集成电路分类 1、按门的数量： 小规模集成电路（SSI） 中规模集成电路（MSI） 大规模集成电路（LSI） 超大规模集成电路（VLSI） 巨大规模集成电路（GSI）

集成电路分类 2、按器件结构分类： 3、按基片材料 4、按电路功能 5、按应用领域 双极集成电路、MOS集成电路、BiMOS集成电路 单片集成电路、混合集成电路 4、按电路功能 数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路 5、按应用领域 标准通用集成电路、专用集成电路（系统集成电路属于专用集成电路）

集成电路设计步骤 行为设计-〉结构设计-〉系统划分-〉电路图/逻辑图-〉版图设计验证-〉后仿真 1、传统的自底向上（Bottom-Up）设计方法 设计流程： 　底层工艺-〉单元设计-〉功能块-〉子系统设计-〉整个系统设计 2、自顶向下（Top-Down）设计方法 （主流设计方法） 行为设计-〉结构设计-〉系统划分-〉电路图/逻辑图-〉版图设计验证-〉后仿真

自顶向下设计步骤

设计方法 1、全制定设计方法（Full-Custom Design Approach) 特点：完全是由用户设计师根据所选定的生产工艺按自己 的要求独立地进行集成电路产品设计。 优点：得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计 缺点：花费大量的人力、物力和时间 模拟集成电路常常采用的方法 2、半定制设计方法（Semi-Custom Design Approach) ----基于制造商预先准备好母片上的设计

半定制设计方法 1）门阵列设计法 特点： 形状和尺寸相同的单元排成阵列 固定高度的布线通道 优点：设计周期大大缩短 设计成本大大下降 缺点：灵活性低、门利用率不高、易造 成芯片面积的浪费

半定制设计方法 2）门海设计方法 特点: 基本的单元（不共栅的P管和N管）铺满整个芯片（除I/O区外 ）； 基本单元之间无氧化隔离区； 布线通道不固定（可将基本单元链改成无用器件区走线） 优点： （相对门阵列法）门利用率较高、集成密 度大、布线灵活、布通率高 缺点： 　 面积浪费（原因：通道数）； 门利用率不高（原因：晶体管）

集成电路设计方法 3）标准单元设计法 特点： 优点：（比较门阵列法） 基本单元调用法 各个单元具有同一高度(版图尺寸），但是宽度不等。 　基本单元调用法 各个单元具有同一高度(版图尺寸），但是宽度不等。 设计好的单元--->物理单元库；单元的逻辑符号和电学符号---〉逻辑库 布线通道可调整 优点：（比较门阵列法） ----芯片的利用率高。（芯片中没有无用的单元和晶体管） ----保证100%的连续布通率。 ----可获得较佳的电路性能。（单元能根据设计要求临时改动并加入设计库） ----可与全定制设计法结合，在芯片内放入宏单元和功能块

集成电路设计方法 4）积木块设计方法（BBL-Building Block Layout) (通用单元设计法） 特点（比较标准单元法）： 不足：原始投资大。（单元库的建立和修改） 成本较高。（掩模版全部定制，芯片的加工） 4）积木块设计方法（BBL-Building Block Layout)　 (通用单元设计法） 特点（比较标准单元法）： ----不要求单元等高和等宽，每个单元可根据最合理的情况单独进行版图设计。 ----布线通道不统一，根据需要加以分配。 ----积木块单元通常是较大规模的功能模块。 优点：灵活性大 缺点：自动布线比较困难

集成电路设计方法 5）可编程逻辑器件设计方法（PLD) PLD的分类：简单PLD和复杂PLD 简单PLD分类：可编程只读存储器（PROM) 可编程逻辑阵列 (PLA) 可编程阵列逻辑（PAL) 通用可编程阵列逻辑（GAL) 大容量PLD分类：复杂可编程逻辑器件（CPLD) 现场可编程门阵列（FPGA)

工具软件 Synopsys EDA软件 Mentor Graphics EDA软件 Zeni EDA软件 Cadence EDA软件

Cadence的主要工具和作用 Composer : Electric circuit diagram design tool Language ：Skill Verilog-xl : Simulation tool Preview , Silicon Ensemble :Layout , placement routing tool Composer : Electric circuit diagram design tool Analog Artist : Analogy circuit simulation tool Virtuoso Layout Editor : Layout design tool Dracula，Diva : Layout verification tool

