光电子技术学课件之十六： ——变像管和微电像增强器 光电子技术学课件之十六： ——变像管和微电像增强器 制作者： 赣南师范学院物理与电子信息学院： 王形华

§5 变像管和微光像增强器件 一、变像管 变像管是指把不可见光转换为可见光的器件。通常是指红外变像管。其核心部分是对红外光敏感的光电阴极。当红外光照射到阴极时，产生光电发射，经过电子光学系统，实现光谱变换。

二、微光像增强器 明朗夏天采光良好的室内照度大致在100至500lx之间 太阳直射时的地面照度可以达到10万lx 微光光电成像系统的核心部分是微光像增强器件

1. 基本原理 光电阴极将光学图像转换为电子图像，电子光学成像系统（电极系统）将电子图像传递到荧光屏，在传递过程中增强电子能量并完成电子图像几何尺寸的缩放，荧光屏完成电光转换，即将电子图像转换为可见光图像，图像的亮度已被增强到足以引起人眼视觉，在夜间或低照度下可以直接进行观察。

2. 微光像增强器的性能参数 （1）光电阴极灵敏度 表征光电阴极发射（或转换）特性的参量是光电灵敏度，即像管光电阴极产生的光电流与入射辐射通量之比。对微光器件，光灵敏度是指用色温2856K士50K的标准钨丝白炽灯（CIE规定的标准“A”光源）照射光电阴极时，其上产生的光电流与入射光通量之比。

（2）有效直径 有效光电阴极直径是在像管输入端上与光电轴同心、能完全成像于荧光屏上的最大圆直径。有效荧光屏直径是在像管输出端上与光电轴同心，并与有效光电阴极直径成物像关系的圆直径。一般将其表示为有效阴极直径／有效屏直径，如18／18（单位mm）

（3）增益 （4）暗背景光亮度和等效背景光照度 用色温为2856K±50K的钨丝白炽灯照射像管的光电阴极，荧光屏输出的光通量与输入到光电阴极的光通量之比即为光通量增益。 （4）暗背景光亮度和等效背景光照度 光电阴极无光照时，处于工作状态的像管荧光屏上的输出光亮度称为暗背景光亮度。等效背景光照度是指产生和暗背景相等的输出光亮度在光电阴极上所需的输入光照度。

（5）放大率、畸变 像管的放大率是指荧光屏上输出像的几何大小与光电阴极上输入像的几何大小之比。 像管的畸变是距离光电轴中心不同位置处各点放大率不同的表征： 式中 是与光电阴极中心距离为r处的畸变， 是与光电阴极中心距离为r处的放大率, 是光电阴极中心处的放大率。 为正值时产生枕形畸变,为负值时产生桶形畸变。

（6）分辨率和调制传递函数 分辨率是指像管分辨相邻两个物点或像点的能力。如果把矩形波空间频率图样投射到光电阴极上，分辨率可用在荧光屏上能分辨的最高空间频率表示。调制传递函数MTF是荧光屏上输出的正弦波图样的调制度与光电阴极上输入的正弦波图样的调制度之比。

（7）光生背景 在有光输入时，处于工作状态的像管荧光屏上存在的随入射光强弱而变化的那部分附加光亮度，称为光生背景。当光电阴极的中心用一个不透明的圆片遮掩，并均匀照明光电阴极，荧光屏中心会出现一个暗斑，暗斑处的输出光亮度与取掉不透明圆片、用同一光源均匀照明光电阴极时荧光屏中心处的输出光亮度之比，即表示光生背景的大小。

（8）信噪比 信噪比是评定像管成像质量的综合指标。像管在规定的工作条件下输出的信号与噪声之比即为信噪比。像管的噪声源主要是：由暗背景引起的固定背景噪声；由于光子、光电子的量子特性引起的涨落量子噪声；由于微通道板等增益机构引起的增益噪声；由于荧光屏颗粒结构引起的颗粒噪声。

（9）自动光亮度控制（ABC）特性和最大输出光亮度（MOB） 像管的自动光亮度控制是带电源的像管组件的特性。当输入光照度大于某一规定值时，输出光亮度与输入光照度之间呈非线性关系，输出光亮度曲线的最大值称为最大输出光亮度。

3. 三代像增强器 一代管以三级级联增强技术为特征，增益高达几万倍，但体积大，重量重； 二代管以微通道板（MCP）增强技术为特征，体积小，重量轻，但夜视距离无明显突破； 三代管则采用了负电子亲和势（NEA）GaAs光电阴极，使夜视距离提高1.5-2倍以上。

（1）第一代像增强器 第一代像增强器是以纤维光学面板作为输入、输出窗三级级联耦合的像增强器。由于经过三级增强，因而第一代管具有很高的增益。 一代管的典型性能为：光灵敏度为300 ，辐射灵敏度(0.85)为20 ， 亮度增益为 ，分辨率为35 。一代管具有增益高、成像清晰的优点，但重量大，防强光能力差。

（2）第二代像增强器 利用MCP（微通道板：在电阻管的内壁涂上具有二次电子发射内力的物质，以实现电荷的倍增）的像管称为第二代像增强器（二代管）。 锐聚焦——类似单级一代管，但在管子的荧光屏前放置一MCP，称为二代倒像管； 近贴聚焦——在光阴极和荧光屏之间双近贴放置MCP，荧光屏配制在纤维光学面板或光纤扭像器上，称为二代近贴管。

二代管采用了不同于一代管的增益机构-MCP，MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管组成。通道芯径间距约12，长径比为40—60。通道的内壁具有较高的二次电子发射特性，入射到通道的初始电子在电场作用下使激发出来的电子依次倍增，从而在输出端获得很高的增益。MCP的两个端面镀镍，构成输入和输出电极。

（3）第三代像增强器 第三代像增强器是在二代近贴管的基础上，将三碱光电阴极置换为GaAs NEA光阴极。NEA 光电阴极的制作过程极为复杂。但光灵敏度性能较一、二代多碱光阴极提高2-3倍。光谱响应向红外延伸，与夜天光辐射光谱更匹配，视距增大1.5-2倍。

三、微光摄像CCD器件 1. 带像增强器的CCD器件 灵敏度最高的ICCD摄像系统可工作在10-6lx靶面照度下。

2. 薄型、背向照明CCD器件 可在10-4lx （靶面照度） 下工作。

3. 电子轰击型CCD器件