第五章 双极结型三极管及其 放大电路 2018年3月26日.

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第五章 双极结型三极管及其 放大电路 2018年3月26日

§5-1半导体BJT BJT(Bipolar Junction Transistor)常称为双极性 结型晶体管,简称晶体管 或三极管,它的种类很多; 按照频率分:有高频管、 低频管; 按照功率分:有小、中、 大功率管; 按照半导体材料分:有硅 管、锗管等等。 根据结构不同,BJT一般可 分成两种类型:NPN型和 PNP型。

NPN型BJT结构 NPN型BJT是由两个PN结,中间是一块很簿的P型 半导体(几微米-几十微米),两边各为一块N型半导体。 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极,分别叫 做发射极e、基极b和集电极c,对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区。 发射区比集电区掺的杂质多,集电区的面积比发射区 的大,因此它们不是对称的。

NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时,交界处就 会形成PN结。BJT有两个PN结:发射区与基区交 界处的PN结称为发射结,集电区与基区交界处的 PN结称为集电结,两个PN结通过很薄的基区联系。 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口,进行硼杂质扩 散,获得P型基区,再在P型半导体上光刻一窗口, 进行高浓度的磷扩散,获得N型发射区,表面是一 层二氧化硅保护层,N型衬底用作集电极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。

晶体管的结构与符号 (a)NPN管的示意图;(b)电路符号;(c)平面管结构剖面图

PNP型BJT结构 PNP型BJT是由两个PN结的三层半导体制成的,不 过PNP的中间是N型半导体,两边是P型半导体。 NPN和PNP型BJT具有几乎等同的特性,只不过各 电极端的电压极性和电流流向不同。

BJT的电流分配与放大作用 为了能使发射区发射电子、集电区收集电子,必须具 备的条件是:发射结加正向电压(正向偏置),集电结 加反向电压(反向偏置),在这些外加电压的条件下, 管内载流子的传输将发生下列过程。

发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压,因此发射结势垒由Vo减小 到Vo-VEE,发射区的多数载流子电子不断通过发射结 扩散到基区,形成发射极电流IE,其方向与电子流动 方向相反。 基区空穴也扩散到发射区,但由于发射区杂质浓度比 基区高得多(一般高几百倍),与电子流相比,这部分 空穴流可忽略不计。

电子在基区中的扩散与复合 发射区的电子注入基区后,在基区靠近发射结的边界 积累起来,形成了浓度梯度,在发射结附近浓度最高, 因此,电子就要向集电结的方向扩散。 在扩散过程中,电子会与基区中的空穴复合,同时接 在基区的电源VEE的正端则不断从基区拉走电子。电 子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等,使 基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基极电 流IB,基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流。 复合越多,到达集电结的电子越少。为了减小复合, 常把基区做得很薄,并使基区掺入杂质的浓度很低, 因而电子在扩散过程中实际上与空穴复合的数量很少, 大部分都能到达集电结。

集电区收集扩散过来的电子 集电结所加的是反向电压,集电结势垒由Vo增加到 Vo+Vcc。集电结势垒很高,使集电区的电子和基区 的空穴很难通过集电结,但这个势垒对基区扩散到 集电结边缘的电子却有很强的吸引力,可使电子很 快地漂移过集电结为集电区所收集,形成集电极电 流IC。 另一方面,根据反向PN结的特性,当集电结加反向 电压时,基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流,这部 分电流决定于少数载流子浓度,称为反向饱和电流 ICBO,它的数值很小,对放大没有贡献,而且受温 度影响很大,容易使管子工作不稳定,所以在制造 过程中要尽量设法减小ICBO 。

三极管内载流子的运动和各极电流

由以上分析可知,晶体管三个电极上的 电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下 关系:

电流分配关系 发射极的总电流与发射结的电压vBE成指数关系 式中VT为温度的等效电压kT/q,IES为发射结的反向饱和电流,它与发射区和基区的掺杂浓度、温度等因素有关,也与发射结的面积成比例。 集电结收集的电子流是发射结发射的总电子流的一部分,常用一系数来表示,即

共发射极直流电流放大系数 :基区每 复合一个电子,则有 个电子扩散到集 电区去。 共基极直流电流放大系数 :扩散到集 电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比 例。