Cadence的主要工具和作用

金属导体在集成电路工艺中的作用 Al 、Au、Cu 1、构成低值电阻； 2、构成电容元件的极板； 3、构成电感元件的绕线； 4、构成传输线的导体结构； 5、与轻掺杂半导体构成肖特基接触； 6、与重掺杂半导体构成电极的欧姆接触； 7、构成元器件之间的互连； 8、构成与外界焊接用的焊盘；

半导体在集成电路工艺中的作用 SiO2、SiON、Si3N4 2、构成MOS器件的栅绝缘层； 3、构成元件和互连线之间的横向隔离； 1、构成电容的介质； 2、构成MOS器件的栅绝缘层； 3、构成元件和互连线之间的横向隔离； 4、构成工艺层面之间的垂直向隔离； 5、构成防止表面机械损伤和化学污染的钝 　　化层

半导体基础知识 1、本征半导体 它是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。电子和空穴的数量相同。 2、杂质半导体 1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素如磷、砷 空穴为少数载流子，电子为多数载流子。 2）P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素如硼、铝 空穴为多数载流子，电子为少数载流子。

金属半导体接触 1、肖特基接触： 2、欧姆接触： 若载子穿越接面时有能量障壁(energy barrier)，不符合欧姆定律；轻掺杂实现

金属半导体场效应晶体管 1、两种类型的MESFET：增强型和耗尽型 增强型：沟道在零偏压情况下断开 耗尽型：沟道在零偏压情况下开启

MOS晶体管 1、基本结构和电路符号

MOS晶体管 2、工作原理 MOS晶体管其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体，这三层材料叠在一起组成的。这一结构的基本作用是：在半导体的表面感应出与原掺杂类型相反的载流子，形成一条导电沟道。 以NMOS管为例：它的半导体部分的结构包含两个N型硅的扩散区隔开的P型硅区域。作为完整器件，N型硅的扩散区分别通过与金属半导体的欧姆接触，形成源极和漏极。 PMOS与NMOS有类似的工作原理。 在MOS结构中，栅极作为控制极，它控制着漏极与源极间的沟道电流，应具有导体的性质。

MOSFET的伏安特性:电容结构 Q=CVge 当栅极不加电压或加负电压时，栅极下面的区域保持P型导电类型，漏和源之间等效于一对背靠背的二极管，当漏源电极之间加上电压时，除了PN结的漏电流之外，不会有更多电流形成。 当栅极上的正电压不断升高时，P型区内的空穴被不断地排斥到衬底方向。当栅极上的电压超过阈值电压VT，在栅极下的P型区域内就形成电子分布，建立起反型层，即N型层，把同为N型的源、漏扩散区连成一体，形成从漏极到源极的导电沟道。这时，栅极电压所感应的电荷Q为， Q=CVge 式中Vge是栅极有效控制电压

MOS电容特性 tox是厚度，单位是cm。 1、当Vgs<0时，栅极上的负电荷吸引了P型衬底中的多数载流子—空穴，使它们聚集在Si表面上。这些正电荷在数量上与栅极上的负电荷相等，于是在Si表面和栅极之间，形成了以SiO2为介质的平板电容器，其容量为， tox是厚度，单位是cm。

MOS电容—SiO2和耗尽层介质电容 2、当Vgs>0时，栅极上的正电荷排斥了Si中的空穴，在栅极下面的Si表面上，形成了一个耗尽区。 耗尽区中没有可以自由活动的载流子，只有空穴被赶走后剩下的固定的负电荷。这些束缚电荷是分布在厚度为Xp的整个耗尽区内，而栅极上的正电荷则集中在栅极表面。这说明了MOS电容器可以看成两个电容器的串联。 以SiO2为介质的电容器——Cox 以耗尽层为介质的电容器——CSi 总电容C为: 比原来的Cox要小些。

MOS电容—耗尽层电容特性 3、随着Vgs的增大，排斥掉更多的空穴，耗尽层厚度Xp增大，耗尽层上的电压降就增大，因而耗尽层电容CSi就减小。耗尽层上的电压降的增大，实际上就意味着Si表面电位势垒的下降，意味着Si表面能级的下降。 一旦Si表面能级下降到P型衬底的费米能级，Si表面的半导体呈中性。这时，在Si表面，电子浓度与空穴浓度相等，成为本征半导体。

MOS电容—耗尽层电容特性(续) 4、若Vgs再增大，排斥掉更多的空穴，吸引了更多的电子，使得Si表面电位下降，能级下降，达到低于P型衬底的费米能级。这时，Si表面的电子浓度超过了空穴的浓度，半导体呈N型，这就是反型层。不过，它只是一种弱反型层。因为这时电子的浓度还低于原来空穴的浓度。 随着反型层的形成，来自栅极正电荷发出的电力线，已部分地落在这些电子上，耗尽层厚度的增加就减慢了，相应的MOS电容CSi的减小也减慢了。

