微影技術概論- 期中報告 如何做2.5/2.5線路 高啟清博士 Charles Kao, Ph.D Tel: 02-2601-0700 微影技術概論- 期中報告 如何做2.5/2.5線路 高啟清博士 Charles Kao, Ph.D Tel: 02-2601-0700 Mobile: 0939-268-725 cckao@csun.com.tw V2 2007/5/15
評量標準 分組：研究所二人一組, 大學部四人一組 上課心得報告七篇 30% 期中報告 30% 期末報告 30% 出席 10% 每組一份 上課心得報告七篇 30% 每組一份 1~2頁 期中報告 30% 每組一份，針對題目提出分析報告 期末報告 30% 每人一份，自選微影相關主題 出席 10% 2007/5/15 2/11
各位研發部的優秀工程師 本公司將要導入3G手機板內層2.5/2.5線路製程 請評估線路製程上應要求的各項規格，並計算達成 2.5/2.5 規格可行性 2007/5/15 3/11
影響因數 銅箔基板 底片 光阻 光學曝光能力 顯影蝕刻能力 確認可行性 2007/5/15 4/11
1. 材料 – 銅箔基板 選用銅厚： 選用銅箔 Profile種類： oz Cu = m 厚 Why: = 約 m 厚 2007/5/15 5/11
2. 材料 – 光罩/底片 底片材質選用： 底片感光層種類： 底片厚度： m 厚 底片保護膜厚度： m 厚 底片繪製精度： DPI Why: 內層底片蝕刻補償： 2.5/2.5 mil要補償成→ / mil. 2007/5/15 6/11
3. 材料 – 光阻 光阻廠牌型號： 光阻厚度： m 厚 光阻Mylar膜厚度： m 厚 所需曝光能量： 格 格(依照41格數片) 所需曝光能量： 格 格(依照41格數片) 2007/5/15 7/11
4. 設備 – 曝光機 光源系統種類： 平行半角： 斜射角： 曝光能量均勻度： % 2007/5/15 8/11
5. 製程 – 顯影蝕刻 顯影點設定(Break point)： % 蝕刻點設定(Break point)： % 水滯效應(Pudding effect) 朝上板面：中央區與四周L/S差異 mil 朝下板面：中央區與四周L/S差異 mil 蝕刻因子(Etching factor)： . 2007/5/15 9/11
6. 線路 – 線寬計算 為何可達成 2.5/2.5 10% 請計算證明之 2007/5/15 10/11
期末報告題目(舉例) 主題：Lithography發展 (光罩,光阻,設備,…) 網站 193 nm ArF immersion lithography現況 E-Beam Lithography (EPL, SCALPEL,..) EUV lithography：Intel, 日本EUVA,… 其他怪招 網站 www.semiconductorfabtech.com www.future-fab.com developer.intel.com/technology/itj/index.htm 2007/5/15 11/11