存储设备介绍 广州创龙电子科技有限公司 Guangzhou Tronlong Electronic Technology Co., Ltd
01 存储设备概述 02 存储设备的种类及特点 03 存储设备的总线介绍 04 硬件设计注意事项
01 存储设备概述 第 1 部分
存储设备定义 存储设备是用于储存信息的设备，通常是将信息数字化后再以利用电、磁或光学等方式的媒体加以存储。 ——度娘 用于短期或长期存放数据和程序的设备 04 广州创龙电子科技有限公司
02 存储设备的种类及特点 第 2 部分
存储设备种类 按存储信息的方式，可分为： 利用电能方式存储信息：如RAM、ROM等 利用磁能方式存储信息：如机械硬盘、软盘、磁带等 利用光学方式存储信息：如CD、DVD等 其他物理方式存储信息：如黑胶唱片、打孔卡、打孔带等 利用生化方式存储信息：如DNA存储 06 广州创龙电子科技有限公司
存储设备种类 本期主题：以电能方式存储信息的设备 RAM: Random Access Memory 随机存取存储器 优点：读写速度快 缺点：成本高、数据不能掉电保存。 ROM: Read-Only Memory 只读存储器 优点：容量大、数据可掉电保存 缺点：读写速度慢。 07 广州创龙电子科技有限公司
RAM 设备分类 SRAM: Static RAM 静态随机存储器 优点：不需要刷新、访问速度快 缺点：集成度低、价格昂贵 DRAM:Dynamic RAM动态随机存储器 08 广州创龙电子科技有限公司
SRAM基本存储单元 SRAM 六管单元 09 广州创龙电子科技有限公司
ROM 设备分类 Mask ROM : 内容固定、价格便宜。 PROM ：Programmable ROM 可(一次)编程ROM EPROM ：Erasable Programmable ROM 可擦除可编程ROM EEPROM ：Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦除可编程ROM Flash memory ：闪存 速度快、容量大。 10 广州创龙电子科技有限公司
NOR 与 NAND 谁与争锋 NOR FLASH : XIP(eXecute In Place) 可片内执行，通常用于存储启动代码、平均故障间隔时间长、 无需ECC校验、读取速度快、数据传输效率高、无需软件驱动支持。 但容量较小，价格较贵。 NAND FLASH : 容量大、擦除速度快、写入速度快、接口IO较少、可擦写次数多。但存在坏 块，需要ECC校验。 11 广州创龙电子科技有限公司
03 存储设备的总线介绍 第 3 部分
GPMC（General-Purpose Memory Controller）总线 13 广州创龙电子科技有限公司
SDR SDRAM/(DDR SDRAM)总线 14 广州创龙电子科技有限公司
DDR2(L) 15 广州创龙电子科技有限公司
DDR3(L) 16 广州创龙电子科技有限公司
EEPROM 17 广州创龙电子科技有限公司
NAND FLASH 18 广州创龙电子科技有限公司
U盘、MMC/SD卡、eMMC、SSD 19 广州创龙电子科技有限公司
NOR FLASH (Parallel) 20 广州创龙电子科技有限公司
NOR FLASH (Serial) 21 广州创龙电子科技有限公司
SLC MLC TLC ? SLC: Single-Level Cell 1bit/cell 速度快寿命长，约10万次擦写寿命 。价格贵 MLC: Multi-Level Cell 2bit/cell 速度一般寿命一般，约3000~10000次擦写寿命。价格适中。 TLC: Trinary-Level Cell 3bit/cell 速度慢寿命短，约500次擦写寿命。价格便宜。 22 广州创龙电子科技有限公司
04 硬件设计注意事项 第 4 部分
GPMC、DDR、MMC/SD等并行总线 特点：单端、线多、速率高 LAYOUT注意事项：单端50欧阻抗、3W/5W原则、参考平面完整、“干净”区域布线、电阻按要求位置摆放、 线长不宜超过5000mil。 24 广州创龙电子科技有限公司
SATA、USB等高速串行总线 特点：差分、速率超高 LAYOUT注意事项：100欧差分阻抗、参考平面完整、“干净”区域布线、AC耦合电容按要求位置摆放。 25 广州创龙电子科技有限公司
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