MOS电容——最小值 5、 当Vgs增加，达到VT值，Si表面电位的下降，能级下降已达到P型衬底的费米能级与本征半导体能级差的二倍。它不仅抵消了空穴，成为本征半导体，而且在形成的反型层中，电子浓度已达到原先的空穴浓度这样的反型层就是强反型层。显然，耗尽层厚度不再增加，CSi也不再减小。这样， 就达到最小值Cmin。 最小的CSi是由最大的耗尽层厚度Xpmax计算出来的

MOS电容—凹谷特性 6、 当Vgs继续增大，反型层中电子的浓度增加，来自栅极正电荷的电力线，部分落在这些电子上，落在耗尽层束缚电子上的电力线数目就有所减少。情况很复杂，但是，耗尽层电容将增大，两个电容串联后，C将增加。当Vgs足够大时，反型层中的电子浓度已大到能起到屏蔽作用，全部的电力线落在电子上。这时，反型层中的电子将成为一种镜面反射，感应全部负电荷，于是，C = Cox 。电容曲线出现了凹谷形。

外延的种类 1、气相外延生长(VPE: Vapor Phase Epitaxy) 2、金属有机物气相外延生长 （MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy） 3、分子束外延生长 (MBE: Molecular Beam Epitaxy)

掩膜 掩膜是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600800Å厚的Cr层，使其表面光洁度更高。称之为铬板，Cr mask。

光刻步骤 一、晶圆涂光刻胶： 清洗晶圆，在200C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。 待晶圆冷却下来，立即涂光刻胶。 光刻胶有两种：正性(positive)与负性(negative)。正性胶显影后去除的是经曝光的区域的光刻胶，负性胶显影后去除的是未经曝光的区域的光刻胶。 正性胶适合作窗口结构, 如接触孔, 焊盘等，而负性胶适用于做长条形状如多晶硅和金属布线等。 常用OMR83,负片型。 光刻胶对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏，可在黄光下操作。 再烘晶圆再烘，将溶剂蒸发掉，准备曝光

光刻步骤 二、曝光: 光源可以是可见光,紫外线, X射 线和电子束。 光量，时间取决于光刻胶的型号，厚度和成像深度。 三、显影: 晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转，将显影液喷射到晶圆上。显影后，用清洁液喷洗。 四、烘干: 将显影液和清洁液全部

掺杂 １、掺杂的两种方法： 热扩散掺杂：扩散过程中，温度与时间是两个关键参数。 离子注入法

离子注入法的优缺点 优点： 缺点： 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制，杂质分布的均匀。 可进行小剂量的掺杂。 可进行极小深度的掺杂。 较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜。 可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。在这种工艺中，器件表面的导电层被注入的离子（如Ｏ+）破坏，形成了绝缘区。 缺点： 费用高昂 在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复

绝缘层形成 1、硅局部氧化隔离LOCOS （Local Oxidation on Silicon） 利用光刻刻蚀技术在硅表面的氮化硅上开出氧化窗口，利用氮化硅的掩膜作用在1000度下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。 优点：与背对背的PN结隔离相比，LOCOS法隔离的器件里的寄生电容要小很多。 缺点：1、氧化层表面高出硅表面，形成一定程度的不平坦，给后续工艺带来不利影响。2、横向的氧化生长将向器件的有源区延伸，形成所谓的“鸟嘴”现象。 场氧、栅氧

绝缘层形成 2、浅沟隔离STI (Shallow Trench Isolation) STI是一种平坦的、无“鸟嘴”现象的隔离技术。 优点： 1、低温工艺（增加产量，降低成本）。 2、保证了器件的有源区面积 。 3、改善了最小隔离间隔和结电容。

金属层形成 IC 技术中金属层有三个功能： 形成器件本身的接触线; 形成器件间的互联线; 形成焊盘。 根据不同的功能的需要，在先进的IC技术里采用多层布线系统。其目的是提高芯片的速度和密度，尽可能减少寄生参数的影响，从而提高可靠性。