放大作用 在发射极和基极之间的回 路上加入一待放大的输入 信号vI,这样发射结的外 加电压vEB将等于vEE+ vI 。 由于外加电压的变化,将 使发射极电流IE相应地变 化iE,信号电压vI控制IE。 vI的微小变化可以引起IE的变化iE,因IC=IE,又相应引起IC的变化,iC通过接在集电极上的负载电阻RL上产生一个变化的电压vo,则从RL取出来的变化电压vo随时间的变化规律和vI相同,但幅度却大了许多倍。所增大的倍数称为电压增益。

放大电路连接方式 利用BJT组成的放大电路,其中 一个电极作为信号输入端,一 个电极作为输出端,另一个电 极作为输入、输出回路的共同 端。 根据共同端的不同,有三种连 接方式:共基极、共发射极和 共集电极电路。 上图为共基极电路,发射极为 输入端,集电极为输出端,基 极为输入、输出回路的共同端。 下图为共发射极电路,以发射 极作为共同端,以基极为输入 端,集电极为输出端。

共发射极电路放大原理 如在基极输入端加入一个待放大 的信号vI ,发射结电压vBE就在 原来vBB的基础上叠加了一个vI , 于是发射极电流iE将按vI 的规 律变化,所以相应的iB和iC也 将按iE的规律变化。 当iB按vI的规律改变时, iC将随之而变。设=0.98 ,当vI变化20mV时,能引起基极电流的变化iB=20A,则发射极电流变量为

电压增益 在RL所得的电压变化

共射极和共基极电路的特点 (1) 共射极电路以基极电流iB作为输入控制电流,而共基极电路则是以发射极电流iE作为输入控制电流。用iB作为输入控制电流的好处是信号源消耗的功率很小。 (2) 研究共射极电路的放大过程主要是分析集电极电流(输出电流)与基极电流(输入电流)之间的关系。 (3) 共基极电路的电流放大系数为,共射极电路的电流放大系数为。的值小于1,但接近于1,而的值则远大于l,所以iC>iB。共射极电路不但能得到电压放大,而且还可得到电流放大,共射极电路是应用最广泛的一种组态。

BJT的特性曲线 BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系 曲线,是BJT内部载流子运动的外部表现。 由于BJT有三个电极,它的V-I特性就不像二极管那 样简单,工程上最常用到的是它的输入特性和输出 特性曲线。

共射极电路的输入特性曲线 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压vCE为常 数时,加在BJT基极与发射极之间的电压vBE与基极电 流iB之间的关系曲线,用函数关系表示为 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 当vCE=1V时,集电结加了反向电压,集电结吸引电子的能力加强,使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区,因此对应于相同的vBE,流向基极的电流iB比原来vCE=0时减小了,特性曲线也就相应地向右移动了。

共射极电路的输出特性 输出特性是在基极电流iB一定的情况下,集电极与发 射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的关系曲线, 用函数表示为 输出特性的起始部分很陡, vCE略有增加时, iC增加很快,这是由于在vCE很小时,集电结的反向电压很小,对到达基区的电子吸引力不够,这时iC受vCE的影响很大。 vCE稍有增加,从基区到集电区的电子也增加。故iC随vCE 的增加而增加。

输出特性曲线 当vCE超过某一数值(约lV)后,特性曲线变得比较平坦。这是由于vCE大于1V以后,集电结的电场已足够强.能使发射区扩散到基区的电子绝大部分都到达集电区,故vCE再增加, iC就增加不多了。 改变iB的值,即可得到一组输出特性曲线。由iC=iB可知,在vCE大于零点几伏以后,输出特性是一组间隔基本均匀,比较平坦的平行直线。

输出特性曲线的三个区域: 放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。 饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<1V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 截止区:iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时, vBE小于死区电压,集电结反偏。

基区宽度调制效应 由共射极电路可知, vCE= vCB + vBE ,当vCE增加时,由于vBE变化较少(例如硅管的vBE为0.7V左右),故vCB(集电结反向偏压)随之增加。 vCB的增加使集电结的空间电荷区的宽度增加,致使基区有效宽度减小,这样在基区内载流子的复合机会减少,使电流放大系数增大,在iB不变的情况下, iC将随vCE增大,特性曲线向上倾斜,这种现象称为基区宽度调制效应。

