10或11颗 原理图见下页图 SY5800

Circuit Diagram

ILED=320mA (SMD Component) Bom List ILED=320mA (SMD Component) Part Number Reference Part Name Description 1 DB1 DB107s / R2 5.1K/1206 3 R1,R4,R12 250K/1206 R17 30K/0805 R3 200K/0805 C4 NC C6 680nF/0805 R6 1K/0805 R11 470K/0805 R13 10/1206 2 C9,C10 10uF/1206/25V C5 4.7nF/630V/1206 R5 100K/1206 R10 10/0805

ILED=320mA (SMD Component) Bom List ILED=320mA (SMD Component) Part Number Reference Part Name Description 1 R14 10K/0805 / D2 FR107/SMA RS1M D1 SS1H10/SMA 2 R9,R8 1Ω/0805 R7 2 Ω/0805 Q1 4N60 TO251 C15 NC R15 Z1 R16 200K/1206 D3 MUR360S C11 U1 SY5800

ILED=320mA (Through Hole) Bom List ILED=320mA (Through Hole) Part Number Reference Part Name Description 1 F1 2A/250V / MOV1 NC CX1 0.1uF/250VAC L1 EE8.3 >10mH 2 C1,C2 0.1uF/400VDC CBB L2 φ6*8 >1.2mH CY1 102 JD102MY1 C7,C8 220uF/63V T1 ER2510 56:21:5 Lp=0.75mH

VIN脚使用注意 R VIN为IC供电脚。 当IC初始启动时需要原边高压侧供电，启动后为辅助绕组供电。 初始启动时，因为原边高压侧供电，故调整启动电阻R1、R4、R12的值，可以改变启动时间；如果在低压情况下启动不了，也可以减小启动电阻R1、R4、R12得以改善。 启动后辅助绕组供电建议设置辅助绕组为11V来供电。不宜太高，建议低于12V。 若采用11V，则辅助绕组匝数 Naux= Ns*11/(Vout+VDF)，VDF为输出二极管压降，Ns为副边匝数。 原边绕组RCD缓冲器的D2要选择快速恢复二极管，否则可能会造成开机会输出电流随时间下降。C5电容取个nF级的高压电容，R5电阻取个百K级电阻，如，4.7nF/630V,100K 可以在D2下面接个电阻R为减小尖峰。 R

COMP脚使用注意 COMP脚为补偿脚，此脚对地接法如下图所示： COMP脚对GND所接的补偿值的大小对IC工作较为重要。 1、例如：如果在80~130V输入电压范围内调整输入电压时，输出LED灯会发生闪烁， 这是由于动态调整慢的原因，此时调整COMP脚对地RC值即可，把R6调大(从1K调到2K)，C6调小(从680nF调到220nF)。 调整后就不会闪烁，但可能同时PFC值可能会降低，此时降低整流后的CBB电容C1，C2大小可在一定程度上提高PFC值。 2、在高压220VAC或者更高时，需要PF>0.9时，增大C6的容值1uF~2.2uF,即可。（如果SY5800实际测试的时候，PF值在0.8以下的，大都是变压器问题，改变这个电容是改善不了的） 3、PCB布板的时候，如果有空间足够的话，可以把C加上，大概在100pF~0.1uF。

计算出正常工作时ZCS脚的电压Vzcs， 1、ZCS脚的电压高于1.5V 700ns的时候，IC将开始过压保护。故要根据辅助绕组的匝数选择合适的R3和R17的比值。调整R3和R17的值不能使ZCS的电压太低，比如1V，否则可能会过压保护起不到作用，也不能使ZCS电压太高，比如1.45V，很容易使误保护。 以下准则来确定两分压电阻的比例： 首先确定好输出Vo/vp的值，根据 计算出正常工作时ZCS脚的电压Vzcs， Vaux为辅助绕组输出电压，为IC供电，即Vcc，我们一般设置为11V。 R3通常选用200K。 2、ZCS上的两个电阻值还有恒流精度有关。 当Vin增大，如果Iout会增大，则同时减小ZCS上的两分压电阻的值（比例不变） 当Vin增大，如果Iout减小时，则同时增大ZCS上的两分压电阻的值（比例不变） Vzcs