金属层的制作方法 蒸发法 通过控制基质材料的温度和蒸发室的压力，使欲淀积的材料汽化，当发生再凝结时，就形成了蒸发膜。 如导电膜—铝膜 蒸发法 通过控制基质材料的温度和蒸发室的压力，使欲淀积的材料汽化，当发生再凝结时，就形成了蒸发膜。 如导电膜—铝膜 溅射法 用高能离子轰击溅射材料，撞击出分子团，这些分子团被吸附在衬底的表面形成薄膜。 电镀法 用来加厚金属，形成1um以上厚度的金属层。

两层与多层金属布线 VLSI至少采用两层金属布线。 Mental1主要用于器件各个极的接触点及器件 间的部分连线，这层金属通常较薄， 较窄，间距较小。 Mental2主要用于器件间及器件与焊盘间的互 联，并形成传输线。 寄生电容大部分由两层金属及其间的隔离层形成。

NPN三极管剖面图

早期双极性Si晶体管工艺流程 1、衬底选择 2、第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻 埋层作用 3、外延层淀积——N- 4、第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 隔离岛的形成 5、第三次光刻——P型基区扩散孔光刻 6、第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻，包括集电极光刻 7、第五次光刻——引线接触孔光刻 8、第六次光刻——金属化内连线光刻

GaAs基MESFET的基本结构 中文图在书Ｐ５２

说明 N型GaAs薄层-有源层：可采用液相外延（LPE）、汽相外延(VPE)、分子束外延（MBE）三种方法沉积形成。 有源层两侧的金属-金锗合金，通过沉积而成，与有源层形成欧姆接触。即源漏结构。 沟道中间区域上的金属层通常是金或合金，与有源层形成肖特基接触。

简单HEMT的层结构 中文图见书Ｐ５３

说明 在半绝缘GaAs衬底上，一层薄的没有掺杂的GaAs层被一层薄掺杂的AlGaAs层覆盖。 金属分别形成肖特基接触，构成源漏。形成欧姆接触，构成栅极。 由于GaAs<AlGaAs(禁带宽度），AlGaAs层的电子会进入没有掺杂的GaAs里，并留在界面处，形成二维的电子气。 比较MESFET,HEMT有更强的电子移动能力。 近十年来，HEMT发展很快，由于栅长正比于传输频率，现在在致力于减小栅长。

CMOS的基本制造工艺 具体流程图见书56页 1、衬底准备、衬底氧化，生长Si3N4。 2、光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4， 3、去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2 4、腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散 5、有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻 和腐蚀，形成有源区版。 6、N管场注入光刻，N管注入

CMOS的基本制造工艺 7、场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅氧化，沟道掺杂。 8、多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成多晶硅版 9、NMOS管光刻和注入硼，形成N＋版 10、PMOS管光刻和注入磷，形成P＋版 11、硅表面生长SiO2薄膜 12、接触孔光刻、腐蚀 13、淀积铝，反刻铝，形成铝连线。

一层多晶硅,一层金属, n型衬底CMOS的掩膜和典型工艺流程

典型1P2M n阱CMOS工艺主要步骤

自对准技术 自对准是一种圆晶片上用单个掩膜形成不同区域的多层结构的技术，它消除了用多片掩膜引起的对准误差。 应用最为广泛的例子是在多晶硅栅MOS工艺中，利用多晶硅栅极对栅氧化层的掩蔽作用，实现自对准的源极和漏极的离子注入。 一箭三雕：多晶硅条挡住离子栅极下结构注入；使离子对半导体的注入正好发生在它的两侧，实现自对准；使半绝缘的多晶硅变成低电阻率的导体

E-/D-NMOS和E-PMOS的电路符号

（Composer-Schematic） Cadence模拟电路参考流程 Circuit Design Specification 设计输入 （Composer-Schematic） 仿真 Spectre LVS Yes 版图输入Virtuoso Yes 后仿真 GDSII DRC

版图几何设计规则 种类： 以λ(lamda)为单位的设计规则—相对单位 (b) 以μm（micron)为单位的设计规则—绝 　　对单位

tf文件(Technology File)和 display.drf文件

版图设计和验证流程 1、版图的设计环境 2、芯片的版图布局(Floorplan) 3、元件布局与布线(Place&Route) 4、设计规则检查（DRC） 5、版图参数提取（LPE） 6、电气规则检查（ERC） 7、版图与电路图对照（LVS） 8、版图数据的提交

Flowchart of Digital Layout Process

闩锁效应 在正常工作状态下，PNPN四层结构之间的电压不会超过Vtg，处于截止状态，但是在一定的外界因素触发下，使PNPN四层结构之间的电压瞬间超过Vtg时，就会出现很大的导通电流，只要外部信号源或者Vdd和Vss能够提供大于维持电流IH的输出，即使外界干扰信号已经消失，在PNPN四层结构之间的导通电流仍然会维持。 一旦CMOS电路处于Latch-up,电源和地之间就处于近似短路的状态，只有将电源关断，然后接通，电路才可能恢复正常工作。如果这种电流不加限制，最终将使整个电路烧毁。