共基极电路的特性曲线 NPN型BJT共基极接法的输入特性和和输出特性

BJT的主要参数 1. 电流放大系数 BJT在共射极接法的电流放大系数,根据工作状态 的不同,在直流和交流两种情况下分别用符号 和 表示: BJT集电极的直流电流IC与基极的直流电流IB的比值为共射极电路的直流电流放大系数 ,或hFE来代表。 在有信号输入时,基极电流产生一个变化量iB,相应的集电极电流变化量为iC,则iC与iB之比称为BJT的交流电流放大系数 ,记作hfe。

BJT的主要参数 对共基极接法的电流放大系数,直流放大系数 和 交流放大系数的定义与共发射极接法时相似。 在直流工作状态下,iC=IC, iE=IE ,故有

BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极-基极反向饱和电流ICBO,表 示发射极开路,c、b间加上一定反 向电压时的反向电流,它只决定于 温度和少数载流子的浓度。在一定 温度下,这个反向电流基本上是个 常数,所以称为反向饱和电流。 (2)集电极-发射极反向饱和电流ICEO, 表示基极开路,c、e间加上一定反 向电压时的集电极电流。这个电流 从集电区穿过基区流至发射区,所 以又叫穿透电流。

BJT的主要参数 3. 极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM,参数变化不超过允许值时 集电极允许的最大电流。 (2)集电极最大允许功率损耗PCM,集电结上允许损耗功 率的最大值。 PCM=iCvCE (3)反向击穿电压,BJT的两个PN结,如反向电压超过规定值将会发生击穿。 vEBO集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。 vCBO发射极开路时,集电极-基极间的反向击穿电压。 vCEO基极开路时,集电极-发射极间的反向击穿电压。

温度对晶体管特性曲线的影响 温度对晶体管的vBE、ICBO和β有不 容忽视的影响。其中, vBE 、 ICBO随温度 变化的规律与PN结相同,即温度每升高 1℃,vBE减小2~2.5mV;温度每升高10℃, ICBO增大一倍。温度对β的影响表现为,β 随温度的升高而增大,变化规律是:温 度每升高1℃,β值增大0.5%~1% (即 Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。

§5-2共射极放大电路 单管放大电路中,采用NPN型硅BJT,VCC是集电极 回路的直流电源,它的负端接发射极,正端通过电阻 Rc接集电极,以保证集电结为反向偏置。 集电极电阻Rc将BJT的集电极电流iC的变化转变为集 电极电压vCE的变化。

共射极放大电路 VBB是基极回路的直流电源,它的负端接发射极,正 端通过基极电阻Rb接基极,使发射结为正向偏置,并 通过基极电阻Rb,供给基极一个合适的基极电流IB。 电容Cbl和Cb2称为隔直电容或耦合电容作用是“传送 交流,隔离直流”。

共射极基本放大电路的简化 为了简化电路,一般选取VBB=VCC

§5-3图解分析法 静态工作情况分析 当放大电路没有输入信号(vi=0)时,电路中各处的电 压、电流都是不变的直流,称为直流工作状态或静止 状态,简称静态。在静态工作情况下,BJT各电极的 直流电压和直流电流的数值,将在管子的特性曲线上 确定一点,这点常称为Q点。 当放大电路输入信号后,电路中各处的电压、电流便 处于变动状态,这时电路处于动态工作情况,简称动 态。

近似估算Q点 由于电容Cbl和Cb2的隔直作用, 对于静态下的直流电路来说, 它们相当于开路一样。所以, 在计算Q点时,只需考虑由VCC、 Rb、Rc及BJT所组成的直流通 路就可以了。 直流负载线 选取适当的IB,Q点为静态工作点。

动态工作情况分析 当接入正弦信号时、电路将处在动态工作情况,可以 根据输入信号电压vi通过图解确定输出电压vo,从而 可以得出vi与vo之间的相位关系和动态范围。