ISEN脚和DRV脚使用注意 ISEN脚为电流检测脚，此脚引线直接连接到原边MOS管的源级（不能串接电阻），输出电流Iout=0.05*n/Rsen，n为原副边匝比比值，Rsen为采样电阻阻值。原理图中Rsen为R7,8,9。该线要尽量粗且短。 DRV为MOS管栅极驱动脚。在DRV脚和MOS管G极(栅极)之间连接一驱动电阻R10，是为了改变MOS管开通及关断速度，R10通常取值10Ω或20Ω。MOS管栅极对地要接一个R14为10K电阻，是为了当IC停止工作时，让栅源级间电容的电荷通过此电阻R6放掉，以防止MOS管栅级悬空后误动作。 在某些场合对EMI要求比较高的情况下，可加大驱动电阻R10到75Ω ，减小开关速度，改善EMI。

原边MOS管的选择 MOS的选择主要考虑DS两端的耐压值，以及mos的电流 a、Vbusmax为输入电压整流后的最大值 b、n为原副边匝数比 c、VDF为二极管导通压降 d、Vs为RCD的尖峰电压

变压器设计 工程师可以根据以下步骤自己设计变压器，也可以根据我司提供EXCEL表格填入相关数据计算变压器，以下介绍自己设计变压器步骤： 第一步：原副边匝比n的设计 第二步：原边峰值电流IP,PK的计算

变压器设计 第三步：原边激磁电感Lm的计算 第四步：原边匝数nP 第五步：副边匝数ns

工程师也可以根据我司提供EXCEL表(即文件夹中《变压器计算表格》)计算变压器： 变压器设计 工程师也可以根据我司提供EXCEL表(即文件夹中《变压器计算表格》)计算变压器： 第一步：根据输出功率大小等因素选定变压器磁芯骨架，文件夹中《常用磁芯参数》可以参考。 第二步：把实际应用的各个参数填入所给的Excel设计表，并反复调整Np的值,使△B的值在0.25左右，则可得到激磁电感感值Lm和匝比Ns，进而可得到副边的匝数，然后再根据公式算出辅出绕组匝数。 第三步：参照Excel设计表得出的原副边电流有效值可得到原副边绕线的线径。

Excel设计表中各个参数的说明及设计注意事项---以本PPT中T8灯为例 Vin:输入交流电压值------设计时按最小输入交流电压值取，一般取85V Vout:输出直流电压值------即为输出LED灯上的电压，如果10颗LED灯，就是36V Pout:输出功率，10颗灯即10W VOR:副边反射到原边的电压值------等于n*(Vout+Vd),其中n为原副边匝比，Vd为副边二极管的导通压降，一般选80~110V，为了使MOS管耐压不至于更高，一般选80V。 Nled:输出带的LED的个数，本例为10个 RLED:LED的导通电阻，一般取1.5ohm Ae:磁芯的有效截面积------选定好骨架磁芯后，通过查磁芯的数字手册可得到。10W时选EE20比较合适，EE20的Ae为31 Np:原边匝数------设定足够多的匝数来使△B（磁通密度)值在0.25左右，根据Excel可以得到原边100匝时， △B为0.258 MinFreq:芯片工作最小频率------最小频率设定推荐为60K

变压器设计—EXCEL表格 根据上页各项所需数据填写到EXCEL，得出Ns为2.222(EXCEL表中Ns为原副边匝比)，因为原边为80匝，则副边N为100/2.222=45匝。 若辅助绕组采用11V，则辅助绕组匝数Naux=Ns*11V/(Vout+VDF)=45*11/(36+0.3)=14匝，VDF为输出二极管压降。 原边、副边、辅助绕组匝数分别为100:45:14 原边电感为962uH。

SY5800 布板注意 Isen pin 到MOS S端线尽量粗且短 输入测电流回路面积尽量小 电流采样线和驱动线避免平行布线 去耦电容靠近芯片 芯片避免布线在输入侧功率回路内 地线布线要注意避免产生地回路

Output ripples Vin=110Vac ,Vout=35.56V, Iout=313mA CH1(yellow): VOUT CH4(green):IOUT

原边控制且自带PFC LED driver——SY5800 2、SY5800 自带PFC，PFC>0.9； 一些IC需要外搭填谷式PFC电路，且PFC仅0.7左右。 填谷式电路需要两个耐高压电解电容22uF/400V，三个二极管。 因为LED灯发热较严重，为了延长其寿命，所采用的电解电容和二极管必须是高规格的，此时填谷式电谷的成本至少$0.3。 3、SY5800 电流精度为3%~5%，而一般原边控制IC电流精度为7%~10%. L6562 仅为PFC controller，不是原边控制，如使用需要加上光耦，TL431，LM358