闩锁效应产生的基本条件 外界因素使两个寄生三极管的EB结处于≥0.7V的正向偏置； 两个寄生三极管的电流放大倍数乘积β1β2〉1； 电源所提供的最大电流大于寄生可控硅导通所需要的维持电流IH

闩锁效应的有关图

UNIX的主要命令 UNIX基本命令 1、目录的显示、改变 2、目录的建立和删除 3、文件的复制、移动及删除 4、文件显示 5、文件的查找操作 6、联机手册的使用 7、管道和定向

UNIX的主要命令 1、目录的显示、改变 （1）cd命令(change directory) 其功能是进行目录间的切换 语法格式：cd [directory] 例如： %cd .. “..”表示上一层目录 %cd guest guest表示相对路径(当前目录的子目录) %cd /etc /etc表示绝对路径 %cd 无参数，直接返回home指定目录

UNIX的主要命令 （2）pwd命令(print working directory) 其功能是打印工作目录 语法格式：pwd %pwd 回车后屏幕显示 /student/users 表示用户现在是在/student/users目录下工作

UNIX的主要命令 （3）ls命令(list contents of directory) 其功能是列出目录内容 语法格式：ls [option][directory|file] ls命令常用选项说明： -a 显示工作目录中所有的文件信息，包括以“.”开头的隐藏文件。 -l 以长列显示每个文件的信息（包括存取模式、链接数、属主、属组、文件大小、上次修改时间、文件名等。 -d 若指定目录，则只列出该目录的相关信息，而不列出该目录的内容。

UNIX的主要命令 2、目录的建立和删除 （1）mkdir命令(make a directory) 其功能是为用户建立一个或者若干个目录。 语法格式：mkdir dirname1 dirname2 例如： %mkdir testdir 在当前目录下创建目录testdir %mkdir /a/b/c/d 创建绝对路径/a/b/c/d，如果在创建d目录时，c目录未创建先创建c目录，依次类推。

UNIX的主要命令 3、文件的复制、移动及删除 （1）cp命令(copy)：该命令的功能为复制一个或若干个普通文件到另一个文件、文件表或目录中。 语法格式： cp [option] soufile tarfile cp [option] soufile1 soufile2… target cp –r [option] soufile1 soufile2… target 例如：%cp testfile1 testfile2 　　　将文件testfile1的内容拷贝到文件testfile2%cp testfile1 testfile2 testdir 将文件testfile1 testfile2 拷贝到相对目录 testdir(当前目录中包含了testdir)

UNIX的主要命令 %cp –r /usr/tony /usr/mike -f 强制覆盖现有的文件而不要求确认。 -i 交互式复制。覆盖现有的文件前要求确认。 -p 保持修改时间和尽可能多的文件权限。 -r 拷贝目录、文件和子目录到指定的目录中。

UNIX的主要命令 （2）rm命令(remove) 该命令的功能是删除一个或多个文件或目录。 语法格式：rm [option] filename 例如： %rm testfile1 将文件testfile1删除 %rm *.c 将后缀为.c的所有文件删除 %rm –r testdir 删除指定目录testdir，包括其中的文件和子目录

UNIX的主要命令 rm命令选项说明： -f 删除用户不具有写许可权限的文件， 不问用户是否许可，都强制删除。

UNIX的主要命令 （4）mv命令(move) 该命令的主要功能是移动或更名文件和目录。 语法格式： mv [option] sourcefile targetfile mv [option] sourcefile targetdirectory 例如：%mv testfile1 testfile2 　　将文件testfile1移到文件testfile2 若文件testfile2本身不存在，相当于把testfile1重命名为testfile2。若testfile2本身存在，则testfile2的内容被替换为testfile1的内容，testfile1不存在

UNIX的主要命令 %mv /usr/tony /usr/mike/temp %mv testfile1 testfile2 /usr/mike 将文件testfile1 testfile2移到目录/usr/mike下 mv命令选项说明： -f 强制删除，即使文件和目录权限不允许，并且禁止全部提示。 -i 取代现有文件或目录前请求确认。