说明 ①没有输入信号电压时,BJT各电极都是恒定的电流和 电压(IB、IC、VCE),当在放大电路输入端加上输入信 号电压后,iB、iC、vCE都在原来静态直流量的基础上 叠加了一个交流量。即 ② vCE中的交流分量vce的幅度远比vi为大,且同为正弦波电压,体现了放大作用。 ③vo(vce)与vi相位相反,称为放大电路的反相作用,共射极放大电路又叫做反相电压放大器。

交流负载线 放大电路在工作时,输出端总要接上一定的负载RL, 放大电路的工作情况会因为RL的接入而受到影响。 动态工作时,隔直电容Cbl和Cb2在一定频率的信号作用下,其容抗可以忽略;同时考虑到电源VCC的内阻很小,可视为短路。

交流负载线 放大电路的交流负载电阻为RL’。即 对于交流分量来说,应当用 RL ’来表示电流、电压之间的关系,表示交流分量电压、电流关系的负载线的斜率应该是-1/RL’。

BJT的三个工作区域 BJT的基本特点是通过电流控制实现放大作用,但是 这种放大作用并不是在任何情况下都能实现的。 Q点过高,BJT就会从放大转化为饱和。 Q点过低时,BJT又会从放大转化为截止。 饱和、放大、截止称为BJT的三种工作状态,输出特性分成三个不同区域,即:饱和区、放大区和截止区。

BJT的三个工作区域 饱和区:饱和现象的产生是由于工作点上移,使vCE减小到一定的程度后,集电结收集载流子的能力被减弱,发射极发射有余,而集电极收集不足。这时即使IB增加,IC也不能增加,即不再服从IC= IB。BJT工作在饱和状态时的管压降称为饱和压降,对硅管可取0.3V,对锗管取0.1V。 放大区:输出特性的平坦部分,接近于恒流特性,符合IC= IB的规律,这是放大电路的工作区域。 截止区:当IB减小,则Q点就会沿直流负载线向下移动,当IB =0时, IC = ICEO =0,VCE=VCC,BJT如同工作在断开状态。

§5-4 小信号模型分析法 如果放大电路的输入信号电压很小,就可以设想把BJT小范围内的特性曲线近似地用直线来代替,从而可以把BJT这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 关于BJT的小信号建模,通常有两种方法:一种是已知网络的特性方程,按此方程画出小信号模型;另一种则是从网络所代表的BJT的物理结构出发加以分析,再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程,从而得出模型。

BJT小信号建模 BJT小信号建模采用一个由双口有源器件组成的网络 建模,网络有输入端和输出端两个端口,通常可以 通过电压vi、 vo及电流il、i2来研究网络的特性。 选择这四个参数中的其中两个作为自变量,其余两 个作为应变量,就可得到不同的网络参数,如Z参数 (开路阻抗参数),Y参数〔短路导纳参数)和H参数 (混合参数)等。 H参数在低频时用得较广泛。

BJT H参数 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe BJT在共射极接法时,可表示为一个双口网络。 BJT的特性曲线用图形描述了管子内部电压、电流的 关系;BJT的参数,则是用数学形式表示管子内部电 压、电流微变量的关系。两种方法都是表征管子性能、 反映管内物理过程的,因而两者之间必然具有密切的 内在联系。 BJT的H参数模型 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络

共射极接法下的H参数 输入回路和输出回路电压、电流的关系可分别表示 为 在小信号作用下,当电压、电流的变化没有超过特性曲线的线性范围时,无限小的信号增量就可以用有限的增量来代替,也就是可以用电压、电流的交流分量来代替。

共射极接法下的H参数 输出端交流短路时的输入电阻,单位为欧姆 输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数(无量纲); 输入端交流开路时的反向电压传输比(无量纲); 输入端交流开路时的输出电导,单位为西门子。 这四个参数的量纲各不相同,因此这种参数系统是不同量纲的混合,故称为混合参数。

模型的简化 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe  ib ic vce ib vbe uT vce rbe 一般采用习惯符号 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe   ib 是受控源 ,且为电流控制电流源(CCCS)。  电流方向与ib的方向是关联的。 即 rbe= hie  = hfe uT = hre rce= 1/hoe 则BJT的H参数模型为  ib ic vce ib vbe uT vce rbe rce  uT很小,一般为10-310-4 ,  rce很大,约为100k。故一般可忽略它们的影响,得到简化电路

H参数的确定   一般用测试仪测出;  rbe 与Q点有关,可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+  ) re 其中对于低频小功率管 rb≈200 而 (T=300K) 则

§5-5 放大电路的工作点稳定问题 在放大电路中,Q点不仅关系到波形失真,而且对电 压增益有很大影响,所以对放大电路,为获得较好的 性能,必须首先设置一个合适的Q点。 在固定偏流电路中,当VCC和集电极电阻Rc确定后, 放大电路的Q点就由基极电流IB来决定,这个电流就 叫做偏流,而获得偏流的电路叫做偏置电路。 由于这种电路偏流是“固定”的(IB=VCC/Rb),当更换管子或是环境温度变化引起管子参数变化时,电路的工作点往往会移动,甚至移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作。

温度对工作点的影响 ICBO、、VBE随温度升高的结果,都集中表现在Q点 电流Ic的增大。 硅管的ICBO小,受温度的影响可以忽略,因此, 和 VBE的温度影响,对硅管是主要的,温度每升高1℃, 要增加0.5%-1.0%, VBE 降低2.2mV/℃左右。 锗管的ICBO大, ICBO的温度影响对锗管是主要的,温 度每升高10℃, ICBO大一倍。

射极偏置电路 BJT参数ICBO、、VBE随温度变化对Q点的影响,最 终都表现在使Q点电流Ic增加。在温度变化时,如果 能设法使Ic近似维持恒定,问题就可得到解决。 (1)针对ICBO的影响,可设法使Ib随温度的升高而自动减小。 (2)针对VBE的影响,可设法使发射结的外加电压随着温度的增加而自动减小。 为要使Q点稳定,I1愈大于Ib以及VB愈大于VBE愈好,对于硅管,一般可选取

例5.5.1 试近似估算电路的Q点,并计算 它的电压增益、输入电阻和输出 电阻。 解;(1)确定Q点

解答 (2)求电压增益 画出小信号等效电路图。 由此电路可得

解答 (3)求输入电阻 电路输入端在外加测 试电压的作用下,求相 应的测试电流。

解答 (4)输出电阻 如把BJT的输出电阻rce考 虑进去,按照输出电阻的 定义可画出求输出电阻时 的等效电路。先求出Ro’, 然后再与Rc并联,即可求 得放大电路的输出电阻Ro。

§5-6 共集电极电路和共基极电路 共集电极电路中,BJT的负载电阻是接在发射极上, 输入电压 加在基极和集电极之间,输出电压 从 发射极和集电极两端取出,所以集电极是输入、输出 电路的共同端点。因为是从发射极把信号输出去,所 以共集电极电路又称为射极输出器。

射极输出器分析 (1)求Q点 在基极回路中,按照KVL可得

射极输出器分析 (2)电压增益 根据KVL, 输入回路的方程为

射极输出器分析 (3)输入电阻 当

射极输出器分析 (4)输出电阻 输出电阻按定义表示为

共基极电路 共基极放大电路中,Rc为集电极电阻 ,Re为发射极 电阻,Rbl和Rb2为基极偏置电阻,用来保证BJT有合 适的Q点。 由交流通路可见,输入电压 是加在发射极和基极 之间,而输出电压 从集电极和基极两端取出,故 基极是输入、输出电路的共同端点。

例5.6.1 试分析电路的静态工作情况, 并求出它的电压增益、输入电 阻和输出电阻。 解:(1)求Q点

解答 (2)电压增益 利用小信号等效电路计算 电压增益

解答 (3)输入电阻和输出电阻 在共基极接法时,BJT的 输入电阻为 BJT的共基极输出特性十分平坦,其斜率要比共射极接法小。因此BJT本身的输出电阻rcb比共射极接法时的rcb为大。共基极放大电路的输出电阻为

三种基本组态的比较

三种基本组态的比较

§5-7放大电路的频率响应 1.RC低通电路的频率响应 在放大电路的高频区,影响频率 响应的主要因素是管子的极间电容 和接线电容等,它们在电路中与其 他支路是并联的,因此这些电容对 高频响应的影响可用RC低通电路 来模拟。