UNIX的主要命令 4、文件显示 （1）cat命令(concatenate) 语法格式：cat [option] [file1…] 主要功能有： ①显示文件的内容，cat命令将按顺序读取每一个文件，并将它们写到标准输出设备上； ②建立小型文本文件； ③连接数据文件。

UNIX的主要命令 例如： %cat testfile1 在屏幕上显示文件testfile1 %cat testfile1 testfile2 > testfile3 将文件testfile1、testfile2连接起来，放到文件testfile3中去 %cat testfile1 testfile2 >> testfile3 将文件testfile1、testfile2连接起来，附加到文件testfile3的尾部

UNIX的主要命令 （3）more命令 语法格式：more [option] [file…] more命令选项说明： 该命令的功能是：一次一屏的显示文本文件的内容。 语法格式：more [option] [file…] more命令选项说明： -c 清屏再显示文件的内容 -d 在每屏底部显示提示“filename (xx%) [Hit space to continue,Del to abort]”。 -e 在写最后文件的最后一行时立即退出 -r 回车符被显示为“^M”。 -s 将输出的多个空行压缩为一个空白行。

UNIX的主要命令 5、文件的查找操作 (2) head命令 例如： %head testfile1 在屏幕上显示文件testfile1的前10行 %head –n 20 testfile1 %head –20 testfile1

UNIX的主要命令 5、文件的查找操作 (2) tail命令 tail命令是显示文件最后部分 例如： %tail testfile1 %tail –20c testfile1 显示文件testfile1的末尾20个字符

UNIX的主要命令 管道“|” 管道的含义是将一个程序的标准输出作为另一个程序的标准输入。 7、管道和定向 例如： %ls -l |wc -l 将显示ls命令结果的输出行数

UNIX的主要命令 定向 定向的含义是将一个程序的标准输出存成一个文件，它有两种用法。 例如： %ls > ls.log %ls -l >> ls.log 将新命令产生的结果添加在文件ls.log的末尾

UNIX的主要命令 （1）tar命令（打包文件命令） tar命令将归档文件存入存储器内（打包）或从存有归档文件的存储器中恢复文件（解包）。 tar [ctxu][v][f device] file-list tar命令次选择项说明： v：显示每个被处理的文件名。 n：标志归档的设备不是磁带。

UNIX的主要命令 f：使用tar命令时利用后面一个参数作为归档的文件名。 w：使得tar命令显示每一步活动，后随文件名，等待用户确认。 x：从档案存储介质中读取指定的file。 t：列出档案存储介质中的文件名。 c：建立一个新档案，覆盖已有的同名文件。

UNIX的主要命令 例如： %tar cvf file.tar ./* 将当前目录下的所有文件打包 %tar xvf file.tar 将打包过的文件解包到当前目录

UNIX的主要命令 语法格式：chmod <access> <file/dir> <access> 为三个八进制的数字，分別代表 user, group, other 的使用权限 以8进位代表权限 (r = 4, w = 2, x = 1) chmod [who|op|access] <file/dir> who : user = u, group = g, other = o, all = a op : add = +, remove = - , assign = = access : read=r, write = w; execute = x

UNIX的主要命令 允许选项可以用十进制来表示 rwxrwxrwx = 111 111 111 = 777 rwxrw-r-- = 111 110 100 = 764 rw------- = 110 000 000 = 600 语法：chmod <mode> <file> 例子: chomd 755 script.plx 给自己所有权限，给组用户和其它用户读和写的权限 可以用特定的模式来代替十进制的数 仍然是三个字符编码. 第一个字符: u (文件所有者), g (group), o (other) 第二个字符: + (加权限) or - (限制权限) 第三个字符: r (read), w (write), x (execute)

UNIX的主要命令 第三个字符: r (read), w (write), x (execute) chmod u+x file.pl 给自己执行的权限 chmod o+r file.pl 给其它用户读取的权限 shell有三种：Bourne shell、Korn shell和C shell。

Vi编辑器的使用 vi编辑器的三种工作模式： 只有在输入模式下，才能接收用户从键盘 上输入的字符； 只有在命令模式下才能对文件进行修改； 退出、存盘等操作在底行命令模式下进 行。

Vi编辑器的使用 保存文件并退出vi编辑程序 1、键入“:w”，再按回车键，将当前编辑的ASCII文本写入磁盘。 2、键入“:q！”，再按回车键，退出vi编辑程序。如果编辑的文本文件自上次保存后又有改动，则该命令行操作无效。“!”告诉vi编辑程序要无条件退出。 3、键入“:wq”，再按回车键，保存当前编辑缓冲区的文本文件并退出vi编辑程序。