幅频响应 高频区的电压增益的幅值AVH和相角H分别为 (1)当f<<fH时 (2)当f>>fH时

幅频响应 fH对应于两条直线的交 点,称为转折频率。 当f=fH时,AVH=0.707, 即在fH时,电压增益下 降到中频值的0.707倍, 所以fH又是放大电路的 上限频率。 fH(H)是AVH(s)的极点 频率。

相频响应 相频响应,它可用三条直 线来近似描述: 在0.1 fH和10 fH之间,可用一条斜率为-45/十倍频程的直线来表示。

频率响应 2.RC高通电路的频率响应 在放大电路的低频区内,耦合电 容和射极旁路电容对低频响应的 影响,可用RC高通电路来模拟。 转折频率,即放大电路的下限濒率

幅频响应 低频区的电压增益的幅值AVL和相角L分别为:

单级放大电路的高频响应 在高频运用的情况下,其物理过程与H参数低频小信 号模型不同 ,主要表现在BJT的极间电容不可忽略, BJT的高额小信号模型如下:

元件参数说明 基区电阻rbb:表示基区体电阻,约在50-300之间。 发射结参数rb’e和Cb’e: rb’e是发射结的小信号电阻, 对于小功率管rb’e的实际数值约为几十欧。 Cb’e为发 射结电容,对于小功率管,约在几十-几百pF范围。 集电结参数rb’c和Cb’c :由于集电结工作时处于反向 偏置,故rb’c的值很大,一般在100 k—10M之间, Cb’c在2-10pF范围内。 受控电流源 由于结电容的影响, 和 不能保 持正比关系,因而用 表示受控电流源,它是 受直接加于基极b’和发射极之间的电压 所控制 的,gm称为互导,定义为

模型中参数的获得 由于高频小信号模型中的元件参数,在很宽的频率范 围内与频率无关,所以模型中的电阻参数和互导gm都 可以通过低频小信号模型参数得到。 发射结电阻

BJT的频率参数 共发射极截止频率f 有一个转折频率f的频响曲线,其值主要决定于管 子的结构。

BJT的频率参数 特征频率fT 当的频响曲线以-20dB/十倍频程的斜率下降, 直至增益为0dB时的某一频率fT称为特征频率。

密勒电容 对于集电极节点,按照KCL得 忽略最后一项

密勒电容 CM称为密勒电容,由于Cb’c的存在,相当于在输入端 接入一个比Cb’c大AV倍的电容。

高频响应与上限频率 将密勒效应图简化,令

增益-带宽积 低频电压增益与通频带相乘所得的乘积称为增益-带 宽积。 当电路参数及BJT都选定后,增益-带宽积是个常数, 因此放大电路的低频电压增益与通频带存在矛盾。 要提高低频电压增益,可增加Rc,但Rc增加后,密勒 效应显著,密勒电容的作用将使 随频率增加而急 剧减小,引起通频带变窄。

单级放大电路的低频响应 放大电路的低频响应主要 取决于外接的电容器,如 隔直(耦合)电容和射极旁 路电容。

低频等效电路的简化 假设Rb远大于放大电路本 身的输入阻抗,它的影响 可以忽略。 假设Ce的值足够大,在信 号频率范围内,它的容抗 XCe远小于Re的值,Re可 以除去。 把Ce折算到基极电路,折 算后的容抗为

低频等效电路的简化 基极回路中的总电容C1可 按下式计算 低频响应及下限频率 输入回路和输出回路都RC高通电路相似 中频区电压增益

转折频率 RC耦合单级放大电路低频响应具有两个转折频率fL1 和fL2。如果二者之间的比值在四倍以上,则可取较大 的值作为放大电路的下限频率。 由于Ce在射极电路里,其电流Ie是基极电流Ib的(1+) 倍,它的大小对电压增益的影响较大,因此Ce是决定 低频响应的主要因素。

作业 习题 5.2.1,5.3.4,5.3.9,5.4.1,5.7.1 5.3.6, 5.3.12, 5.4.4, 5.4.8, 预习第四章

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